近日，在廈門召開(kāi)的第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）的“Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用論壇”上， 廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長(zhǎng)黃凱教授帶來(lái)了“顯示用Micro-LED 芯片與集成技術(shù)新進(jìn)展”的主題報(bào)告，分享了Micro-LED 顯示技術(shù)關(guān)鍵瓶頸，以及顯示用Micro-LED芯片與集成技術(shù)新進(jìn)展。

Micro-LED 顯示技術(shù)利用微型化的LED芯片作為顯示像素點(diǎn)，可應(yīng)用在幾乎所有的主流顯示應(yīng)用領(lǐng)域，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、無(wú)縫拼接，超高對(duì)比度、超高亮度等特點(diǎn)。Micro-LED顯示技術(shù)當(dāng)前面臨的主要瓶頸，涉及外延均勻性提升與顆粒污染物控制；小尺寸芯片工作電流區(qū)間下量子效率提升；巨量轉(zhuǎn)移、修復(fù)效率與良率提升；面向微顯示的全彩化技術(shù)開(kāi)發(fā);針對(duì)Micro-LED顯示的驅(qū)動(dòng)技術(shù)開(kāi)發(fā)。

Micro-LED芯片關(guān)鍵問(wèn)題涉及尺寸效應(yīng)和邊緣效應(yīng)導(dǎo)致的量子效率低，刻蝕工藝引入大量表面缺陷，造成側(cè)壁損傷，使芯片邊緣形成“死區(qū)”。Micro-LED顯示集成關(guān)鍵問(wèn)題，涉及面向平板顯示的玻璃基巨量轉(zhuǎn)移及檢測(cè)修復(fù)和面向微型顯示的硅基CMOS集成技術(shù)問(wèn)題。

對(duì)于當(dāng)前顯示用Micro-LED芯片與集成技術(shù)新進(jìn)展，報(bào)告指出，Micro-LED 外延技術(shù)方面，開(kāi)發(fā)基于人工智能的LED外延結(jié)構(gòu)輔助設(shè)計(jì)方法，實(shí)現(xiàn)外延結(jié)構(gòu)的超快速設(shè)計(jì)。不同應(yīng)用場(chǎng)景下的Micro LED外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，以傳統(tǒng)尺寸LED外延結(jié)構(gòu)AI模型作為遷移學(xué)習(xí)中的源域，可以提供更多與外延結(jié)構(gòu)特征相關(guān)的先驗(yàn)知識(shí)，從而提高目標(biāo)域?qū)W習(xí)的效率和效果。

Micro-LED 芯片技術(shù)方面，開(kāi)發(fā)Micro-LED芯片刻蝕及表/界面修復(fù)、鈍化全套新技術(shù)，極大提升芯片發(fā)光量子效率。Micro-LED 集成技術(shù)方面，面向特種顯示應(yīng)用，成功開(kāi)發(fā)并點(diǎn)亮Micro-LED微顯屏。藍(lán)光/綠光0.41”(像素尺寸~10um，pitch 11.1μm，PPI 2288）；綠光0.39 ”(像素尺寸~6.5μm，pitch 7.5μm，PPI 3387） 2A/cm2注入電流密度下，亮度超105 nits。

報(bào)告指出，研究實(shí)現(xiàn)高性能Micro-LED芯片量產(chǎn)，突破全彩模組技術(shù)，獲福建省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)。

審核編輯：劉清