運(yùn)放741采用金屬罐裝，用鋼鋸可以打開。然后使用金相顯微鏡，它通過鏡頭從上方發(fā)出光線，在高放大倍率下可以獲得較清晰的照片，這樣就可以觀察元器件的細(xì)節(jié)。下面是運(yùn)放741的電路圖，對(duì)照電路圖，可以看芯片在顯微鏡下面的各個(gè)元器件的分布情況：

在芯片上面的NPN管長成下面的樣子?！癊”下方的垂直橫截面，可以看到發(fā)射極 (E) 線連接至N+型半導(dǎo)體。下面是連接到基極 (B) 的P層。下面是一個(gè)N+ 層（間接）連接到集電極 (C)。晶體管被P+填充包圍，將其與相鄰組件隔離：

比如Q8/Q9，它們的基極在一起：

輸出晶體管比其他晶體管更大，并且具有不同的結(jié)構(gòu)，以產(chǎn)生高電流輸出。與內(nèi)部晶體管的微安相比，輸出晶體管必須支持25mA。如Q20晶體管。注意發(fā)射極和基極的多個(gè)互鎖“手指”，被大集電極包圍。

電阻是模擬芯片的關(guān)鍵元件。不幸的是，IC中的電阻非常不準(zhǔn)確。不同芯片的電阻可能有50%的差異。因此，模擬IC的設(shè)計(jì)只考慮電阻的比率，而不是絕對(duì)值，因?yàn)樾酒c芯片之間的比率幾乎保持恒定。電阻可能采用不同的技術(shù)形成。比如R5由一條蜿蜒的P型半導(dǎo)體構(gòu)成，約為39KΩ。R4是夾阻[pinch]電阻，大約50KΩ。在夾阻電阻中，頂部的一層N型半導(dǎo)體使導(dǎo)電區(qū)域變得更薄（即擠壓它）。對(duì)于給定尺寸，這允許更高的電阻。夾阻電阻的精確度要低得多。

電容器C1本質(zhì)上是一塊大金屬板，通過絕緣層與硅隔離。IC上的電容器的主要缺點(diǎn)是它們的體積非常大。C1是25pF，非常小，但占據(jù)了芯片面積的很大一部分，是芯片上最大的結(jié)構(gòu)。

電流鏡在IC上面的分布：

差分電路的關(guān)鍵是頂部的電流源提供固定電流I，該電流在兩個(gè)輸入晶體管之間分配。如果輸入電壓相等，電流將平均分配到兩個(gè)支路（I1 和I2）。如果一個(gè)輸入電壓比另一個(gè)高一點(diǎn)，相應(yīng)的晶體管將傳導(dǎo)更多的電流，因此一個(gè)分支獲得更多的電流，而另一個(gè)分支獲得更少的電流。隨著一個(gè)輸入繼續(xù)增加，更多的電流被拉入該分支。因此，差分電路根據(jù)輸入電壓的差異來路由電流。

差分放大器的輸出進(jìn)入第二（增益）級(jí)，提供信號(hào)的額外放大。最后，輸出級(jí)具有大晶體管來產(chǎn)生高電流輸出，該輸出被送到輸出引腳。