９.１.５ 集電區(qū)中的大電流效應(yīng)：飽和和準飽和∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
９.１.５集電區(qū)中的大電流效應(yīng)：飽和和準飽和
９.１雙極結(jié)型晶體管（BJT）
第９章雙極型功率開關(guān)器件
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
電流
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
7178瀏覽量
138437
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長工藝參
【新啟航】碳化硅 TTV 厚度測量中的各向異性效應(yīng)及其修正算法
的晶體結(jié)構(gòu)賦予其顯著的各向異性，在 TTV 厚度測量過程中，各向異性效應(yīng)會導致測量數(shù)據(jù)偏差，影響測量準確性。深入研究各向異性效應(yīng)并探尋有效的修正算法，是提升碳化硅 TT
碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢，在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下，打破了傳統(tǒng)材料下
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用
隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加，能源轉(zhuǎn)換技術(shù)的提升已成為實現(xiàn)低碳經(jīng)濟的重要一環(huán)。碳化硅（SiC）功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能，正逐漸成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備的選擇，特別是在能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。本文將深
碳化硅功率器件有哪些特點
隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加，寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展，成為現(xiàn)代電子
碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析
碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技
碳化硅的缺陷分析與解決方案
碳化硅作為一種新型半導體材料，因其高熱導率、高電子飽和速度和高擊穿電場等特性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而，碳化硅材料中的缺
碳化硅與傳統(tǒng)硅材料的比較
在半導體技術(shù)領(lǐng)域，材料的選擇對于器件的性能至關(guān)重要。硅（Si）作為最常用的半導體材料，已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而，隨著電子器件對性能要求的不斷提高，
碳化硅在半導體中的作用
電導率、高熱導率、高抗輻射能力、高擊穿電場和高飽和電子漂移速度等物理特性。這些特性使得碳化硅能夠承受高溫、高壓、高頻等苛刻環(huán)境，同時保持較高的電學性能。 二、碳化硅在半導體器件
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
隨著電力電子技術(shù)的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件
發(fā)表于 01-04 12:37
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的創(chuàng)新應(yīng)用
能源轉(zhuǎn)換、電力傳輸和電動汽車等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理和特點，并探討其在能源轉(zhuǎn)換中的創(chuàng)新應(yīng)用，引領(lǐng)高效能源轉(zhuǎn)換的未來之光。
碳化硅在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 碳化硅在汽車工業(yè)中的應(yīng)用
。此外，碳化硅的高電子飽和速度和高擊穿電場強度使其在高功率太陽能電池中具有潛在的應(yīng)用前景。 2. 風力發(fā)電 在風力發(fā)電領(lǐng)域，碳化硅材料可以用于制造高效率的電力電子轉(zhuǎn)換器。這些轉(zhuǎn)換器在風力發(fā)電機中用于將機械能轉(zhuǎn)換為電能，并調(diào)
碳化硅SiC在光電器件中的使用
。 高熱導率 ：SiC的熱導率是Si的三倍以上，有助于器件的散熱。 高電子飽和速度 ：SiC的電子飽和速度高于Si，適合于高速電子器件。 化學穩(wěn)定性 ：SiC在高溫下具有良好的化學穩(wěn)定
碳化硅SiC材料應(yīng)用 碳化硅SiC的優(yōu)勢與性能
碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導體器件的理想材料，尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導體器件
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用
碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù)，因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的
工商網(wǎng)監(jiān)
評論