華為科技有限公司近日新增多項(xiàng)專利信息，其中一項(xiàng)專利名稱為“一種集成電路及其制作方法、場(chǎng)效應(yīng)晶體管”，公開(kāi)編號(hào)為cn116636017a。

根據(jù)專利摘要，本申請(qǐng)?zhí)峁┘呻娐芳夹g(shù)領(lǐng)域，場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可以簡(jiǎn)化集成電路的制造過(guò)程，降低生產(chǎn)費(fèi)用。集成電路由設(shè)置在基板和基板上的finfet組成。gaafet和/或forksheet fet;finfet包含第一個(gè)聲道層。第一聲道層包括層層交替的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層。第一半導(dǎo)體層的材料和第二半導(dǎo)體層的材料不同。gaafet和/或forksheet fet包含第二聲道層。第二聲道層包括層層交替的第三半導(dǎo)體層和控制層?？刂茖影艠O延長(zhǎng)部和設(shè)置在柵極延長(zhǎng)部側(cè)面的第一個(gè)網(wǎng)格介質(zhì)層。柵極的延長(zhǎng)部分與第二柵極接觸。其中多層的第一半導(dǎo)體層與多層的第三半導(dǎo)體層相對(duì)應(yīng)，多層的第一半導(dǎo)體層中的一層與多層的第三半導(dǎo)體層相對(duì)應(yīng)的一層屬于同一圖案的一層。

據(jù)了解，截至2022年底，華為擁有有效授權(quán)專利超過(guò)12萬(wàn)項(xiàng)，主要分布在中國(guó)、歐洲、美洲、亞太、中東、非洲。華為在中國(guó)和歐洲分別擁有4萬(wàn)多項(xiàng)專利，在美國(guó)擁有22000多項(xiàng)專利。