一般我們在進行PCB設(shè)計時可能會留意到有些信號會串聯(lián)一個電阻，那么大家是否有想過所串聯(lián)的電阻是有什么作用呢？

大家可以看一下下面圖示的案例，信號是從CPU處出來再接到DDR顆粒的，每一個DDR數(shù)據(jù)線都有串聯(lián)一個電阻，其實這個串聯(lián)電阻的作用是進行阻抗匹配的，防止信號發(fā)生反射。

我們接下來用allegro軟件自帶的sigxplorer軟件進行仿真驗證一下，我們主要分析驗證一下這個電阻他是如何進行阻抗匹配以及電阻阻值應該如何選??！

首先我們需要按照下圖先對鏈路進行搭建，并且把傳輸線阻抗改為常規(guī)的單端50ohm，

然后再把tx和rx的模型改為1.8v的高速模型

電阻的阻值大小我們分為6種情況進行仿真，如下圖所示，看電阻大小對實際信號反射的改善效果,以及把模式切換成reflection，進行信號反射仿真

設(shè)置好前面的參數(shù)之后我們點擊仿真，可以看到我們?nèi)缦路抡娴慕Y(jié)果，rx端所接收到的波形，可以看到當我們前面沒有串聯(lián)電阻的時候信號會發(fā)生嚴重的過沖現(xiàn)象，當我們不斷把電阻加大的時候我們會發(fā)現(xiàn)信號的過沖在不斷的減小，但是當電阻為40歐姆和50歐姆的時候，信號的上升沿發(fā)生了欠沖的現(xiàn)象（上升沿變緩），當電阻在30歐姆的時候我們會發(fā)現(xiàn)信號的質(zhì)量是最好的！

從上面的仿真結(jié)果我們知道電阻的大小會對波形產(chǎn)生不同的影響，而且電阻不是越大越好也不是越小越好，我們只有選擇合適的串聯(lián)電阻才能達到改善信號反射的效果。一般我們所選取的電阻大小為22-30歐之間，當然實際要確定這個阻值的具體大小最好是通過仿真驗證決定或者在后期調(diào)試階段可以更換電阻的阻值從而達到阻抗匹配的目的。

這其中的原理是因為在tx端有一個內(nèi)阻（內(nèi)阻不是一個固定值，他是會變化的），一般是小于50歐姆的，而傳輸線阻抗為50歐姆，兩者阻抗不一致則會導致信號發(fā)生反射，我們在信號前面加一個電阻的作用則是為了改善信號的反射，使得信號內(nèi)阻加上串接電阻的阻值等于或者接近傳輸線的阻抗，從而消除信號的反射。

以DDR為例，現(xiàn)在的DDR基本上都不會有串接電阻了，當然并不是說不需要這個電阻，是因為現(xiàn)在的DDR有了ODT技術(shù)，相當于把電阻集成到芯片內(nèi)部了（而且電阻可調(diào)），所以我們外部的數(shù)據(jù)線是不需要添加串聯(lián)的端接電阻了，但是需要注意的是，ODT技術(shù)是針對數(shù)據(jù)線來說的，不包含地址線，控制線，時鐘線，所以地址線，控制線，時鐘線如果不做處理的化也會有信號發(fā)生反射，除了串聯(lián)端接外我們還有并聯(lián)端接可以降低信號的反射，不同的端接方式有不同的應用場景以及有不同效果，這個電阻我們需要盡量靠近tx端進行放置才有效果，如果放置的過遠則不會起到改善信號反射的效果，我們下次也可以驗證一下電阻如果放置的過遠信號的波形會產(chǎn)生什么變化。