當(dāng)BUZZ處于高壓狀態(tài)時(shí)，晶體管T1（N型晶體管）接通，蜂鳴器響起。R5 的角色用于電流限制。

以下電路增加一個(gè)電容C18和一個(gè)反向二極管D2，以濾除和阻斷反向二極管。二極管的反向擊穿電壓非常高。一般低功率三極管觸發(fā)電壓非常低至0.7V。電流也很小，一般小于1UA。

III IO控制電源開(kāi)關(guān)已打開(kāi) - 使用晶體管和 MOS 管

MOS：FET MOSFET管之一，可制成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道全部類型。但實(shí)際應(yīng)用只是增強(qiáng)型N溝道MOS管和增強(qiáng)型P溝道MOS管，即NMOS和PMOS。

對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，通常使用NMOS，其特點(diǎn)是導(dǎo)通電阻低。它通常適用于巫術(shù)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

導(dǎo)管條件：

當(dāng) Vgs 大于特定值時(shí)，NMOS 將打開(kāi)。當(dāng) Vgs 小于某個(gè)值時(shí)，PMOS 打開(kāi)。

開(kāi)關(guān)損耗：

無(wú)論是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻，導(dǎo)致不可避免的損耗。而現(xiàn)在MOS晶體管的導(dǎo)通電阻一般是幾十毫歐。

MOS管AO3401：P溝道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管

導(dǎo)通條件：一般不超過(guò)-12V即可用于AO3401。以下是不同壓降下的阻抗：