chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

華為公開“集成電路及其制作方法、場效應晶體管”專利

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-08-23 10:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

華為科技有限公司近日新增多項專利信息,其中一項專利名稱為“一種集成電路及其制作方法、場效應晶體管”,公開編號為cn116636017a。

wKgZomTlaT-AHROkAAHC-s9qH64556.png

根據(jù)專利摘要,本申請?zhí)峁┘呻娐芳夹g領域,場效應晶體管,可以簡化集成電路的制造過程,降低生產(chǎn)費用。集成電路由設置在基板和基板上的finfet組成。gaafet和/或forksheet fet;finfet包含第一個聲道層。第一聲道層包括層層交替的第一半導體層和第二半導體層。第一半導體層的材料和第二半導體層的材料不同。gaafet和/或forksheet fet包含第二聲道層。第二聲道層包括層層交替的第三半導體層和控制層??刂茖影艠O延長部和設置在柵極延長部側面的第一個網(wǎng)格介質層。柵極的延長部分與第二柵極接觸。其中多層的第一半導體層與多層的第三半導體層相對應,多層的第一半導體層中的一層與多層的第三半導體層相對應的一層屬于同一圖案的一層。

據(jù)了解,截至2022年底,華為擁有有效授權專利超過12萬項,主要分布在中國、歐洲、美洲、亞太、中東、非洲。華為在中國和歐洲分別擁有4萬多項專利,在美國擁有22000多項專利。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 集成電路
    +關注

    關注

    5441

    文章

    12339

    瀏覽量

    371501
  • 場效應晶體管

    關注

    6

    文章

    400

    瀏覽量

    20283
  • FinFET
    +關注

    關注

    12

    文章

    258

    瀏覽量

    91890
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    半導體器件控制機理:MOS場效應晶體管導通機制探析

    在微電子系統(tǒng)中,場效應晶體管通過柵極電位的精確調控實現(xiàn)對主電流通路的智能管理,這種基于電位差的主控模式使其成為現(xiàn)代電路中的核心調控元件。實現(xiàn)這種精密控制的基礎源于器件內部特殊的載流子遷移機制與電場調控特性。
    的頭像 發(fā)表于 06-18 13:41 ?463次閱讀

    無結場效應晶體管器件的發(fā)展歷程

    2010年,愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結場效應晶體管,器件結構如圖1.15所示。從此,半導體界興起了一股研究無結場效應晶體管的熱潮,每年的國際
    的頭像 發(fā)表于 05-19 16:08 ?475次閱讀
    無結<b class='flag-5'>場效應晶體管</b>器件的發(fā)展歷程

    無結場效應晶體管詳解

    當代所有的集成電路芯片都是由PN結或肖特基勢壘結所構成:雙極結型晶體管(BJT)包含兩個背靠背的PN 結,MOSFET也是如此。結型場效應晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個 PN結,隧道穿透
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?755次閱讀
    無結<b class='flag-5'>場效應晶體管</b>詳解

    結型場效應晶體管的結構解析

    結型場效應晶體管(Junction Field-Effect Transistor, JFET)是在同一塊 N型半導體上制作兩個高摻雜的P區(qū),并將它們連接在一起,所引出的電極稱為柵極(G),N型半導體兩端分別引出兩個電極,分別稱為漏極(D)和源極(S),如圖 1.11所示
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:19 ?1576次閱讀
    結型<b class='flag-5'>場效應晶體管</b>的結構解析

    TC1201低噪聲和中功率GaAs場效應晶體管規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TC1201低噪聲和中功率GaAs場效應晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-17 17:15 ?0次下載

    LT1541SIJ P溝道增強型場效應晶體管數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1541SIJ P溝道增強型場效應晶體管數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-07 11:33 ?1次下載

    LT1756SJ N溝道增強型場效應晶體管規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1756SJ N溝道增強型場效應晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-05 17:29 ?0次下載

    LT1729SI P溝道增強型場效應晶體管規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1729SI P溝道增強型場效應晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-04 18:05 ?0次下載

    LT1728SJ P溝道增強型場效應晶體管規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1728SJ P溝道增強型場效應晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-04 18:02 ?0次下載

    LT1725SI P溝道增強型場效應晶體管規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1725SI P溝道增強型場效應晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-04 16:32 ?0次下載

    鰭式場效應晶體管制造工藝流程

    FinFET(鰭式場效應晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進的晶體管架構,旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統(tǒng)的平面晶體管
    的頭像 發(fā)表于 02-17 14:15 ?1865次閱讀
    鰭式<b class='flag-5'>場效應晶體管</b>制造工藝流程

    Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應晶體管的高級SPICE模型

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 02-13 15:23 ?6次下載
    Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)<b class='flag-5'>場效應晶體管</b>的高級SPICE模型

    互補場效應晶體管的結構和作用

    隨著半導體技術不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場效應晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環(huán)繞柵或圍柵(GAA
    的頭像 發(fā)表于 01-24 10:03 ?3902次閱讀
    互補<b class='flag-5'>場效應晶體管</b>的結構和作用

    一文解析現(xiàn)代場效應晶體管(FET)的發(fā)明先驅

    朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請的專利場效應晶體管奠定了理論基礎。 雖然第一個工作的場效應晶體管(FET)直到1945年才出現(xiàn),但這個想法早在近20年前,即朱利葉斯·埃德加·利利恩
    的頭像 發(fā)表于 01-23 09:42 ?1106次閱讀
    一文解析現(xiàn)代<b class='flag-5'>場效應晶體管</b>(FET)的發(fā)明先驅

    N通道和P通道場效應晶體管(FET)之間的區(qū)別是什么?

    晶體管是現(xiàn)代電子電路中至關重要的半導體器件。它們可以執(zhí)行兩種主要功能。首先,作為其真空管前身三極晶體管可以放大電信號。其次,晶體管可以作
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:58 ?2378次閱讀
    N通道和P通道<b class='flag-5'>場效應晶體管</b>(FET)之間的區(qū)別是什么?