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氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測器研究

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2023-08-07 14:39 ? 次閱讀
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半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石,Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體,GaN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體前景廣闊。Ga2O3是大功率、高效率、特高壓器件的理想選擇,是高靈敏、高響應(yīng)日盲紫外探測器的天然材料。從Ga2O3材料國內(nèi)外發(fā)展形勢來看,Ga2O3產(chǎn)業(yè)化時(shí)間短、技術(shù)差距小、產(chǎn)品應(yīng)用面廣、市場空間巨大。美國、日本已對中國全面禁運(yùn)Ga2O3襯底材料和相關(guān)器件設(shè)備。我國Ga元素儲(chǔ)量豐富,提煉技術(shù)先進(jìn),大尺寸Ga2O3單晶襯底實(shí)現(xiàn)低成本生產(chǎn)。

近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.casmita.com)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦,西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會(huì)、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合(東莞)職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

期間,“平行論壇2:光電子器件及應(yīng)用”上,廈門大學(xué)徐翔宇帶來了“氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測器研究”的主題報(bào)告,報(bào)告分享了高性能Ga2O3光電探測器的性能調(diào)控,以及Al/In合金化薄膜的光電調(diào)控和電子結(jié)構(gòu)的研究進(jìn)展與成果。

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研究顯示,通過對外延薄膜后退火處理,獲得高響應(yīng)度、高探測率的日盲紫外光電探測器,實(shí)現(xiàn)對實(shí)際日盲信號的靈敏響應(yīng)。解釋了器件性能的大幅改善,是受到了由退火引起的缺陷以及表面狀態(tài)變化的共同影響。通過對Ga2O3進(jìn)行Al/In合金化,實(shí)現(xiàn)了大范圍的帶隙調(diào)控,制備出了能夠響應(yīng)全日盲波段的紫外光電探測器,并解釋了合金組分的引入對能帶結(jié)構(gòu)的影響。





審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:廈門大學(xué)徐翔宇:氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測器研究

文章出處:【微信號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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