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過壓的常見來源 常用的過電壓保護方法

CHANBAEK ? 來源:硬件系統(tǒng)架構(gòu)師 ? 作者:Timothy ? 2023-10-26 14:51 ? 次閱讀
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引言:每個電子元器件都都有其額定電壓,任何高于額定最大電壓的電壓都會導(dǎo)致器件損壞或降低其性能,從而導(dǎo)致系統(tǒng)故障。因此通過增加過壓保護來避免器件承受這些更高的電壓,基本核心是將這過電壓與下游設(shè)備隔離,或?qū)⑤敵鲢Q位到一個安全電壓。

1.過壓的常見來源

施加于電子元器件的過電壓可能超過其內(nèi)部器件結(jié)構(gòu)的雪崩擊穿電壓,從而導(dǎo)致電流過大,這種過度的電流會嚴重削弱、損壞整個器件或使器件過熱。

對低功耗和低成本的需求的增加推動了技術(shù)的改進,許多半導(dǎo)體器件現(xiàn)在在較低的電壓范圍內(nèi)運行。降低單個器件的電壓可以降低系統(tǒng)的整體功耗,從而提高電池壽命,提高效率,并間接降低成本(系統(tǒng)耗電更少),此外低壓器件的制造成本比高壓器件更低。然而隨著功率效率的提高和成本的降低,也帶來了一個副作用--->增加了器件對過電壓條件的敏感性。

過電壓有兩種類型:瞬態(tài)過電壓和連續(xù)過電壓,瞬態(tài)過電壓通常是由靜電放電ESD、瞬態(tài)電變化、熱插拔等產(chǎn)生的電壓振鈴或來自附近電源轉(zhuǎn)換器的感應(yīng)開關(guān)浪涌引起的。瞬態(tài)過電壓可以接近千伏,但通常持續(xù)時間很短,例如ESD事件可以持續(xù)60-100ns,而浪涌事件可以持續(xù)約20us。室外的電信設(shè)備可能暴露在閃電沖擊中--->另一種形式的瞬態(tài)過電壓,浪涌脈沖可以比常規(guī)電壓高一個數(shù)量級。這些系統(tǒng)需要特殊的保護要求,因為閃電瞬變的強度和持續(xù)時間都更為嚴重。

連續(xù)過電壓是指長時間持續(xù)存在的過電壓狀態(tài)和無限期的應(yīng)激系統(tǒng),上游電源、電壓調(diào)節(jié)器、轉(zhuǎn)換器故障或?qū)⒉患嫒莸倪m配器插入系統(tǒng),都可能導(dǎo)致連續(xù)過電壓。

2. 常用的過電壓保護方法

對于以上兩種類型的過電壓,有幾種不同的過電壓保護拓撲結(jié)構(gòu)。

對瞬態(tài)過電壓條件的保護

由于瞬態(tài)過電壓條件的持續(xù)時間較短,因此任何保護方案的響應(yīng)時間都必須足夠快,以盡量減少下游電路受應(yīng)力時間。ESD二極管、瞬態(tài)電壓抑制器TVS管和齊納二極管可以將瞬態(tài)過電流引導(dǎo)到地平面,并箝位瞬態(tài)過電壓,使下游負載保持在安全工作區(qū)域內(nèi)。

金屬氧化物電敏電阻MOVs也可以抑制瞬態(tài)過電壓,比ESD二極管、TVSs和Zener二極管能吸收更多的能量,但響應(yīng)時間較慢。TVS可以在ns內(nèi)響應(yīng),而MOV在us內(nèi)響應(yīng),因此ESD二極管和TVS被用于低壓電路,而MOV為交流電源或高壓直流級提供更好的保護。

防止連續(xù)過電壓條件

雖然瞬態(tài)過電壓保護方案可以快速響應(yīng)瞬態(tài)過電壓,但它們不適合連續(xù)過電壓狀況,連續(xù)過電壓特點是持續(xù)時間更長。畢竟MOV、ESD二極管、TVS和Zener在失效前只能鉗制和耗散一定數(shù)量的能量。為了防止連續(xù)過電壓,有兩種常見的方法:過電壓鎖定和過壓箝位。

過電壓鎖定

過電壓鎖定(也稱為輸出電壓截止)是兩者中更簡單和更常見的保護方案,具有過電壓鎖定功能的電源開關(guān)通常有一個OVLO引腳,通過一個可配置的電阻分壓器監(jiān)測輸入電壓軌。一旦OVLO引腳的電壓超過一定閾值,內(nèi)部比較器關(guān)閉通過MOSFET,圖4-1是過電壓鎖定電路實現(xiàn)的典型簡圖。

圖片

圖4-1:過電壓鎖定方框圖

對于連續(xù)過電壓保護,需要更快的響應(yīng)時間和穩(wěn)健的保護,以確保下游負載不會長時間暴露在過電壓環(huán)境下。例如eFuse可以對3us范圍內(nèi)的過電壓條件進行響應(yīng)。只要輸入電壓超過設(shè)定的過電壓鎖定閾值,過電壓鎖定電源開關(guān)就將保持關(guān)閉狀態(tài),一旦輸入電壓降到閾值以下,開關(guān)就會重新打開。

圖4-2顯示了eFuse的過電壓鎖定操作。過電壓鎖定設(shè)定點為17V,對12V標稱工作電壓施加18V的過電壓。一旦輸入電壓上升到設(shè)定的閾值以上,內(nèi)部場效應(yīng)晶體管FET就會關(guān)閉,Vout緩慢下降,在FET關(guān)閉后,F(xiàn)LT會發(fā)出故障信號。

圖片

圖4-2:eFuse的過電壓鎖定響應(yīng)

過電壓鉗位

當(dāng)系統(tǒng)中出現(xiàn)短暫過電壓情況時,過電壓鉗位是另一種響應(yīng)保護方式,在短暫過壓事件期間,有的系統(tǒng)需要持續(xù)保持工作,所以最好不要中斷下游負載,此時過電壓鉗位功能可以將輸出電壓夾在一個安全水平,而不是切斷系統(tǒng)電壓。在以下場景,可能會發(fā)生臨時過電壓:

1:上游低開關(guān)頻率DC/DC轉(zhuǎn)換器的負載突然跌落(波動)。

2:上游DC/DC轉(zhuǎn)換器在輕負載下以脈沖頻率調(diào)制工作。

3:負載由多輸出反激式轉(zhuǎn)換器的不受調(diào)節(jié)的次級繞組供電。

這些事件的持續(xù)時間可以從幾十us到數(shù)百us不等。

當(dāng)輸入電壓超過某一閾值時,內(nèi)部鉗位激活并將輸出電壓限制在設(shè)定值,如圖4-3所示,從而確保了電源在仍然為負載供電的同時,系統(tǒng)不會暴露在輸入電源處存在的高電壓下。

圖片

圖4-3:過壓鉗位方框圖

只要在輸入上存在過電壓,輸出電壓將被鉗位到設(shè)定值,當(dāng)輸入下降到輸出箝位閾值以下時,箝位將釋放并繼續(xù)正常工作。在輸入過電壓條件下,調(diào)節(jié)MOSFET的柵極以降低額外的電壓并箝位輸出電壓。MOSFET中的功耗是通過它的電壓降與流過的電流的乘積,如下式所示:

圖片

輸入過電壓和負載電流越高,為保持輸出電壓恒定,在MOSFET中耗散的功率就越高,因此內(nèi)部MOSFET可能會有明顯的發(fā)熱和器件結(jié)溫升高。如果過電壓狀態(tài)持續(xù)存在,可能會發(fā)生熱關(guān)斷,即器件停止工作并斷開電源上的負載,此時器件將保持閉鎖狀態(tài)或啟動自動重試循環(huán)直到溫度降低。

此外快速反應(yīng)有可能降低或消除對外部TVS和齊納二極管等器件保護的依賴,例如具有快速過壓保護的eFuse的輸出鉗位響應(yīng)時間為5us。圖4-4顯示了快速eFuse的過壓鉗位工作波形,該系統(tǒng)的過壓鉗值設(shè)置為5.7V,對5V標稱工作電壓施加8V的過電壓,一旦輸入電壓超過5.7V閾值,則調(diào)節(jié)內(nèi)部FET的柵極以鎖定輸出電壓在5.7V。

圖片

圖4-4:具有快速過壓保護的eFuse過壓鉗位響應(yīng)

3. 結(jié)論

為了可靠地保護電源傳輸路徑,過電壓保護非常重要,不同的系統(tǒng)測試用例要求在過電壓條件下有不同的響應(yīng),如過電壓鎖定或過電壓箝位。而具有集成過電壓保護的eFuse器件則提供了靈活、快速和緊湊的保護方案。

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