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開關(guān)模式逆變器∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-04-15 11:01 ? 次閱讀
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11.2.3 開關(guān)模式逆變器

11.2 基本的功率變換電路

第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

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    【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長(zhǎng)工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

    一、引言 碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響,其中生長(zhǎng)工藝參
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    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?850次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

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    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?853次閱讀

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    的頭像 發(fā)表于 04-09 18:02 ?965次閱讀

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    的頭像 發(fā)表于 02-24 14:04 ?747次閱讀
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    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?1470次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積<b class='flag-5'>技術(shù)</b>介紹

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    的頭像 發(fā)表于 01-07 15:19 ?423次閱讀
    鐘罩式熱壁<b class='flag-5'>碳化硅</b>高溫外延片<b class='flag-5'>生長(zhǎng)</b>裝置

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    發(fā)表于 01-04 12:37

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    的頭像 發(fā)表于 12-31 15:04 ?398次閱讀
    8英寸單片高溫<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生長(zhǎng)</b>室結(jié)構(gòu)

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    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:49 ?789次閱讀

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    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:27 ?6257次閱讀

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    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:04 ?790次閱讀