chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

爍科晶體:向世界一流的碳化硅材料供應(yīng)商不斷邁進(jìn)

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-12-11 10:46 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

碳化硅單晶的制造一直是世界性的技術(shù)難題,穩(wěn)定性高的結(jié)晶生長(zhǎng)工程是其中最核心的技術(shù)。

第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)及研究開(kāi)發(fā)企業(yè)作為中國(guó)電科集團(tuán)的“12大創(chuàng)新平臺(tái)之一,山西爍科晶體有限公司聚焦碳化硅單晶襯底領(lǐng)域,已成為國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底材料供應(yīng)鏈自主創(chuàng)新的供應(yīng)商之一。

爍科晶體核心團(tuán)隊(duì),從2009年開(kāi)始埋頭開(kāi)發(fā)包括碳化硅生長(zhǎng)碳化硅材料設(shè)備制造,粉末合成材料,決定成長(zhǎng)及chende加工等先后突破預(yù)測(cè)高純碳化硅粉末合成技術(shù),我缺點(diǎn)大直徑碳化硅生長(zhǎng)工藝技術(shù)和超平坦碳化硅chende加工技術(shù)等核心技術(shù)難題。爍科晶體表示,公司在國(guó)內(nèi)率先突破了8英寸高純度半切割及導(dǎo)電基板制造技術(shù),已實(shí)現(xiàn)少量銷售,技術(shù)技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

爍科晶體將以8英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底4N48競(jìng)逐IC風(fēng)云榜“年度優(yōu)秀創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)”。硅碳化硅同質(zhì)板是在導(dǎo)電硅電石基板上生長(zhǎng)硅碳化硅外延而得到的,可制造肖特基二極管、mosfet等功率器件,應(yīng)用于新能源汽車,軌道交通以及大功率輸電變電等領(lǐng)域。

爍科晶體于2018年獲得山西省優(yōu)秀技術(shù)難題解決組,2019年作為配套企業(yè)獲得“國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)”。爍科晶體國(guó)家級(jí)專業(yè)化特新“小巨人”企業(yè),山西省制造業(yè)單項(xiàng)排名第一的企業(yè),山西省第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條“鏈主”企業(yè)、山西省碳化硅材料工程研究中心、山西省碳化硅材料中試基地建設(shè)獲得了依賴企業(yè)等榮譽(yù)。

爍科晶體表示,將向著“國(guó)內(nèi)最高、世界一流的碳化硅材料供應(yīng)企業(yè)”的企業(yè)飛躍邁進(jìn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29582

    瀏覽量

    252435
  • 供應(yīng)鏈
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    1753

    瀏覽量

    41255
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3215

    瀏覽量

    51402
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    Wolfspeed 200mm碳化硅材料產(chǎn)品組合開(kāi)啟大規(guī)模商用

    全球碳化硅 (SiC) 技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司(美國(guó)紐約證券交易所上市代碼:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產(chǎn)品開(kāi)啟大規(guī)模商用。這重要里程碑標(biāo)
    的頭像 發(fā)表于 09-11 09:12 ?1134次閱讀

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?858次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?634次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    佳訊電子:碳化硅整流橋技術(shù)引領(lǐng)高壓高效能新時(shí)代

    隨著電力電子設(shè)備高壓、高頻、高溫環(huán)境快速演進(jìn),傳統(tǒng)硅基整流橋已難以滿足嚴(yán)苛的性能需求。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率器件供應(yīng)商,廣東佳訊電子有限責(zé)任公司憑借自主研發(fā)的碳化硅整流橋與碳化硅軟橋技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 04-24 17:07 ?666次閱讀
    佳訊電子:<b class='flag-5'>碳化硅</b>整流橋技術(shù)引領(lǐng)高壓高效能新時(shí)代

    碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?856次閱讀

    信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開(kāi)關(guān)
    發(fā)表于 04-08 16:00

    碳化硅的缺陷分析與解決方案

    碳化硅作為種新型半導(dǎo)體材料,因其高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度和高擊穿電場(chǎng)等特性,被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而,碳化硅材料中的缺
    的頭像 發(fā)表于 01-24 09:17 ?2107次閱讀

    碳化硅的耐高溫性能

    在現(xiàn)代工業(yè)中,高性能材料的需求日益增長(zhǎng),特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為種先進(jìn)的陶瓷材料,因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關(guān)注。 1. 碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-24 09:15 ?2474次閱讀

    碳化硅與傳統(tǒng)硅材料的比較

    在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,材料的選擇對(duì)于器件的性能至關(guān)重要。硅(Si)作為最常用的半導(dǎo)體材料,已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而,隨著電子器件對(duì)性能要求的不斷提高,碳化硅(SiC)作為
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:13 ?2210次閱讀

    碳化硅材料的特性和優(yōu)勢(shì)

    碳化硅(SiC)是種高性能的陶瓷材料,因其卓越的物理和化學(xué)特性而在許多工業(yè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。從高溫結(jié)構(gòu)部件到電子器件,SiC的應(yīng)用范圍廣泛,其獨(dú)特的性能使其成為許多應(yīng)用中的首選材料
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:11 ?2174次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

    隨著科技的不斷進(jìn)步,半導(dǎo)體材料的發(fā)展日新月異。碳化硅作為種新型半導(dǎo)體材料,因其在高溫、高壓、高頻等極端環(huán)境下的卓越性能,正逐漸成為電子器件
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:32 ?1221次閱讀

    碳化硅在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 碳化硅在汽車工業(yè)中的應(yīng)用

    碳化硅在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 1. 太陽(yáng)能光伏 碳化硅材料在太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域主要應(yīng)用于制造高性能的太陽(yáng)能電池。由于其高熱導(dǎo)率和良好的化學(xué)穩(wěn)定性,碳化硅可以作為太陽(yáng)能電池的基底
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:31 ?1526次閱讀

    碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢(shì)

    碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅(SiC),作為種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性,在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:27 ?6270次閱讀

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 碳化硅SiC的優(yōu)勢(shì)與性能

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體器件包括肖特基二極管、MOSFETs、JFETs
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:28 ?2506次閱讀