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大功率二極管晶閘管知識連載——熱特性

jf_pJlTbmA9 ? 來源:英飛凌工業(yè)半導體 ? 作者:英飛凌工業(yè)半導體 ? 2023-12-07 16:51 ? 次閱讀
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文章來源:英飛凌工業(yè)半導體

功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器,UPS,交流靜態(tài)開關(guān),SVC和電解氫等場合,但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解,為此我們組織了6篇連載,包括正向特性,動態(tài)特性,控制特性,保護以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘來自英飛凌《雙極性半導體技術(shù)信息》。

4.熱性質(zhì)

為了維持熱平衡,必須排出半導體中轉(zhuǎn)化為熱的電能損耗。為此,我們提供了具有明確冷卻性質(zhì)的散熱器。通過類比電氣電路來描述熱等效電路,如圖32所示。

wKgZomVdmBmAVbDgAAF8y--jpJM628.png

圖32.二極管和晶閘管的熱等效電路




Rth JC=結(jié)-殼穩(wěn)態(tài)熱阻

Rth CH=殼-散熱器穩(wěn)態(tài)熱阻

Rth HA=散熱器穩(wěn)態(tài)熱阻

a–單面冷卻

b–雙面冷卻

4.1溫度

4.1.1 結(jié)溫Tvj,Tvj max

對于所有基本電氣性能而言,結(jié)溫是最重要的參照。它代表半導體系統(tǒng)內(nèi)的平均空間溫度,因此更準確地稱為等效結(jié)溫或虛擬結(jié)溫。

最高允許結(jié)溫Tvj max對器件的功能和可靠性十分重要。如果超過Tvj max,半導體性能可能發(fā)生不可逆變化,并可能損壞。

4.1.2 殼溫TC

Tc是平板型晶閘管或二極管的殼或PowerBLOCK模塊的基板的接觸區(qū)域的最高溫度。

4.1.3 散熱器溫度TH

TH是指半導體通過散熱器接觸區(qū)域及其周圍的冷卻介質(zhì)與散熱器發(fā)生熱交換而使散熱器達到的溫度。

英飛凌提供的散熱器已在裝好元器件的情況下進行了測試和規(guī)定。因此,給出的散熱器數(shù)據(jù)包含了器件和散熱器之間的熱阻RthCH。計算時可以不考慮此值。

4.1.4 冷卻介質(zhì)溫度TA




Ta是冷卻介質(zhì)進入散熱器之前的溫度。對于空氣冷卻,在散熱器進風口側(cè)確定此溫度。對于液體冷卻,則在散熱器冷卻液進口處確定此溫度。

4.1.5 殼溫范圍Tcop

Tcop是可以使功率半導體工作的殼溫范圍。

4.1.6 儲存溫度范圍Tstg

Tstg是功率半導體在不帶電情況下可以存儲的溫度范圍。最高允許儲存溫度與沒有時間限制的最高允許結(jié)溫無關(guān),根據(jù)DIN IEC 60747-1,環(huán)氧樹脂平板型器件和PowerBLOCK模塊的最高允許儲存溫度為Tstg= 150℃,時間限制為672h。

4.2熱阻

4.2.1 內(nèi)熱阻RthJC

RthJC是結(jié)溫Tvj和殼溫TC之差與總耗散功率Ptot的比值:

wKgaomVdmBuAN_WcAAAdmy-_i-o580.png

該值取決于器件的內(nèi)部設(shè)計以及通態(tài)電流的波形和頻率。

由于熱阻的并聯(lián),雙面冷卻的熱阻比單面冷卻的低(見圖32)。

熱阻取決于半導體的類型和形狀,因此不會100% 測量,但可以在最初的型式認證試驗中確定。





4.2.2 傳熱熱阻RthCH




RthCH是器件和散熱器接觸區(qū)域的溫度差TC-TH與總耗散功率Ptot的比值:

wKgaomVdmByAcVMQAAAelQh7Atk388.png


規(guī)定值僅在器件正確安裝時有效(見第8章)

4.2.3 散熱器熱阻RthCA

RthCA是殼溫TC和冷卻介質(zhì)溫度TA之差與總耗散功率 Ptot的比值:

wKgZomVdmB2AVN_3AAAeVq-bGhY202.png






4.2.4 總熱阻RthJA




RthJA是等效結(jié)溫Tvj和冷卻介質(zhì)溫度TA之差與總耗散功率Ptot的比值:

wKgZomVdmCCAD4yZAAAOUMrSJL0958.png





4.2.5 瞬態(tài)內(nèi)熱阻ZthJC




ZthJC描述了元件熱阻隨時間的逐漸變化。在數(shù)據(jù)手冊中,ZthJC是用恒定直流規(guī)定的,還有一部用脈沖電流規(guī)定。此外,部分熱阻Rthn和時間常數(shù)tn被作為解析函數(shù)編在表中。

wKgZomVdmCGASd2PAAANy-mNcKM711.png

4.2.6 散熱器瞬態(tài)熱阻ZthCA

ZthCA描述了散熱器熱阻隨時間的逐漸變化。ZthCA在單獨數(shù)據(jù)手冊中有定義。此外,熱阻解析函數(shù)的 RthCAn和tn值被列于表格中。散熱器通常沒有一般定義的瞬態(tài)熱阻。一方面,瞬態(tài)熱阻取決于功率半導體和散熱器的接觸區(qū)域。另一方面,冷卻方法(自然冷卻/強制冷卻)和冷卻介質(zhì)的流動也有很大的影響。

對于自然冷卻和油冷,冷卻介質(zhì)的流動是由空氣或油的對流造成的。功率耗散限定了對流,因此實際功率耗散是針對自然冷卻和油冷確定的。必須注意散熱器的正確方向和位置。

對于強制冷卻和水冷,冷卻介質(zhì)的流量是指定的。

因脈沖電流造成的短期溫度變化與這些參數(shù)無關(guān)。它們被散熱器的大熱容量均衡了。

英飛凌提供的散熱器已在裝好元器件的情況下進行了測試和規(guī)定。這些給定的散熱器數(shù)據(jù)包含了器件和散熱器之間的傳熱熱阻RthCH。因此,不必考慮此值。

4.2.7 總瞬態(tài)熱阻ZthJA

ZthJA描述了總熱阻隨時間的逐漸變化。根據(jù)瞬態(tài)總熱阻計算短時負載結(jié)溫。ZthJA是以下兩項的和:

wKgaomVdmCiAZUmFAAAHDl1q65g632.png





4.3 冷卻



4.3.1 自然空氣冷卻

在自然空氣冷卻(空氣對流冷卻)過程中,通過空氣自然對流排出功率損耗。功率半導體的載流能力通常是在環(huán)境溫度TA=45°C的條件下確定的。

4.3.2 強制空氣冷卻

在強制空氣冷卻過程中,通過風扇使冷空氣強制通過散熱器葉片。功率半導體的載流能力通常是在環(huán)境溫度TA=35°C的條件下確定的。

4.3.3 水冷

在水冷過程中,通過水排出功率損耗。功率半導體的載流能力通常是在進口水溫TA=25°C的條件下確定的。

4.3.4 水冷

在油冷過程中,通過油排出功率損耗。功率半導體的載流能力通常是在進口油溫TA=70°C的條件下確定的。

審核編輯 黃宇

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