近日，泛林集團(tuán)推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應(yīng)對(duì)下一代邏輯、3D NAND和先進(jìn)封裝應(yīng)用中的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導(dǎo)體芯片關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得越來越復(fù)雜，在硅晶圓上構(gòu)建納米級(jí)器件需要數(shù)百個(gè)工藝步驟。僅需一個(gè)工藝步驟，Coronus DX可在晶圓邊緣的兩側(cè)沉積一層專有的保護(hù)膜，有助于防止在先進(jìn)半導(dǎo)體制造過程中經(jīng)常發(fā)生的缺陷和損壞。這一強(qiáng)大的保護(hù)技術(shù)提高了良率，并使芯片制造商能夠?qū)嵤┬碌那把毓に噥砩a(chǎn)下一代芯片。Coronus DX是Coronus產(chǎn)品系列的最新成員，擴(kuò)大了泛林集團(tuán)在晶圓邊緣技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

“在3D芯片制造時(shí)代，生產(chǎn)復(fù)雜且成本高昂。基于泛林集團(tuán)在晶圓邊緣創(chuàng)新方面的專長，Coronus DX有助于實(shí)現(xiàn)更可預(yù)測(cè)的制造并大幅提高良率，為以前不可行的先進(jìn)邏輯、封裝和3D NAND生產(chǎn)工藝得以采用鋪平道路?！?/p>

泛林集團(tuán)全球產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)副總裁

Sesha Varadarajan

沉積在工藝集成過程中增加了關(guān)鍵保護(hù)

與Coronus晶圓邊緣刻蝕技術(shù)互補(bǔ)，Coronus DX使新的器件架構(gòu)成為現(xiàn)實(shí)，這對(duì)于芯片制造商來說是顛覆性的。重復(fù)疊加的薄膜層會(huì)導(dǎo)致殘留物和粗糙度沿著晶圓邊緣積聚，并且它們可能會(huì)剝落、漂移到其它區(qū)域并產(chǎn)生導(dǎo)致器件失效的缺陷。比如：

在3D封裝應(yīng)用中，來自生產(chǎn)線后端的材料可能會(huì)遷移，并在之后的工藝中成為污染源。晶圓的塌邊會(huì)影響晶圓鍵合的質(zhì)量。

3D NAND制造中的長時(shí)間濕法刻蝕工藝可能會(huì)導(dǎo)致邊緣處襯底的嚴(yán)重?fù)p壞。

當(dāng)這些缺陷不能被刻蝕掉時(shí)，Coronus DX會(huì)在晶圓邊緣沉積一層薄的電介質(zhì)保護(hù)層。這種精確和可調(diào)整的沉積有助于解決這些可能影響半導(dǎo)體質(zhì)量的常見問題。

CEA-Leti半導(dǎo)體平臺(tái)部門負(fù)責(zé)人

Anne Roule表示：

“CEA-Leti運(yùn)用其在創(chuàng)新、可持續(xù)技術(shù)解決方案方面的專業(yè)知識(shí)，幫助泛林集團(tuán)應(yīng)對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體制造方面的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。通過簡(jiǎn)化3D集成，Coronus DX大幅提高良率，使芯片制造商能夠采用突破性的生產(chǎn)工藝?！?/p>

專有工藝推動(dòng)良率提升

Coronus DX采用了一流的精確晶圓中心定位和工藝控制，包括內(nèi)置量測(cè)模塊，以確保工藝的一致性和可重復(fù)性。Coronus產(chǎn)品逐步提高了晶圓良率，每個(gè)刻蝕或沉積步驟提高0.2%至0.5%的良率，這可以使整個(gè)晶圓生產(chǎn)流程的良率提高5%。每月加工超過100,000片晶圓的制造商在一年中可通過Coronus提高芯片產(chǎn)量達(dá)數(shù)百萬——價(jià)值數(shù)百萬美元。

各大芯片制造商都使用了Coronus

Coronus產(chǎn)品系列于2007年首次推出，被各大半導(dǎo)體制造商使用，在全球范圍內(nèi)安裝了數(shù)千個(gè)腔體。泛林集團(tuán)的Coronus產(chǎn)品系列是業(yè)界首個(gè)經(jīng)過大規(guī)模生產(chǎn)驗(yàn)證的晶圓邊緣技術(shù)。其Coronus和Coronus HP解決方案是刻蝕產(chǎn)品，旨在通過去除邊緣層來防止缺陷。Coronus解決方案被用于制造邏輯、內(nèi)存和特色工藝器件，包括領(lǐng)先的3D器件。Coronus DX目前已在全球領(lǐng)先的客戶晶圓廠中用于大批量制造。

Kioxia Corporation

內(nèi)存工藝技術(shù)執(zhí)行官

Hideshi Miyajima博士表示：

“通過晶圓邊緣技術(shù)等領(lǐng)域的進(jìn)步提高生產(chǎn)工藝的質(zhì)量，對(duì)于我們向客戶大規(guī)模提供下一代閃存產(chǎn)品至關(guān)重要。我們期待繼續(xù)與泛林集團(tuán)及其Coronus解決方案合作，以實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先的晶圓生產(chǎn)?！?/p>

審核編輯：湯梓紅