PMOS二極管連接和NMOS二極管連接做負(fù)載的區(qū)別是什么？

PMOS二極管和NMOS二極管都是基礎(chǔ)電子元件，用于構(gòu)建各種電路，包括邏輯門、放大器、時(shí)鐘電路和計(jì)時(shí)器。雖然它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)上有所不同，但都有兩個(gè)特定的部分，稱為源和漏，它們的連接方式取決于所需的負(fù)載類型。

NMOS二極管連接的負(fù)載特點(diǎn)
在NMOS二極管中，源和漏之間形成的加速度與在其上形成的電流呈負(fù)相關(guān)關(guān)系。因此，在連接負(fù)載時(shí)，可以將負(fù)載電阻直接接在NMOS的漏極和交流地上，這種電路稱為共源負(fù)載。由此產(chǎn)生的負(fù)載是高電阻，低速度的，且曲線變化被限制在負(fù)載的范圍內(nèi)。

NMOS二極管常用的三種負(fù)載類型：
1. 共源負(fù)載：電路中的NMOS二極管作為放大器，負(fù)載電阻直接接在漏極和交流地之間，將信號(hào)輸入源接在柵極上，輸出將從NMOS的漏極中采集。
2. 共漏負(fù)載：該負(fù)載類型具有較高的增益、較好的線性度，輸出是由源極提供的，在輸入阻抗和輸出阻抗之間，具有較高的輸出電阻。
3. 共柵負(fù)載：NMOS二極管中的負(fù)載將電路的輸入分割成兩部分，一部分通過柵極反向流回，一部分通過漏極進(jìn)入基本電路，這種電路用于極高增益的放大器和濾波器。

PMOS二極管連接的負(fù)載特點(diǎn)
在PMOS二極管中，源和漏之間形成的加速度與在其上形成的電流成正相關(guān)關(guān)系。因此，在連接負(fù)載時(shí)，將負(fù)載電阻直接接在PMOS的源極和正級(jí)上，這種電路稱為共漏負(fù)載。由此產(chǎn)生的負(fù)載是低電阻、高速度和高穩(wěn)定性的，輸出不會(huì)因負(fù)載的變化而改變。

PMOS二極管常用的三種負(fù)載類型：
1. 共漏負(fù)載：PMOS二極管中的核心負(fù)載電阻直接連接到源級(jí)和正級(jí)上，輸入信號(hào)直接到達(dá)柵級(jí)，輸出信號(hào)從漏級(jí)電壓中提取。
2. 共源負(fù)載：將負(fù)載電阻接在柵級(jí)和地之間，將輸入信號(hào)連接到源級(jí)，輸出信號(hào)從負(fù)載電阻處提取，通常用于高增益的電路。
3. 表演型電路：PMOS二極管中負(fù)載的電阻形成一個(gè)恒定的電壓，它基本上不受負(fù)載的變化的影響，可追蹤負(fù)載的變化。

根據(jù)上述分析可知，PMOS二極管和NMOS二極管連接負(fù)載的區(qū)別主要在于源、漏之間的加速度與電流之間的關(guān)系。在NMOS二極管中，加速度與電流呈負(fù)相關(guān)關(guān)系，因此需要連接共源負(fù)載，而在PMOS二極管中，加速度與電流呈正相關(guān)關(guān)系，因此連接共漏負(fù)載更符合實(shí)際應(yīng)用的要求，實(shí)現(xiàn)更好的性能和更高的穩(wěn)定性。