鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電存儲器不需要定時(shí)刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對寫入時(shí)間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場合，而且與其MCU接口電路簡單，應(yīng)用方便，本文介紹了國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在其多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用。

鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點(diǎn)眾多：非易失性，寫入速度快，無限次寫入，最關(guān)鍵是用一個(gè)鐵電存儲器可取代原MCU需配置的2~3個(gè)不同的存儲器，統(tǒng)一的存儲器架構(gòu)使用戶在成本和靈活性上獲益。

例如在設(shè)計(jì)的碳控儀系統(tǒng)中，由于對控制碳勢適時(shí)性的要求較高，而且系統(tǒng)由2個(gè)子系統(tǒng)構(gòu)成，每個(gè)子系統(tǒng)都要頻繁讀寫存儲器，所以把原來的存儲器換成鐵電存儲器才得以滿足系統(tǒng)要求。

傳感器網(wǎng)一般都在室外或野外，電源條件差，功耗要求苛刻，最好能一塊電池支持設(shè)備整個(gè)生命周期，來從外界采集能量。而且實(shí)時(shí)采集到的更多數(shù)據(jù)要求內(nèi)存擦寫次數(shù)更多，對FLASH的壽命是個(gè)挑戰(zhàn)，而鐵電讀寫速度比閃存提升100倍，而功耗節(jié)省250倍。

鐵電存儲器PB85RS2MC性能特征：

?容量：2M bit，接口類型：SPI接口(模式0和模式3)

?工作電壓：2.7伏至3.6伏，工作頻率：25兆赫茲

?功耗：4.8毫安（25兆赫茲），待機(jī)功耗9微安

?高速讀特性：支持40MHz高速讀命令

?工作環(huán)境溫度范圍：-40℃至85℃

?封裝形式：8引腳SOP寬體208mil封裝，符合RoHS

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