chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MOSFET的每個(gè)特性參數(shù)都講透了,干貨滿滿!

濟(jì)南魯晶半導(dǎo)體 ? 2021-06-28 16:34 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

01絕對(duì)最大額定值

poYBAGDZabaAdw-cAAEhK_xLdiA716.png


poYBAGDZabaAbLTpAAC-uzW2Z-0968.pngpoYBAGDZabaAFQLNAAD4t-K9IXQ862.pngpoYBAGDZabaAbRhSAAD5I4tYALs577.pngpYYBAGDZabaAEw9nAACvwEZHRU8088.pngpYYBAGDZabaAR-LvAADmgcNTIeY128.pngpYYBAGDZabaAe3c_AACgMa8FRP8795.pngpoYBAGDZabaAQCGqAAC7p5zNFDs514.pngpoYBAGDZabaAeytzAACtyYhwxM0067.pngpYYBAGDZabaAD-IeAADFnBrV574112.pngpoYBAGDZafuANmV6AAC7PKOZQyI209.pngpYYBAGDZafuAIfxpAADwbjBVGb0230.pngpYYBAGDZafuATgwUAAD8F0LVoBI059.pngpYYBAGDZafuATgwUAAD8F0LVoBI059.pngpoYBAGDZafuAEONSAAEMidvaxNI908.pngpYYBAGDZapGACV8aAADRpIWCjFU626.png

pYYBAGDZaqOANThyAAD-190cOOA373.pngpYYBAGDZat2AA58CAAEeYZ7nLkw570.png

pYYBAGDZavSAchixAAEJDh18OlE089.png

02電參數(shù)

pYYBAGDZa1SAeFvNAAFYgQ2TdCc638.png

、

pYYBAGDZa22AY2sEAADDvC__-8M977.pngpoYBAGDZa4GABEG9AACOQWv8q5w813.pngpYYBAGDZa5KATL_lAADwBMomRM4202.png

、

poYBAGDZa6SALQRHAADhOmvxUKg392.pngpoYBAGDZa7GAP-GSAADWDOEUVNw021.pngpoYBAGDZa7uAIRzgAAEbb-49QtU723.pngpoYBAGDZa8aAdNmnAAFUNtZAFsI393.pngpYYBAGDZa9KAb2ObAAEqhQSjkOk526.pngpoYBAGDZa-eAeciAAAC8UzWdCTg432.pngpYYBAGDZa_CATSjiAAD51gbxFxY135.pngpYYBAGDZbACAMkMTAAE1eh6nv_k723.png

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9199

    瀏覽量

    227088
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    MOSFET的原理、特性參數(shù)

    MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 全稱:金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),簡(jiǎn)稱MOS管,屬于場(chǎng)效應(yīng)管(FET)的一種。
    的頭像 發(fā)表于 10-23 13:56 ?2806次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>的原理、<b class='flag-5'>特性</b>及<b class='flag-5'>參數(shù)</b>

    MOT3150J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析:參數(shù)、特性與應(yīng)用場(chǎng)景

    在中低壓功率轉(zhuǎn)換與高頻開關(guān)領(lǐng)域,N溝道MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)能效與可靠性。本文針對(duì)仁懋電子(MOT)的MOT3150J型號(hào),從電氣參數(shù)、特性優(yōu)勢(shì)到實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景展開深度剖析,為工程師選型與系統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 10-23 11:17 ?123次閱讀
    MOT3150J N 溝道 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 技術(shù)解析:<b class='flag-5'>參數(shù)</b>、<b class='flag-5'>特性</b>與應(yīng)用場(chǎng)景

    MOT4913J N+N 增強(qiáng)型 MOSFET 技術(shù)解析:參數(shù)、特性與應(yīng)用場(chǎng)景

    在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,N+N增強(qiáng)型MOSFET憑借多單元集成的架構(gòu),在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)設(shè)備控制等場(chǎng)景中展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。本文將針對(duì)仁懋電子(MOT)的MOT4913J型號(hào),從參數(shù)、特性到應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行深度
    的頭像 發(fā)表于 10-23 10:50 ?126次閱讀
    MOT4913J N+N 增強(qiáng)型 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 技術(shù)解析:<b class='flag-5'>參數(shù)</b>、<b class='flag-5'>特性</b>與應(yīng)用場(chǎng)景

    干貨分享 | 功能安全常見疑難問題匯總

    針對(duì)實(shí)操問題的線上答疑活動(dòng),我們分類整理了一些熱門問題及解答,可作為大家日后實(shí)踐中的參考。干貨滿滿,仔細(xì)閱讀哦~關(guān)于功能安全機(jī)制及其診斷覆蓋率問題Q外狗從功能上
    的頭像 發(fā)表于 09-05 16:21 ?1816次閱讀
    <b class='flag-5'>干貨</b>分享 | 功能安全常見疑難問題匯總

    MOSFET關(guān)鍵參數(shù)選型依據(jù)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET關(guān)鍵參數(shù)選型依據(jù).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 07-10 14:25 ?2次下載

    CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性解析

    問題。今天的文章將會(huì)主要聚集在G2的導(dǎo)通特性上。在MOSFET設(shè)計(jì)選型過程中,工程師往往會(huì)以MOSFET常溫下漏源極導(dǎo)通電阻RDS(on)作為第一評(píng)價(jià)要素。RDS(o
    的頭像 發(fā)表于 06-16 17:34 ?498次閱讀
    CoolSiC? <b class='flag-5'>MOSFET</b> G2導(dǎo)通<b class='flag-5'>特性</b>解析

    SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)

    尖峰電壓和系統(tǒng) EMC 的抑制為目標(biāo)。實(shí)際應(yīng)用中,選擇緩沖吸收電路參數(shù)時(shí),為防止 SiC-MOSFET開關(guān)在開通瞬間由于吸收電容器上能量過多、需通過自身放電進(jìn)而影響模塊使用壽命,需要對(duì) RC 緩沖吸收
    發(fā)表于 04-23 11:25

    SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性

    本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外,還應(yīng)注意測(cè)試波形的準(zhǔn)確性。
    的頭像 發(fā)表于 03-26 16:52 ?1435次閱讀
    SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>的動(dòng)態(tài)<b class='flag-5'>特性</b>

    MOSFET與IGBT的區(qū)別

    來(lái)解決選擇IGBT還是MOSFET的問題,但針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較,確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對(duì)一些參數(shù)進(jìn)行探討,如硬開
    發(fā)表于 03-25 13:43

    MOSFET開關(guān)損耗計(jì)算

    )與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率之外,新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色,亦不容忽視。其中,Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡(jiǎn)述Power MOSFET特性
    發(fā)表于 03-24 15:03

    SiC MOSFET的靜態(tài)特性

    商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V,而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng),在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度,從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻,使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。
    的頭像 發(fā)表于 03-12 15:53 ?1169次閱讀
    SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>的靜態(tài)<b class='flag-5'>特性</b>

    MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

    本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗,并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程,從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。 MOSFET開關(guān)損耗 1
    發(fā)表于 02-26 14:41

    SiC MOSFET參數(shù)特性

    碳化硅(SiC)MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)的一種,具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC
    的頭像 發(fā)表于 02-02 13:48 ?2003次閱讀

    Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

    大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
    的頭像 發(fā)表于 01-21 11:03 ?2229次閱讀
    Si IGBT和SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>混合器件<b class='flag-5'>特性</b>解析

    MOSFET參數(shù)解讀

    SGT-MOSFET各項(xiàng)參數(shù)解讀
    發(fā)表于 12-30 14:15 ?1次下載