瑞能半導(dǎo)體推出SiC晶圓系列產(chǎn)品

分為SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列

下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹~

01問

瑞能的SiC MOSFET系列產(chǎn)品有哪些優(yōu)勢呢?

以12mΩ/1200V為代表的瑞能第二代平面柵碳化硅 MOSFET為例，將分為以下4點為您詳細(xì)解讀~

答

Part.1

在晶圓設(shè)計上通過優(yōu)化JFET寬度、源極接觸區(qū)寬度等關(guān)鍵參數(shù)，采用更小的元胞尺寸，結(jié)合瑞能先進(jìn)的SiC晶圓減薄技術(shù)，顯著提高了芯片單位面積的通流能力。

Part.2

工藝上持續(xù)優(yōu)化CSL（電流擴(kuò)展層）和外延層摻雜濃度、采用更薄的柵極氧化層結(jié)合柵氧氮化、溝道自對準(zhǔn)等先進(jìn)工藝，進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻，在幾乎不增加工藝制造成本的同時，帶來極低的Ron,sp(比導(dǎo)通電阻率)。

Part.3

瑞能SiC MOSFET的通態(tài)電阻隨溫度變化較小，在175℃結(jié)溫時，導(dǎo)通阻抗仍可以保持在較低水平，該特性可以提升高溫系統(tǒng)效率，降低器件選型余量，在較高應(yīng)用環(huán)境溫度下仍保持出色性能。

Part.4

瑞能SiC MOSFET命名規(guī)則標(biāo)注在15V門極驅(qū)動電壓下的Rdson，提供在較低門極驅(qū)動電壓下工作的可能性，更容易在傳統(tǒng)設(shè)計中直接導(dǎo)入替換，并且SiC MOSFET產(chǎn)品經(jīng)過了門極-12V~+24V偏壓的HTGB可靠性測試，門極直流耐壓范圍可達(dá)-30V~+35V，對應(yīng)更大的門極驅(qū)動電壓范圍以及同類產(chǎn)品中最優(yōu)秀的門極壽命(TDDB)表現(xiàn)。

02

瑞能SiC SBD產(chǎn)品有650V和1200V

兩種耐壓規(guī)格

以更小的芯片尺寸、更薄的晶圓厚度

提供最佳產(chǎn)品競爭力

問

請舉例說明瑞能的SiC SBD系列產(chǎn)品的優(yōu)勢都有什么?

我將以最新一代的650V G6產(chǎn)品為例，為您做以下講解！

答

650V G6產(chǎn)品著重優(yōu)化了肖特基接觸與PN結(jié)面積比例，有著超低Vf（標(biāo)準(zhǔn)值1.26V），而且通過外延摻雜濃度的優(yōu)化以及晶圓減薄，得到了極低的通態(tài)阻抗。

經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計的P+區(qū)域更好地保護(hù)了肖特基接觸部分。優(yōu)化后的JTE結(jié)構(gòu)增強了邊緣末端區(qū)域得到更高的器件耐壓 BV > 800V和超低的反向漏流Ir。實現(xiàn)了產(chǎn)品性能和可靠性的完美結(jié)合。

03

問

瑞能的SiC 晶圓系列產(chǎn)品包裝形式有哪些?

瑞能SiC晶圓產(chǎn)品可以提供未切割及切割等4種形式，以滿足不同客戶的需求。下面我以1200V/30A SiC SBD晶圓，舉例說明包裝的4種方式~

答

01產(chǎn)品型號：WB30SC120AL

包裝形式：未切割的整片晶圓

02產(chǎn)品型號：WBS30SC120AL

包裝形式：晶圓切割后附在藍(lán)膜(UV膜）

03產(chǎn)品型號：WBSF30SC120AL

包裝形式：晶圓切割后附在藍(lán)膜(UV膜）帶框

04產(chǎn)品型號：WBST30SC120AL

包裝形式：晶圓切割后華夫盒包裝

客戶也可提出訂制需求

指定晶圓包裝形式

SiC晶圓的廣泛應(yīng)用場景

審核編輯：湯梓紅