雙色紅外探測(cè)器可以同時(shí)獲取目標(biāo)和環(huán)境在兩個(gè)波段的輻射特征，從而有效抑制復(fù)雜的背景噪聲，實(shí)現(xiàn)不受環(huán)境制約的紅外探測(cè)，提升目標(biāo)的探測(cè)效果，在預(yù)警、搜索和跟蹤系統(tǒng)中能明顯地降低虛警率，顯著地提高系統(tǒng)性能。目前雙色紅外探測(cè)器的研究主要包括短/中波、中/中波、中/長(zhǎng)波和長(zhǎng)/長(zhǎng)波等。近年來長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色紅外探測(cè)器應(yīng)用研究上取得了較大的發(fā)展，采用的材料主要為二類超晶格與碲鎘汞。與碲鎘汞相比，銻基II類超晶格具有暗電流低、工藝穩(wěn)定性高、材料缺陷少等優(yōu)點(diǎn)，尤其是在長(zhǎng)波和甚長(zhǎng)波波段的應(yīng)用，超晶格展現(xiàn)出了更大的優(yōu)勢(shì)。

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近期，華北光電技術(shù)研究所和中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所的科研團(tuán)隊(duì)在《紅外與毫米波學(xué)報(bào)》期刊上發(fā)表了以“長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色二類超晶格紅外探測(cè)器研究”為主題的文章。該文章第一作者和通訊作者為劉銘研究員，主要從事紅外探測(cè)材料與器件方面的研究工作。

本文報(bào)道了長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色二類超晶格紅外焦平面探測(cè)器組件的研制。通過能帶結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和分子束外延技術(shù)，獲得了表面質(zhì)量良好的長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色超晶格外延材料。突破了長(zhǎng)波超晶格低暗電流鈍化、低損傷干法刻蝕等關(guān)鍵技術(shù)，制備出像元中心距30 μm的320×256長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色I(xiàn)nAs/GaSb超晶格焦平面探測(cè)器芯片。

實(shí)驗(yàn)

器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

為抑制器件的暗電流和雙波段間的光譜串音，本文基于NMIP-PIMN 結(jié)構(gòu)，在兩通道間插入Al0.2Ga0.8Sb勢(shì)壘阻擋電子反向移動(dòng)，移除兩個(gè)p型接觸區(qū)，組成“NMIBIMN”器件結(jié)構(gòu)，通過改變勢(shì)壘區(qū)的摻雜濃度調(diào)整兩個(gè)通道的飽和偏壓和光譜串音，器件結(jié)構(gòu)及能帶如圖1所示。

圖1 長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色器件結(jié)構(gòu)及能帶圖

材料生長(zhǎng)與質(zhì)量表征

文中使用材料采用分子束外延技術(shù)進(jìn)行制備，針對(duì)長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色超晶格材料生長(zhǎng)溫度窗口窄、中間勢(shì)壘區(qū)與超晶格區(qū)生長(zhǎng)溫度相差大（約75 ℃）、長(zhǎng)波吸收區(qū)InSb層厚度大使應(yīng)力大的問題，本文通過調(diào)節(jié)材料的V族III族束流比、襯底溫度、III族元素的源爐溫度、快門開關(guān)順序來保證材料符合器件制備標(biāo)準(zhǔn)。通過能帶模擬，設(shè)計(jì)出短長(zhǎng)波和長(zhǎng)長(zhǎng)波吸收區(qū)分別為10.5 mL InAs/7 mL GaSb和14 mL InAs/7 mL GaSb。根據(jù)已有經(jīng)驗(yàn)，長(zhǎng)波超晶格吸收區(qū)需要更多的InSb平衡應(yīng)力，太多的InSb界面導(dǎo)致外延難度增大。

在GaSb襯底上要實(shí)現(xiàn)共格生長(zhǎng)，1 mL的InAs需要0.1 mL的InSb平衡張應(yīng)力，因此短長(zhǎng)波吸收區(qū)和長(zhǎng)長(zhǎng)波吸收區(qū)各需要1.05 mL和1.4 mL的InSb平衡應(yīng)力?？紤]到界面處存在的部分GaAs，實(shí)際需要的InSb厚度要更多，太多的InSb可能會(huì)導(dǎo)致應(yīng)力釋放，破壞晶格結(jié)構(gòu)。10.5 mL InAs/7 mL GaSb需要1.05 mL InSb平衡應(yīng)力，在InAs onGaSb界面處更容易形成InSb界面。因此在InAs on GaSb界面處生長(zhǎng)0.52 mL InSb，在GaSb on InAs界面處生長(zhǎng)0.53 mL InSb。14 mL InAs/7 mL GaSb需要1.4 mL InSb平衡應(yīng)力，如果采用InSb雙界面，兩邊的InSb厚度為0.7mL，這個(gè)數(shù)值接近晶格弛豫的臨界值，因此采用三界面生長(zhǎng)方式，在InAs on GaSb界面和GaSb on InAs界面處各生長(zhǎng)0.45 mL InSb，并在GaSb層中間位置插入0.5 mL InSb。界面生長(zhǎng)順序如圖2所示。

圖2（a）10.5 mL InAs/7 mL GaS界面生長(zhǎng)順序，（b）14 mL InAs/7 mL GaSb界面生長(zhǎng)順序

為了表征材料質(zhì)量，將外延的長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色超晶格材料進(jìn)行光學(xué)顯微鏡、原子力顯微鏡（AFM）、X射線衍射儀測(cè)試（XRD），表征材料表面形貌和晶格完整性。在外延樣品選取多個(gè)點(diǎn)位進(jìn)行測(cè)試。對(duì)表面缺陷數(shù)量進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，視場(chǎng)長(zhǎng)度和寬度分別為344 nm和245 nm，視場(chǎng)面積為0.08428 cm2。材料表面缺陷密度小于120 cm?2。

圖3 長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色超晶格材料表面形貌（a）樣品#1，（b）樣品#2

圖4為雙色材料的AFM測(cè)試圖像，掃描范圍為10 μm×10 μm，結(jié)果顯示材料表面粗糙度Ra均小于0.2 nm，表面起伏較小，證明了超晶格具有良好的表面質(zhì)量。

圖4 長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色超晶格材料AFM測(cè)試圖像（a）樣品#1，（b）樣品#2

圖5為材料X射線衍射儀的測(cè)試圖譜，材料有多級(jí)衛(wèi)星峰，不同點(diǎn)位衛(wèi)星峰的位置高度重合，吸收區(qū)一級(jí)衛(wèi)星峰半峰寬均小于30 arcsec，應(yīng)力均在200 arcsec以內(nèi)，表明超晶格材料具有良好的生長(zhǎng)周期和晶格質(zhì)量。

圖5 長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色超晶格材料XRD測(cè)試圖譜

根據(jù)材料設(shè)計(jì)，短長(zhǎng)波吸收區(qū)設(shè)計(jì)厚度為56.5395?；長(zhǎng)長(zhǎng)波吸收區(qū)的設(shè)計(jì)厚度為68.2741 ?；M層（18 mL InAs /3 mL GaSb/5 mL AlSb/3 mL GaSb）的設(shè)計(jì)厚度為92.0481 ?。

設(shè)計(jì)吻合度的計(jì)算方法為周期厚度/設(shè)計(jì)厚度，得到M層、長(zhǎng)長(zhǎng)波、短長(zhǎng)波的設(shè)計(jì)吻合度分別為99.29%、99.44%和97.37%。數(shù)據(jù)擬合結(jié)果和詳細(xì)衛(wèi)星峰參數(shù)如下表所示。

通過以上對(duì)外延的長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色超晶格材料的表面形貌、粗糙度和XRD表征，結(jié)果均驗(yàn)證了所生長(zhǎng)的超晶格材料具備較好的晶體質(zhì)量，可以滿足制備焦平面陣列的需求。

器件制備與性能測(cè)試

本文制備的焦平面探測(cè)器芯片陣列規(guī)格為320×256，像元中心距為30 μm×30 μm。芯片的制備工藝流程包括：通過光刻和ICP干法刻蝕形成臺(tái)面結(jié)結(jié)構(gòu)，使像素間產(chǎn)生隔離。采用PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積在臺(tái)面結(jié)的表側(cè)壁覆蓋SiOxNy/SiO?鈍化層。經(jīng)過刻蝕工藝開出電極接觸通孔，通過光刻與電子束蒸發(fā)制備Ti/Pt/Au金屬電極。將制備得的芯片與專用雙色讀出電路通過銦柱倒裝互連，形成混成芯片。再通過低應(yīng)力底部填充與背減薄技術(shù)，減薄襯底，完成長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色超晶格紅外探測(cè)器芯片的制備，芯片實(shí)物和焦平面像元陣列如圖6所示。

圖6 （a）320×256（30 m）長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色超晶格探測(cè)器混成芯片照片，（b）焦平面像元陣列SEM照片

將完成上述工藝的320×256（30 μm）長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色超晶格紅外探測(cè)器芯片進(jìn)行微杜瓦封裝，冷屏F數(shù)為2，制冷至約70 K。將20 ℃黑體和35 ℃黑體先后對(duì)準(zhǔn)測(cè)試窗口，通過焦平面測(cè)試系統(tǒng)采集全面陣各像元的響應(yīng)信號(hào)。設(shè)置積分時(shí)間和調(diào)節(jié)偏置，計(jì)算出探測(cè)器的性能參數(shù)，包括探測(cè)率、盲元率、響應(yīng)非均勻性等。

結(jié)果及分析

電學(xué)特性

采用低溫探針臺(tái)系統(tǒng)（Agilent B1500A）對(duì)InAs/GaSb超晶格長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色探測(cè)器芯片的電學(xué)特性進(jìn)行測(cè)試。光敏元面積為30 μm×30 μm，測(cè)試溫度為77 K。測(cè)試得隨偏壓變化的長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色器件電流密度-電壓（J-V）曲線，并通過計(jì)算得出阻抗面積乘積-電壓（RA-V）曲線如圖7所示。從該圖可以看出，偏壓為-150 mV時(shí)，短長(zhǎng)波二極管暗電流密度為8.2×10?? A/cm2，差分電阻和面積乘積RA值為7.4×10? Ωcm2。偏壓為50 mV 時(shí)，長(zhǎng)長(zhǎng)波二極管暗電流密度為1.2×10?3 A/cm2，RA值為70.3Ωcm2。

光譜響應(yīng)

在70K下通過傅里葉紅外光譜儀（VERTEX 70）與高溫黑體測(cè)試探測(cè)器的光譜響應(yīng)特性。本文像元器件結(jié)構(gòu)為兩個(gè)背靠背的PN結(jié)，通過調(diào)節(jié)整體工作偏壓，實(shí)現(xiàn)雙波段的探測(cè)。偏壓調(diào)節(jié)下焦平面器件的長(zhǎng)波相對(duì)雙色響應(yīng)光譜如圖7所示，其中波段1的50%后截止波長(zhǎng)約為7.7 μm，波段2的后截止波長(zhǎng)約為10.0 μm，體現(xiàn)了組件的長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色紅外探測(cè)功能。根據(jù)相對(duì)光譜串音的定義，計(jì)算得出短長(zhǎng)波向長(zhǎng)長(zhǎng)波的串音為11.8%，長(zhǎng)長(zhǎng)波向短長(zhǎng)波的串音為35.0%。長(zhǎng)長(zhǎng)波在短長(zhǎng)波波段存在較大相對(duì)光譜串音，主要來源于較薄的短長(zhǎng)波吸收層，未被吸收的光子輻射至長(zhǎng)長(zhǎng)波吸收層，被吸收后產(chǎn)生光譜串音。后續(xù)應(yīng)進(jìn)一步增加短長(zhǎng)波波段的吸收區(qū)厚度，或在雙色通道間引入反射光柵，減少輻射至長(zhǎng)長(zhǎng)波通道的短長(zhǎng)波光子數(shù)量。

圖7 J-V和RA-V特性曲線

成像演示

將焦平面器件封裝入微杜瓦，形成制冷型紅外探測(cè)器組件。長(zhǎng)/長(zhǎng)波超晶格焦平面探測(cè)器組件的雙波段成像效果如圖9所示。從圖中可清晰的分辨出人臉、口罩、帽檐等圖像特征，成像效果清晰。組件通過雙色讀出電路實(shí)現(xiàn)信號(hào)提取，雙波段圖像信號(hào)反向。組件測(cè)試結(jié)果為短長(zhǎng)波的平均峰值探測(cè)率達(dá)到8.21×101? cmW?1Hz1/2，NETD 實(shí)現(xiàn)28.8 mK，盲元率為4.17%；長(zhǎng)長(zhǎng)波的平均峰值探測(cè)率達(dá)到6. 15×101? cmW?1Hz1/2，NETD為37.8 mK，盲元率為4.95%；證明了器件具有雙波段探測(cè)信息分辨能力。

圖8 長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色超晶格探測(cè)器光譜響應(yīng)曲線

圖9 雙波段成像演示圖（a）波段1成像圖，（b）波段2 成像圖

結(jié)論

本文報(bào)道了基于雙色疊層超晶格材料的長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色焦平面探測(cè)器。通過分子束外延技術(shù)成功制備了NPN疊層結(jié)構(gòu)的雙色超晶格材料，并由材料表征驗(yàn)證了超晶格晶體質(zhì)量。采用光刻、ICP干法刻蝕、PECVD鈍化等工藝，實(shí)現(xiàn)了320×256規(guī)格、30 μm像元中心距的長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色超晶格焦平面探測(cè)器芯片制備。通過與長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色讀出電路倒裝互連、杜瓦封裝、耦合分體式制冷機(jī)后，形成長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色超晶格紅外焦平面組件。在70K下，通過響應(yīng)光譜測(cè)試，驗(yàn)證了探測(cè)器的長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色探測(cè)功能。組件性能測(cè)試得到，該雙色超晶格焦平面探測(cè)器的雙波段截止波長(zhǎng)分別為7.7 μm和10.0 μm，NETD分別為28.8 mK和37.8 mK，并實(shí)現(xiàn)了清晰的成像演示，為后續(xù)長(zhǎng)/長(zhǎng)波雙色超晶格焦平面探測(cè)器邁向工程化奠定了基礎(chǔ)。

審核編輯：劉清