chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

旭化成旗下Crystal IS宣布生產4英寸氮化鋁單晶襯底

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-08-16 11:08 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據外電eenews報道,日本旭化成子公司Crystal IS在世界上首次成功生產了直徑4英寸(100毫米)的單晶氮化鋁襯底(基板)。

氮化鋁基板具有低缺陷密度、高紫外線透明度和低雜質濃度、超寬帶差距及高熱傳導效率,對uvc led及電力配件等產業(yè)非常有魅力。根據目前uvc紫外線led的需求,4英寸基板的使用率超過80%。

旭化成研究員naohiro kuze博士表示:“此次成果證明,氮化鋁除了uvc led以外,在新的行業(yè)中也具有商業(yè)可能性?!?/p>

1997年成立的Crystal IS一直致力于開發(fā)能夠生產260-270納米波長紫外線led制造用直徑2英寸基板的氮化鋁基板。該公司擁有滿足消費者需求的2英寸生產能力,每年生產數千個2英寸基板。

如果4英寸氮化鋁基板成功實現商用化批量生產,該公司將產量翻一番。隨著生產能力的提高,可以整合到電力和無線頻率要素的生產中,基于氮化鋁的新應用產品也將問世。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • led
    led
    +關注

    關注

    243

    文章

    24427

    瀏覽量

    687105
  • 紫外線
    +關注

    關注

    1

    文章

    379

    瀏覽量

    22037
  • 熱傳導
    +關注

    關注

    2

    文章

    43

    瀏覽量

    12697
  • 氮化鋁基板
    +關注

    關注

    0

    文章

    15

    瀏覽量

    8083
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    TE Connectivity RA73系列氮化鋁薄膜精密電阻器技術分析

    TE Connectivity/Holsworthy RA73氮化鋁 (Al2N3) 薄膜精密電阻器是一款高穩(wěn)定性片式電阻器,具有非常高的功率尺寸比(0805尺高達1W)。RA73電阻器的電阻溫度
    的頭像 發(fā)表于 11-09 11:50 ?625次閱讀

    加速!12英寸碳化硅襯底中試線來了!

    電子發(fā)燒友網綜合報道 12英寸碳化硅再迎來跨越式進展!9月26日,晶盛機電宣布,首條12英寸碳化硅襯底加工中試線在晶盛機電子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通線,至此,浙江晶瑞Supe
    的頭像 發(fā)表于 09-29 08:59 ?4445次閱讀

    12英寸碳化硅襯底,會顛覆AR眼鏡行業(yè)?

    電子發(fā)燒友網報道(文/梁浩斌)今年以來,各家廠商都開始展示出12英寸SiC產品,包括晶錠和襯底,加速推進12英寸SiC的產業(yè)化。最近,天成半導體宣布成功研制出12
    的頭像 發(fā)表于 07-30 09:32 ?1.1w次閱讀

    從氧化鋁氮化鋁:陶瓷基板材料的變革與挑戰(zhàn)

    )和氮化硅(Si3N4)。這些材料各具特色,適用于不同的應用場景,下面由深圳金瑞欣小編講解一下它們性能的詳細對比分析。 不同陶瓷材料性能對比如下: 氧化鋁(Al2O3) ? 氧化鋁陶瓷
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:53 ?1193次閱讀
    從氧<b class='flag-5'>化鋁</b>到<b class='flag-5'>氮化鋁</b>:陶瓷基板材料的變革與挑戰(zhàn)

    12英寸SiC,再添新玩家

    科晶體也宣布成功研制差距12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底,并同期研制成功12英寸N型碳化硅單晶
    的頭像 發(fā)表于 05-21 00:51 ?7128次閱讀

    12英寸碳化硅襯底,又有新進展

    電子發(fā)燒友網報道(文/梁浩斌)近日,由西湖大學孵化的西湖儀器成功實現12英寸碳化硅襯底激光剝離自動化解決方案,大幅降低損耗,提升加工速度,推進了碳化硅行業(yè)的降本增效。 ? 碳化硅產業(yè)當前主流的晶圓
    的頭像 發(fā)表于 04-16 00:24 ?2671次閱讀

    我國首發(fā)8英寸氧化鎵單晶,半導體產業(yè)迎新突破!

    2025年3月5日,杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導體”)宣布,成功發(fā)布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標志著我國在超寬禁帶半導體領域取得了國際領先地位,也為我國
    的頭像 發(fā)表于 03-07 11:43 ?2197次閱讀
    我國首發(fā)8<b class='flag-5'>英寸</b>氧化鎵<b class='flag-5'>單晶</b>,半導體產業(yè)迎新突破!

    氮化鋁陶瓷基板:高性能電子封裝材料解析

    系統(tǒng))以及高溫穩(wěn)定(如航空航天和工業(yè)設備)等領域。生產工藝包括原料制備、成型、燒結和后處理等步驟,原料純度是關鍵。氮化鋁陶瓷基板市場需求不斷增加,未來發(fā)展趨勢是更高性能、更低成本和更環(huán)保。作為現代電子工業(yè)中的重要材料,氮化鋁陶瓷
    的頭像 發(fā)表于 03-04 18:06 ?1444次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化鋁</b>陶瓷基板:高性能電子封裝材料解析

    環(huán)球晶宣布:6英寸碳化硅襯底價格趨于穩(wěn)定

    的前景似乎更為樂觀。 報道指出,2024年市場供過于求影響全球SiC行業(yè),價格跌破生產成本,擾亂了全球供應鏈。徐秀蘭透露,價格已暴跌超過50%,達到前所未有的低點。盡管6英寸SiC襯底價格現已穩(wěn)定,但短期內復蘇尚不明顯。 此前有
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:35 ?872次閱讀

    第四代半導體新進展:4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜

    生長4英寸導電型氧化鎵單晶仍沿用了細籽晶誘導+錐面放肩技術,籽晶與晶體軸向平行于[010]晶向,可加工4英寸(010)面
    發(fā)表于 02-17 09:13 ?1218次閱讀

    鎵仁半導體成功實現VB法4英寸氧化鎵單晶導電摻雜

    VB法4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜 2025年1月,杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導體”)基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優(yōu)化,采用垂直布里奇曼(VB)法成功實現4
    的頭像 發(fā)表于 02-14 10:52 ?798次閱讀
    鎵仁半導體成功實現VB法<b class='flag-5'>4</b><b class='flag-5'>英寸</b>氧化鎵<b class='flag-5'>單晶</b>導電摻雜

    豐田合成開發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓

    近日,日本豐田合成株式會社宣布了一項重大技術突破:成功開發(fā)出用于垂直晶體管的200mm(8英寸氮化鎵(GaN)單晶晶圓。
    的頭像 發(fā)表于 01-23 16:46 ?1174次閱讀

    揭示電子行業(yè)中氮化鋁的3個常見誤區(qū)

    雖然早在1862年就首次開發(fā)了氮化鋁(AIN),但直到20世紀80年代,其在電子行業(yè)中的潛力才被真正認識到。經過幾年的發(fā)展,氮化鋁憑借其獨特的特性,成為下一代電力電子設備(如可再生能源系統(tǒng)和電動汽車
    的頭像 發(fā)表于 01-22 11:02 ?1134次閱讀
    揭示電子行業(yè)中<b class='flag-5'>氮化鋁</b>的3個常見誤區(qū)

    不同的氮化襯底的吸附方案,對測量氮化襯底 BOW/WARP 的影響

    在當今高速發(fā)展的半導體產業(yè)浪潮中,氮化鎵(GaN)襯底宛如一顆耀眼的新星,憑借其卓越的電學與光學性能,在眾多高端芯片制造領域,尤其是光電器件、功率器件等方向,開拓出廣闊的應用天地。然而,要想充分發(fā)揮
    的頭像 發(fā)表于 01-17 09:27 ?420次閱讀
    不同的<b class='flag-5'>氮化</b>鎵<b class='flag-5'>襯底</b>的吸附方案,對測量<b class='flag-5'>氮化</b>鎵<b class='flag-5'>襯底</b> BOW/WARP 的影響

    日本開發(fā)出用于垂直晶體管的8英寸氮化單晶晶圓

    工藝的橫向晶體管相比,采用氮化單晶構建垂直晶體管可提供更高密度的功率器件,可用于 200mm 和 300mm 晶圓。然而,制造尺寸大于4英寸的GaN
    的頭像 發(fā)表于 01-09 18:18 ?1276次閱讀