這篇博文解釋了如何使用通用設(shè)備(源測量單元(SMU))實(shí)施泄漏測試,并介紹了基于高壓放大器組件的簡化電路,該電路可強(qiáng)制電壓和測量電流。在本博客中,您將了解如何將這兩種方法應(yīng)用于MOSFET泄漏測試。
MOSFET是開關(guān)和汽車應(yīng)用中非常常見的元件,支持低壓或高壓擺幅,并具有寬范圍的電流驅(qū)動。高功率應(yīng)用的數(shù)量正在增加,從而產(chǎn)生了對功率MOSFET的額外需求。為了生產(chǎn)數(shù)量不斷增加的功率MOSFET,需要更多的制造測試能力。除了成熟的半導(dǎo)體ATE供應(yīng)商之外,許多公司正在開發(fā)產(chǎn)品以滿足功率MOSFET測試需求。
在功率MOSFET生產(chǎn)線上,每個(gè)器件都經(jīng)過測試,以確保其符合數(shù)據(jù)手冊規(guī)格。漏電是一個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo),在高壓設(shè)備中測試可能具有挑戰(zhàn)性。
讓我們以英飛凌功率MOSFET IPA100N08N3為例。圖 1 顯示了 IPA100N08N3 數(shù)據(jù)手冊中的電氣特性。

圖1
柵極漏電流通常通過強(qiáng)制電壓并測量產(chǎn)生的電流來確定。泄漏電流可能因氧化物的質(zhì)量或材料的物理性質(zhì)而異。
對于 IPA100N08N3,當(dāng) VGS 且 VDS=0V 時(shí),IGSS最大值應(yīng)低于 100nA。這個(gè)我GSS泄漏測試確定哪些是要運(yùn)送給客戶的好零件,哪些是要丟棄的壞零件。
一般來說,MOSFET柵極驅(qū)動器電壓范圍為+-20V,GaN可能更低。圖2顯示了測試柵極漏電流值的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

圖2
首先介紹了源和測量單元(SMU)方法,然后介紹了簡化的力電壓,測量電流電路。
中山大學(xué)
SMU是一種具有測量功能的四象限拉漏操作設(shè)備,采用FVMI(力電壓,測量電流)和FIMV(力電流,測量電壓)模式。它可以提供指定的電壓并測量電流。它還可以提供指定的電流,然后測量通過DUT的電壓。
SMU可以實(shí)現(xiàn)非常低的電流范圍(nA,pA),分辨率為fA,甚至aA。因此,毫無疑問,SMU可以精確測量MOSFET漏電流。圖 3 以泰克 SMU2450 的規(guī)格為例。

圖3
圖4顯示了測試漏電流的典型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。請注意,實(shí)施MOSFET泄漏測試需要三個(gè)SMU通道。

圖4
FVMI模式:通常從DAC設(shè)置輸出電壓,按功率級放大,測量通過所選檢測電阻的電流,提供DUT中施加到輸出電壓點(diǎn)的電壓反饋,使DUT電壓等于設(shè)定電壓。
FIMV 模式:設(shè)置通常來自DAC的輸出電流,通過功率級放大,測量通過所選檢測電阻的電流,將檢測電阻的電壓反饋到輸出電流設(shè)定點(diǎn),以確保流過DUT的電流等于設(shè)定電流。
圖5所示為典型的模擬環(huán)路控制SMU框圖。

圖5
表1中列出了一些推薦的部件:
| 框圖名稱 | 功能 | 部件號 | 描述 |
| VREF | 電壓基準(zhǔn) | LM399,ADR45xx D 型 | 0.5ppm/°C 溫度漂移 |
| SP 數(shù)字轉(zhuǎn)換器 | 代數(shù)轉(zhuǎn)換器 | AD5761, AD5781 | 精密輸出DAC,16位至18位,用于設(shè)定點(diǎn) |
| CMP DAC | 代數(shù)轉(zhuǎn)換器 | AD5685R | 14 位 DAC,用于設(shè)置一致性 |
| I ADC | 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 | AD717X 系列 | 低速、高精度Σ-Δ型ADC |
| V 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 | AD7982,AD4000系列 | 高速、高精度SAR ADC | |
| 電流感 | 高壓緩沖器 | ADHV4702-1,ADA4700-1, LTC6090/1 | 精密高壓放大器,用于緩沖輸入信號 |
| 差動放大器 | LT6375、LT1997-3、LT5400 + 高壓緩沖器 | 差動放大器用于消除共模電壓 | |
| 電壓檢測 | 高壓緩沖器 | ADHV4702-1,ADA4700-1, LTC6090/1 | 高壓放大器緩沖輸入信號(可選) |
| 差動放大器 | LT1997-2, LT6375 | 差動放大器用于消除共模電壓 | |
| 驅(qū)動器放大器,放大器 | 高壓放大器 | ADHV4702-1, ADA4700-1, LTC6090/1 | 高壓放大器(驅(qū)動輸出級) |
還有數(shù)字環(huán)路控制SMU,它需要比模擬環(huán)路控制SMU具有更高精度和速度的ADC。數(shù)字環(huán)路控制SMU示例如圖6所示。

圖6
本指南的系統(tǒng)框圖如下:

簡化的力電壓,測量電流電路
圖7是測試漏電流的基本模塊。

圖7
電壓源V1設(shè)置放大器(ADHV4702-1)同相輸入節(jié)點(diǎn)的電壓,通過簡單的運(yùn)算放大器理論,反相輸入將匹配它(V=V)。如果放大器偏置電流與MOSFET漏電流相比足夠低,并且放大器的共模電壓大于施加到MOSFET的電壓加上檢測電阻R的電壓,則MOSFET柵極的漏電流將通過電阻R1。+-
我GSS=(Vout-V1)/R
圖 8 和圖 9 是使用 ADHV4702-1 的 LTSpice 仿真圖。建議使用 10MOhm 的檢測電阻來測量 10nA 的漏電流。檢測電阻上的電壓從100.00801mv到99.981308mv不等,這表明ADHV4702-1在-10V至2V的直流電壓掃描下具有低偏置電流(+-25pA電平在20°C時(shí))可以輕松測量20nA。

圖9
圖10和圖11顯示了基于高壓放大器元件的漏電流測試的推薦信號鏈和電路板實(shí)現(xiàn)方案。

圖10
綜上所述,我們討論了兩種測試漏電流的方法,使用標(biāo)準(zhǔn)SMU和簡化的力電壓,測量電流電路。SMU的功能非常強(qiáng)大,該設(shè)備可用于多種測試,但解決方案非常復(fù)雜且成本高。使用高壓放大器元件的簡化電路是實(shí)現(xiàn)所需結(jié)果的簡單方法,但功能有限且成本低。
審核編輯:郭婷
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