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      數(shù)明半導(dǎo)體高壓、高速MOSFET/IGBT 驅(qū)動器通過AEC-Q100認(rèn)證

      數(shù)明半導(dǎo)體 ? 來源：數(shù)明半導(dǎo)體 ? 2023-06-27 14:56 ? 次閱讀
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      為滿足汽車市場對產(chǎn)品可靠性和安全性的需求，數(shù)明半導(dǎo)體近期推出車規(guī)級高壓、高速MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片SiLM21814-AQ，該產(chǎn)品通過AEC-Q100認(rèn)證。600V,2.5A/3.5A的高低邊門極驅(qū)動SiLM21814-AQ具有驅(qū)動電流大、耐壓高、抗負(fù)壓能力強的優(yōu)勢，可廣泛應(yīng)用于AC/DC、DC/DC電源、逆變器、變頻壓縮機等眾多領(lǐng)域。

      SiLM21814-AQ提供獨立的高邊、低邊輸出驅(qū)動信號。采用專有的高壓集成電路和鎖存免疫CMOS技術(shù)，提供可靠的單芯片驅(qū)動方案。邏輯輸入電平與標(biāo)準(zhǔn)CMOS或LSTTL兼容，最低支持3.3V邏輯輸入。輸出驅(qū)動器具有高脈沖電流緩沖級，以減小驅(qū)動器交叉導(dǎo)通。精確的匹配延遲適合高頻應(yīng)用。浮動通道可用于驅(qū)動高邊配置的N型溝道功率MOSFET或IGBT，工作電壓可高達600V。

      產(chǎn)品特性

      Key Features

      支持600V高壓應(yīng)用

      典型驅(qū)動電流：2.5A/3.5A

      寬VCC工作范圍：10V~20V

      為自舉供電設(shè)計的浮動通道

      支持高低邊欠壓閉鎖功能

      輸入信號兼容3.3V/5V

      抗瞬態(tài)負(fù)壓能力：-40V/600ns

      典型開通/關(guān)斷延遲：180ns/200ns

      最大通道匹配延遲：35ns

      符合車規(guī) AEC-Q100

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • 驅(qū)動器
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      • 數(shù)明半導(dǎo)體

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      原文標(biāo)題：新品發(fā)布 丨 數(shù)明半導(dǎo)體推出車規(guī)級高壓、高速MOSFET/IGBT 驅(qū)動器 SiLM21814-AQ

      文章出處：【微信號：數(shù)明半導(dǎo)體，微信公眾號：數(shù)明半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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