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卡拉膠作為5V高壓LiNi0.5Mn1.5O4正極犧牲粘合劑!

清新電源 ? 來源:清新電源 ? 2023-08-01 09:20 ? 次閱讀
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研究背景

尖晶石LiNi0.5Mn1.5O4(LNMO)正極材料具有較高的氧化還原電位和高能量密度(~650Whkg?1)。然而,LNMO的高工作電壓導(dǎo)致其與電解質(zhì)發(fā)生副反應(yīng),導(dǎo)致正極界面的退化,導(dǎo)致循環(huán)時(shí)容量下降。碳酸鹽電解質(zhì)在4.4 V 電壓下在正極表面形成厚且不穩(wěn)定的正極-電解質(zhì)間相(CEI),較厚的CEI層具有較高的界面電阻,從而損害了正極的循環(huán)穩(wěn)定性。因此,LMNO正極在高電壓下的循環(huán)穩(wěn)定性一直被認(rèn)為是一種不可避免的問題。另一種有害的降解機(jī)制涉及六氟磷酸鋰(LiPF6),在高電壓下,LiPF6可以與微量的水反應(yīng)生成氟化氫(HF),從而引發(fā)過渡金屬(TM)離子從正極表面的溶解和遷移。當(dāng)裸露的LNMO表面暴露在電解質(zhì)中時(shí),TM離子的溶解會(huì)加速。溶解的TM離子沉淀在負(fù)極/正極,以金屬粒子形式的表面進(jìn)一步催化兩個(gè)界面上副反應(yīng)。迄今為止,已經(jīng)提出了各種抑制電解質(zhì)副反應(yīng)的策略,如使用電解質(zhì)添加劑、自由基清除劑、和界面保護(hù)層。然而,完全覆蓋活性粒子是不可行的,即使可以實(shí)現(xiàn)完全覆蓋,也會(huì)提高界面阻力。自由基清除劑不能完全消除HF分子。另一方面,粘結(jié)劑具有保護(hù)活性電極層和集流體之間的粘附力,因此,我們假設(shè)粘合劑與電解液可能對(duì)正極界面的形成和性能產(chǎn)生重大影響,而正極界面與電池的關(guān)鍵電化學(xué)性能指標(biāo)密切相關(guān)。

雖然聚(偏氟乙烯)(PVDF)是最廣泛使用的粘合劑層狀金屬氧化物正極,但并不適用于LNMO正極,因?yàn)槠洳荒芫鶆蚋采w活性物質(zhì),可能無(wú)法解決上述界面問題。作為PVDF的替代品,生物聚合物和合成聚合物利用它們的羥基或負(fù)電荷官能團(tuán)分別參與與LNMO表面的氫鍵和離子偶極相互作用。這些相互作用排列均勻地覆蓋LNMO表面,從而防止副反應(yīng)發(fā)生。然而,這些粘合劑的均勻覆蓋,反過來又增加了界面電阻,因?yàn)閺慕Y(jié)構(gòu)的角度來看,它們對(duì)鋰離子的電導(dǎo)率造成不利影響。粘合劑有一個(gè)關(guān)鍵的功能是影響鋰離子擴(kuò)散到CEI層,氧化弱官能團(tuán)粘結(jié)劑在高壓下可以轉(zhuǎn)換成某些部分CEI層。考慮到這一原理,可以選擇粘合劑的官能團(tuán),使分解后剩余的部分形成CEI配合物/粘合物,以促進(jìn)鋰離子在CEI中的擴(kuò)散。因此,粘合劑可以表現(xiàn)為“犧牲性的”。雖然電解質(zhì)添加劑也可以設(shè)計(jì)出類似的目的,但如果其最低未被占用的分子軌道水平低于負(fù)極的工作電位,則干擾負(fù)極界面。顯然,粘合劑的主要作用必須通過利用其他官能團(tuán)來保持其粘附性能,強(qiáng)調(diào)多功能性作為L(zhǎng)NMO正極粘合劑的關(guān)鍵設(shè)計(jì)原則。

成果簡(jiǎn)介

近日,首爾國(guó)立大學(xué)/韓國(guó)能源研究所等合作者為了解決LNMO高電壓循環(huán)下容易發(fā)生界面降解副反應(yīng),從而阻礙長(zhǎng)期和高倍率循環(huán)穩(wěn)定性等問題。在此,作者通過摻入犧牲性粘合劑,即 λ-卡拉膠 (CRN)(一種硫酸化多糖),克服了LNMO長(zhǎng)期循環(huán)性較差的問題。這種粘合劑不僅通過氫鍵和離子偶極相互作用均勻地覆蓋LNMO表面,而且提供了含有LiSOxF的離子導(dǎo)電正極-電解質(zhì)界面層。利用這兩個(gè)特性,CRN基電極的循環(huán)性能和倍率性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于基于傳統(tǒng)的聚(偏二氟乙烯)和海藻酸鈉粘合物。本研究引入了一種新的概念,即“犧牲”粘合劑,用于鋰離子電池電極制造,使其具有優(yōu)越的電化學(xué)性能。該工作以“Carrageenan as a sacrificial binder for 5 V LiNi0.5Mn1.5O4 cathodes in lithium-ion batteries”為題發(fā)表在Advanced Materials上。

研究亮點(diǎn)

(1) 通過使用硫酸鹽多糖粘合劑,即CRN,克服了LNMO電池在高壓循環(huán)條件下穩(wěn)定性較差的問題;

(2) 粘合劑形成CEI/粘合物,通過高壓條件下硫酸鹽基的不可逆氧化分解對(duì)鋰離子具有高導(dǎo)電性;

(3) CRN的親水性使其可行的覆蓋LNMO粒子均勻,但硫酸基的氧化分解導(dǎo)致CEI/粘合劑復(fù)雜層包含LiSOxF,促進(jìn)鋰離子傳導(dǎo);

(4) 本研究是首次在粘合劑設(shè)計(jì)中演示“電化學(xué)犧牲”概念來控制CEI層。

圖文導(dǎo)讀

CRN在其主主鏈上同時(shí)有硫酸基和羥基(圖1a),使其能夠同時(shí)作為犧牲劑和粘合劑。這兩種功能在5V 高壓下同時(shí)解決LNMO正極兩個(gè)挑戰(zhàn)性問題:基于正極界面的強(qiáng)粘附性和高鋰離子傳導(dǎo),具有良好的活性粒子覆蓋范圍。為了證明CRN這兩個(gè)官能團(tuán)的作用,我們選擇了海藻酸鈉(ALG,圖1b)和PVDF(圖1c)作為對(duì)照結(jié)合劑。ALG在結(jié)構(gòu)上與CRN高度相似,只是ALG沒有硫酸鹽基團(tuán)。ALG長(zhǎng)期以來一直被用作正極和負(fù)極的水性粘結(jié)劑。利用透射電子顯微鏡(TEM)研究了原始狀態(tài)下LNMO表面粘合劑的覆蓋情況,CRN和ALG粘結(jié)劑沿LNMO表面的覆蓋范圍較薄且均勻(圖1d,e),這歸因于它們的親水官能團(tuán)。相比之下,PVDF的分布并不均勻,因?yàn)樗贚NMO表面局部聚集(圖1f)。這是因?yàn)镻VDF具有弱范德華相互作用,沒有引起與活性材料的粘附。

為了證明CRN中的硫酸鹽官能團(tuán)確實(shí)被電化學(xué)分解,在第一個(gè)和第三個(gè)形成周期中,在半電池中進(jìn)行了電化學(xué)浮充試驗(yàn)(圖1g-j)。在這些浮充測(cè)試中,在每個(gè)電壓水平上施加恒定電位10小時(shí),同時(shí)監(jiān)測(cè)特定的電流。第一個(gè)形成周期的充電過程的特征是ALG基和PVDF基電極都有連續(xù)的無(wú)峰曲線(圖1g)。然而,對(duì)于基于CRN的電極,在4.8 V時(shí)觀察到一個(gè)肩峰(圖1g中的箭頭),這在圖1h的放大圖中更明顯。僅在CRN基電極的曲線上出現(xiàn)這個(gè)肩峰是由于其硫酸鹽官能團(tuán)的氧化分解,而不是與電解質(zhì)分解相關(guān)。在第三個(gè)形成循環(huán)中,所有電極的電流曲線形狀相似(圖1i,j),這表明在初始充電過程中CRN的氧化是不可逆的,之后電極穩(wěn)定。這一結(jié)果與電解質(zhì)添加劑的報(bào)道一致;從CRN中提取的硫酸衍生物在初始充電過程中在LNMO表面形成,一旦在早期循環(huán)中建立了電子絕緣界面層,就不會(huì)被進(jìn)一步氧化。這些一系列的結(jié)果表明,CEI/粘合劑配合物的穩(wěn)定性在第一次循環(huán)中形成,粘合劑在該配合物的穩(wěn)定性中起著至關(guān)重要的作用。

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圖1.CRN、ALG和PVDF聚合物粘合劑的理化和電化學(xué)性質(zhì)。(a) CRN、(b) ALG和(c) PVDF的化學(xué)結(jié)構(gòu)。在原始狀態(tài)下,LNMO表面上的(d) CRN、(e) ALG和(f) PVDF的透射電鏡圖像。紅色虛線表示粘合劑所覆蓋的表面區(qū)域。在(g和h)第一次和(i和j)第三次充電時(shí),CRN、ALG和PVDF基電極的電化學(xué)浮動(dòng)試驗(yàn)周期(h和j)分別由(g和i)中綠色虛線劃分的區(qū)域的擴(kuò)大

圖2a顯示了三組電池在經(jīng)過活化3圈后在1C(1C = 147 mA g?1)和室溫下在3.5-5.0V電位范圍下的循環(huán)性能?;贑RN的電池在循環(huán)性和比容量方面都比基于ALG和PVDF的電池表現(xiàn)出優(yōu)越的性能。基于CRN-、ALG-和PVDF-的電池分別提供了110.7、96.1和112.0mAhg?1,在900次循環(huán)后保留了100.0%、98.6%和75.4%的原始容量。三組電池的平均CEs分別為99.6%、99.6%和99.4%。多糖粘合劑對(duì)LNMO表面的均勻覆蓋可以緩解表面降解,從而更有效地維持循環(huán)。硫酸基分解引起的CEI的離子導(dǎo)電特性使其具有更高的比容量。粘合劑也會(huì)顯著影響倍率性能。在0.1C到5C之間,基于CRN電池的放電容量保持得要高得多(圖2b),明顯利用了其CEI/粘合劑配合物高的鋰離子電導(dǎo)率。例如,在5C時(shí),CRN、ALG和PVDF基細(xì)胞的比容量分別為81.3、59.7和36.3 mAh g?1。通過電化學(xué)阻抗譜(EIS)對(duì)原始狀態(tài)和100個(gè)循環(huán)狀態(tài)的分析,闡明了三組電池之間不同的倍率性能(圖2c,d)。CEI電阻(RCEI)和電荷轉(zhuǎn)移電阻(RCT)與LNMO表面的界面電阻密切相關(guān)。在原始狀態(tài)下(圖2c),CRN基電極比PVDF基電極表現(xiàn)出更高的界面電阻(CRN基和ALG基電極的界面電阻分別為305.0和343.1Ω),而PVDF基電極為139.5 Ω)。經(jīng)過100個(gè)周期后(圖2d),基于CRN的細(xì)胞的RCEI和RCT(4.5和88.9 Ω)分別低于基于ALG電極(分別為7.2和155.1Ω)和基于PVDF的細(xì)胞(分別為64.2和252.9Ω)。這一結(jié)果再次反映了CRN中硫酸鹽基團(tuán)形成的CEI/粘合劑配合物的鋰離子電導(dǎo)率較高。在100次循環(huán)中,PVDF電極的RCEI和RCT均顯著增加,這反映了PVDF覆蓋范圍有限導(dǎo)致界面不穩(wěn)。此外,在0.05到1 mV-1的不同掃描速率下的CV被用來研究鋰離子在LNMO表面的傳輸。鋰離子擴(kuò)散系數(shù)(DLi+)可以從ip和v1/2之間的關(guān)系中提取出來,用如下式表示:

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ip是峰值電流,n是電子反應(yīng)的數(shù)量(n=1),A為電極的表面積,v是掃描速率,CLi+為鋰離子的體積濃度(0.02378 mol cm–3)。利用ip與v1/2圖的斜率,計(jì)算出基于CRN-、ALG-和PVDF-電極的DLi+值分別為2.84×10-10、1.81×10-10、8.98×10-11 cm2s-1(圖2e)。這些結(jié)果與倍率性能和EIS結(jié)果所表現(xiàn)出的趨勢(shì)一致,并歸因于鋰離子通過CRN基電極的鋰離子導(dǎo)電CEI/粘合物的高效遷移。

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圖2. CRN-、ALG-和PVDF-基電極的電化學(xué)性能。(a)在3.5-5.0V(14.7 mA?1)下進(jìn)行900個(gè)循環(huán)的放電容量和CEs。半電池0.1C(14.7 mA g?1)下形成三次循環(huán)。(b)在不同倍率下的倍率性能。奈奎斯特圖在原始狀態(tài)的(c)和100個(gè)循環(huán)后擬合。(e)峰值電流(ip)與CV數(shù)據(jù)中掃描速率(v1/2)的平方根之間的關(guān)系。

圖3a-c分別顯示了CRN-、ALG-和PVDF-基電極在三個(gè)不同循環(huán)階段的F 1s XPS譜:原始階段、三個(gè)形成循環(huán)后和100個(gè)循環(huán)后。在原始狀態(tài)下,CRN-和ALG-基電極沒有觀察到信號(hào);然而,在PVDF基電極中觀察到一個(gè)屬于PVDF的強(qiáng)C-F鍵的峰值。經(jīng)過三個(gè)形成周期后,在基于CRN-和ALG-的電極上觀察到與氟化鋰相關(guān)的峰(圖3a,b),這是由于PF6-陰離子的分解。CRN-電極在687.98 eV處出現(xiàn)了一個(gè)峰值,分配給LiSOxF。通過與商業(yè)LiSO3F的比較,證實(shí)了該峰的存在。相比之下,這些無(wú)機(jī)物的峰在PVDF基電極的光譜上沒有明顯的特征(圖3c)。經(jīng)過100個(gè)循環(huán)后,CRN-和ALG-基電極中的氟化鋰下降(圖3a,b)。CRN-基電極中的LiSOxF也降低,相比之下,PVDF-基的電極在相同的循環(huán)期間,氟化鋰和LixPOyFz均表現(xiàn)出更大的增加(圖3c)??紤]到XPS的探測(cè)深度約為5nm,預(yù)計(jì)在循環(huán)的進(jìn)行,CRN-和ALG-基電極早期形成的氟化鋰逐漸被其他CEI覆蓋。與此相反,在PVDF基電極的情況下,氟化鋰和LixPOyFz都隨著循環(huán)的增加而增加。

在其S 2p XPS結(jié)果中進(jìn)一步捕獲了CRN基電極的CEI特性。在原始狀態(tài)下,觀察到與O-SO3鍵相關(guān)的雙峰峰(171.17和169.97eV)(圖3d),反映了裸CRN中的硫酸鹽基團(tuán)。3個(gè)循環(huán)后,S 2p的LiSOxF峰值和O 1s XPS譜下降,類似于多糖電極的氟化鋰峰,表明這些組分在LNMO表面形成,但在以后的周期中幾乎沒有形成。此外,即使在循環(huán)后,CRN基電極中的硫酸鹽(O-SO3)峰仍然被檢測(cè)到,這意味著CRN中并非所有的硫酸鹽都被消耗掉以形成LiSOxF。二次離子質(zhì)譜飛行時(shí)間(ToF-SIMS)也檢測(cè)到LiSOxF的存在(圖3e,f)。對(duì)離子碎片的質(zhì)譜分析顯示,LiSO3F-(m/z=105.97)和LiSO2F-(m/z=89.98)以負(fù)離子形式存在,作為L(zhǎng)iSOxF的特征。電化學(xué)浮動(dòng)測(cè)試結(jié)果、O 1s、F 1s和S 2p XPS結(jié)果以及ToF-SIMS結(jié)果一致支持我們的觀點(diǎn),即CRN電極中的CEI層包含高壓下CRN硫酸官能團(tuán)分解的LiSOxF。

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圖3.CRN-、ALG-和PVDF基電極中CEI組分的識(shí)別。本研究中(a) CRN-、(b) ALG-和(c)PVDF基電極的F 1s XPS結(jié)果在原始狀態(tài),在0.1C下三次循環(huán),在1C下100次循環(huán)。(d) S 2p XPS結(jié)果在原始狀態(tài)下,在0.1C下三次循環(huán),在1C下100次循環(huán)。(e) LiSO3F?和(f) LiSO2F?二次離子片段在原始狀態(tài)下的ToF-SIMS質(zhì)譜。星號(hào)標(biāo)記的峰代表LiSO3F?(紅色)和LiSO2F?(橙色)離子片段(Li=7.016,S=31.972,O=15.994和F=18.998)的m/z特征值。

追蹤其他陰離子LiSO2F- 和LiF-(m/z=26.00)碎片,作為濺射時(shí)間的函數(shù)(圖4a)。與S 2p XPS結(jié)果一致,LiSO2F- 陰離子片段的強(qiáng)度隨著濺射開始開始增加,40秒后陰離子片段的強(qiáng)度逐漸下降,表明其更集中地存在于CEI內(nèi)部。仔細(xì)觀察,在CRN基電極中,濺射40秒后LiSO2F-陰離子片段的強(qiáng)度高于濺射前(圖4b)。這與基于ALG-和PVDF的電極不同(圖4c,d),它們?cè)谙嗤臑R射時(shí)間內(nèi)的峰值強(qiáng)度幾乎沒有差異。與CEI/粘合物的氟化鋰成分相關(guān)的LiF-陰離子片段的深度剖面也顯示了類似的異常。與基于CRN和ALG的電極不同,其強(qiáng)度在初始40秒內(nèi)增加,然后逐漸下降?;赑VDF的電極中的LiF-的強(qiáng)度從一開始就單調(diào)下降。從三個(gè)電極在0和40秒時(shí)的鋰離子片段的強(qiáng)度曲線上可以明顯地看出這些趨勢(shì)(圖4e-g)。同樣,該陰離子片段的峰值強(qiáng)度與CEI/粘合物內(nèi)部存在的濃縮氟化鋰有關(guān)。ToF-SIMS深度剖面數(shù)據(jù)描繪了一個(gè)關(guān)于CRN基電極的CEI層的一致圖像。也就是說,CEI層的特征是在該層的內(nèi)部形成具有有益的LiF和LiSOxF,這在保護(hù)電極免受有害的副反應(yīng)方面起著重要的作用。根據(jù)目前所得到的分析結(jié)果,三個(gè)電極的CEI層的組成和結(jié)構(gòu)如圖5所示。

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圖4. 無(wú)機(jī)CEI組分在CRN-、ALG-和PVDF-基電極中的不同位置。在0.1C下,三個(gè)粘結(jié)劑電極的LiSO2F?和LiF?二次離子片段的(a) ToF-SIMS深度分布。在0和40秒時(shí),(b) CRN-、(c) ALG-和(d)PVDF電極中LiSO2F?二次離子片段的ToF-SIMS譜。(e) CRN-、(f) ALG-和(g)PVDF基電極中LiF?二次離子片段的ToF-SIMS譜。

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圖5.PVDF-、ALG-和CRN基電極的粘合劑覆蓋范圍和CEI形成的示意圖

在鋰離子擴(kuò)散方面,CRN基電極CEI層內(nèi)部的LiSOxF/LiF的組合組成比ALG基電極CEI層內(nèi)部的LiF更有利。這與CRN基電極優(yōu)越的放電容量和倍率性能相一致。這些比較結(jié)果使我們分別考慮LiSOxF和LiF的鋰離子和反陰離子SOxF?和F?之間的靜電學(xué)。因?yàn)殪o電力會(huì)影響CEI層中鋰離子遷移率。為此,通過密度泛函理論(DFT)計(jì)算,計(jì)算了鋰離子與反陰離子的結(jié)合能(圖6a)。計(jì)算結(jié)果表明,CRN中的硫酸鋰衍生物(LiSO3F和LiSO2F)的結(jié)合能分別為-6.27和-6.59eV,均低于氟化鋰(-8.11eV),說明Li離子相互作用與LiSOxF的陰離子比LiF強(qiáng)。此外,利用固態(tài)7Li核磁共振波譜(7LiNMR)對(duì)商用LiSO3F和氟化鋰進(jìn)行了分析,實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了上述計(jì)算結(jié)果(圖6b)。根據(jù)7Li-NMR分析,LiSO3F的化學(xué)位移(-1.44ppm)低于氟化鋰(-0.85ppm),說明LiSO3F中Li原子附近較高的電子密度進(jìn)一步屏蔽了Li原子的核不受外場(chǎng)的影響。這一結(jié)果與上述DFT計(jì)算結(jié)果相關(guān)聯(lián),即LiSO3F的陰離子與鋰離子的結(jié)合較弱,從而使鋰離子可以更自由地?cái)U(kuò)散。

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圖6. LiF和LiSOxF(x = 2,3)CEI組分的鋰離子結(jié)合親和力。利用GAUSSIAN16軟件包,通過DFT計(jì)算得到LiF和LiSOxF(x = 2,3)的(a) Li離子結(jié)合能。氟化鋰和LiSO3F的(b) 7Li MAS核磁共振譜。

總結(jié)與展望

在這篇文章中,作者通過使用硫酸鹽多糖粘合劑,即CRN,克服了LNMO正極在高電壓下表面降解導(dǎo)致循環(huán)穩(wěn)定性較差的挑戰(zhàn)。這種粘合劑形成CEI/粘合物,通過高壓條件下硫酸鹽基的不可逆氧化分解對(duì)鋰離子具有高導(dǎo)電性。CRN的親水性使其均勻覆蓋LNMO粒子,硫酸鹽基的氧化分解導(dǎo)致CEI/粘合劑復(fù)雜層包含LiSOxF,促進(jìn)鋰離子傳導(dǎo),解決LNMO正極在高倍率和長(zhǎng)循環(huán)條件下的問題。本研究是首次在粘合劑設(shè)計(jì)中演示“電化學(xué)犧牲”概念來控制CEI層?;谕瑯拥脑恚梢钥紤]各種官能團(tuán)來靶向改性鋰離子電池正極,解決界面不穩(wěn)定性帶來的不利影響,使這些電極具有優(yōu)越的電化學(xué)性能。





審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:首爾國(guó)立大學(xué)/韓國(guó)能源研究所Advanced Materials:卡拉膠作為5V高壓LiNi0.5Mn1.5O4正極犧牲粘合劑!

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    的頭像 發(fā)表于 02-12 10:15 ?189次閱讀

    醫(yī)療領(lǐng)域UV的高精度粘合技術(shù)及應(yīng)用前景

    的環(huán)境耐受性,已成為醫(yī)療領(lǐng)域高精度粘合的關(guān)鍵技術(shù)。一、高精度粘合技術(shù)特點(diǎn)UV在液態(tài)時(shí)具有低粘度和優(yōu)異的流動(dòng)性,能夠充分浸潤(rùn)微米級(jí)間隙,實(shí)現(xiàn)正負(fù)2微米內(nèi)的裝配精度控制
    的頭像 發(fā)表于 02-02 16:44 ?331次閱讀
    醫(yī)療領(lǐng)域UV<b class='flag-5'>膠</b>的高精度<b class='flag-5'>粘合</b>技術(shù)及應(yīng)用前景

    STEF4S電子保險(xiǎn)絲:3.3V5V線路的可靠保護(hù)方案

    STEF4S電子保險(xiǎn)絲:3.3V5V線路的可靠保護(hù)方案 作為電子工程師,在設(shè)計(jì)電路時(shí),保護(hù)電子設(shè)備免受各種異常情況的影響是至關(guān)重要的。今天,我們就來詳細(xì)探討一下STEF
    的頭像 發(fā)表于 12-18 17:55 ?655次閱讀

    森利威爾SL3160H DCDC高耐壓10-150V 固定5V輸出 1.5A電流

    與高效輸出 10V-150V超寬工作電壓?:適應(yīng)多種工業(yè)級(jí)電源環(huán)境,無(wú)需額外穩(wěn)壓電路即可直接處理高電壓輸入。 固定5V/1.5A輸出?:內(nèi)置150V
    發(fā)表于 12-03 16:42

    森利威爾SL3160H 輸入10-150V高壓,輸出5V 1.5A電流,電動(dòng)車儀表供電電源IC

    ,大幅簡(jiǎn)化電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 輸出電流高達(dá) 1.5A,固定 5V 輸出電壓,可直接為設(shè)備控制模塊、傳感器、輔助供電電路提供穩(wěn)定電源,輕松滿足備用電源、以太網(wǎng)供電等場(chǎng)景的功率需求。 內(nèi)置 150V
    發(fā)表于 11-19 17:29

    N32 MCU IO 5V 耐壓選型指南

    最大額定值:查看I/O引腳電壓是否標(biāo)注為5.5V?!馡/O結(jié)構(gòu)描述:尋找"5VTolerant"或"FT"等關(guān)鍵字眼。掌握這兩點(diǎn),30秒內(nèi)即可完成MCU的
    的頭像 發(fā)表于 11-04 11:31 ?474次閱讀
    N32 MCU  IO <b class='flag-5'>5V</b> 耐壓選型指南

    220V交流轉(zhuǎn)5V/100mA直流設(shè)計(jì)的降壓芯片PM1132

    以下是關(guān)于220V交流轉(zhuǎn)5V/100mA直流設(shè)計(jì)的降壓芯片PM1132的詳細(xì)解析與設(shè)計(jì)需求整理: PM1132芯片關(guān)鍵特性 輸入/輸出參數(shù) 輸入范圍 :135-38O6-7573-芯片
    發(fā)表于 09-12 09:37

    SL0450HV 80V寬壓電源芯片 降壓12V、5V、3.3V/2A 開關(guān)降壓型轉(zhuǎn)換器

    效率表現(xiàn)?:典型效率達(dá)90.5%(5V輸出/0.5A負(fù)載),輕載時(shí)通過大電感優(yōu)化能效。 2. 集成化設(shè)計(jì)?o 內(nèi)置110mΩ低阻功率開關(guān)管,減少導(dǎo)通損耗。o 固定200kHz開關(guān)頻率
    發(fā)表于 08-20 11:52

    SL3036H寬電壓降壓DC-DC芯片解析:150V內(nèi)置MOS降壓3.3V 5V 12V 24V/1.5A高效電源

    路設(shè)計(jì)詳解以文檔中5V/1.5A輸出電路為例(見附圖):· 關(guān)鍵元件選型?:o 電感L選取47μH低ESR型號(hào),平衡紋波與效率o 電流檢測(cè)電阻R5
    發(fā)表于 08-15 16:09

    LED透鏡粘接UV用于固定和粘合LED透鏡

    :經(jīng)過UV紫外線照射后,LED透鏡粘接UV可以迅速固化,加快生產(chǎn)速度。3.強(qiáng)粘性:LED透鏡粘接UV具有良好的粘附性能,可以牢固地粘合透鏡和基座,不易脫落。4.耐
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:11 ?1250次閱讀
    LED透鏡粘接UV<b class='flag-5'>膠</b>用于固定和<b class='flag-5'>粘合</b>LED透鏡

    202C621-51/86-0直型熱縮護(hù)套現(xiàn)貨庫(kù)存

    202C621-51/86-0直型熱縮護(hù)套是Raychem瑞侃推出的一款高性能熱縮套管,采用高品質(zhì)聚烯烴材料制成,具備直式結(jié)構(gòu)與帶襯里設(shè)計(jì),并應(yīng)用粘合劑預(yù)涂層技術(shù),實(shí)現(xiàn)2:1的收縮比及優(yōu)異的密封性
    發(fā)表于 08-08 09:58

    UV vs 熱熔膠 vs 環(huán)氧:電子工業(yè)粘接材料大比拼

    在現(xiàn)代電子工業(yè)中,粘合劑不僅是產(chǎn)品組裝過程中不可或缺的一環(huán),更是決定產(chǎn)品性能、可靠性和使用壽命的重要因素。隨著電子產(chǎn)品日益微型化、多功能化和高性能化,對(duì)粘合材料的要求也越來越高。UV、熱熔膠和環(huán)氧
    的頭像 發(fā)表于 07-25 17:46 ?1630次閱讀
    UV<b class='flag-5'>膠</b> vs 熱熔膠 vs 環(huán)氧<b class='flag-5'>膠</b>:電子工業(yè)粘接材料大比拼

    5V0.5A非隔離AC-DC方案FT8451H

    深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)5V0.5A非隔離AC-DC方案FT8451H ,原裝現(xiàn)貨 FT8451H 5V500mA 方案設(shè)計(jì)報(bào)告 使用 FT8451H 設(shè)計(jì)的高精度、高效率、低成本的恒壓輸出
    發(fā)表于 06-18 11:02

    MN725-0400.0000壓控聲表面波振蕩器

    。MN725-0400.0000設(shè)計(jì)根據(jù)375 MHz至750 MHz頻率范圍內(nèi)的基本VCSO。特征?低相位噪聲o 1 kHz時(shí)為-109 dBc/Hz?振動(dòng)靈敏度低o每克2 x10-9?密封科瓦包
    發(fā)表于 05-26 09:58

    貼片電容生產(chǎn)工藝流程有哪些?

    ,還需要準(zhǔn)備粘合劑、溶劑等輔助材料。 粉末混合:借助球磨機(jī)將陶瓷粉末、粘合劑和溶劑等按一定比例均勻混合,形成陶瓷漿料。 二、流延與印刷 流延:將陶瓷漿料通過流延機(jī)的澆筑口,使其涂布在繞行的PET膜上,形成一層均勻的漿料
    的頭像 發(fā)表于 04-28 09:32 ?1689次閱讀
    貼片電容生產(chǎn)工藝流程有哪些?