半導體行業(yè)借助紫外高功率輻射（i 線：365 nm、h線：405 nm和g線：436 nm）在各種光刻、曝光和顯影工藝中生產(chǎn)IC、LCD、PCB以及MEMS 等復雜的微觀電路結構。得益于LED的技術優(yōu)勢和成本優(yōu)勢，半導體制造領域正在擺脫長期以來的傳統(tǒng)放電汞燈技術，進而選擇UVLED技術作為一種理想解決方案。虹科UVLED紫外光源提供穩(wěn)定且超高功率的UV輻射輸出，最高輸出功率可達80W，具有長壽命和成本優(yōu)勢，無需額外冷卻時間，即開即用，取代了傳統(tǒng)的燈箱結構，不再需要主光束折疊鏡、散熱器來吸收在快門和濾光片部件下超過450nm的輻射。

許多光刻應用依賴于包括 i、h 和 g 線 （365/405/435 nm） 輻射寬帶曝光。虹科UVLED紫外光源提供非常相似的寬帶光譜輸出，因此，將現(xiàn)有的光刻工藝升級到UVLED曝光系統(tǒng)不再需要過多調(diào)整和操作。除了寬帶UVLED曝光單元外，還提供單峰（365 nm）或雙峰波長（365/405 nm和405/435 nm）的輸出配置。虹科高功率UVLED波段選擇

上期內(nèi)容我們介紹了虹科曝光光源在掩膜對準系統(tǒng)和寬帶步進系統(tǒng)中的應用（虹科分享 | 半導體制造工藝中的虹科光源解決方案（1））。在本篇內(nèi)容中，我們將繼續(xù)為您展示虹科曝光光源在半導體領域的其他拓展應用。

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晶圓邊緣曝光

晶圓邊緣曝光（WEE）是大批量半導體制造中的常見步驟，使用光刻工具在曝光后處理晶圓的圓邊和ID區(qū)域，以提高晶圓半導體器件的良率。WEE允許晶圓邊緣的絕對最小曝光寬度，以最大限度地減少良率損失或在進一步處理過程中保護邊緣免受污染。

目前，大多數(shù)WEE應用使用350至450 nm光譜范圍內(nèi)的寬帶輻射。最常見的解決方案是使用額定功率為150至500 W的傳統(tǒng)光纖耦合汞放電燈。虹科高功率紫外光源ALE/1和ALE/3通過靈活的LED光導提供光輸出，涵蓋了傳統(tǒng)汞放電燈的光譜范圍，并且很容易超越晶圓邊緣曝光工藝所需的典型強度。

晶圓曝光強度

虹科UVLED紫外光源解決方案提供卓越的吞吐量性能，取代了小型功率和中型功率汞弧燈。

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準直曝光系統(tǒng)

掩模對準器和步進器能創(chuàng)建一層又一層的精確定位和結構化圖案，以制造復雜的集成電路、化合物半導體和其他微電子器件。許多紫外固化應用要求曝光與半導體生產(chǎn)一樣精確，但不需要具有精心排列的微觀結構層的多個光刻步驟

以上應用更建議使用準直紫外光源曝光，可以將虹科紫外光源解決方案集成到需要紫外線泛光暴露應用中，模塊化產(chǎn)品系列可讓您選擇所有組件以滿足您的曝光要求。

選擇虹科ALE/1 或 ALE/3 紫外 LED 光源，以滿足您對輸出功率、光譜成分和曝光穩(wěn)定性的偏好。虹科ALE/1 或 ALE/3是市場上性能最高的光纖耦合光源之一，占地面積小，易于集成。

曝光光源系統(tǒng)集成

標準和定制的高透射率液體LED光導可用于連接光源和曝光，可以自由選擇最適合的方法，幾乎可以將光源和曝光光學器件放置在設置設計包絡中的任何位置。所有解決方案均可定制，以完美貼合原有設備。

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光掩模檢測

完美的光罩或光掩模在光刻應用中實現(xiàn)高產(chǎn)量至關重要。缺陷和污染會導致圖案放置錯誤，這些錯誤會在生產(chǎn)基板上重復復制。光罩檢測系統(tǒng)可幫助掩模車間鑒定其光掩模和晶圓廠，通過降低印刷有缺陷的晶圓和其他基材的風險來保護其產(chǎn)量。

將虹科強大的LED技術集成到其用于大型光掩模的光罩檢測工具中，制造商依靠這些系統(tǒng)來評估進料光罩質量，并在生產(chǎn)過程中定期對標線進行重新認證。虹科高性能紫外LED光源用于光罩檢測系統(tǒng)具有三大優(yōu)點：

虹科ALE/1和ALE/3紫外點光源非常靈活，搭配高透射率 LED 光導可讓您隨時隨地移動和定位機器中的光源。在一些現(xiàn)有的裝置中，這些光導長達 20 米。

領先的OLED FPD帶有更多的TFT晶體管以實現(xiàn)更好的分辨率，因此高端光掩模必須具有更小的特征尺寸。將輻射波長從可見光轉換為近紫外光，可增強設備檢測缺陷的能力。虹科高性能LED光源在350至450 nm的光譜范圍內(nèi)提供出色的性能。

虹科高性能LED光源具有出色的輸出穩(wěn)定性（短期和長期），可提高光罩檢測結果的準確性和一致性