這是一種低磁滯雙向可控硅相位/功率控制電路。該電路用于控制滿負(fù)載功率的 5% 至 95%。該電路可以將磁滯效應(yīng)降低到合理范圍內(nèi)。
這是因?yàn)樵撾娐肥褂昧说诙€(gè) RC 相移網(wǎng)絡(luò)。除此之外,第二個(gè) RC 相移網(wǎng)絡(luò)還擴(kuò)展了控制范圍。該電路可用于改變電源電壓。這是電路:

相移電壓由大 R1 和 C1 形成,主要通過 R3 充電。雙向交流開關(guān)觸發(fā)后,磁滯減小,C2 能夠?qū)?C1 進(jìn)行再充電,并且 C1 上的相移范圍增大。當(dāng)R1達(dá)到最大阻值時(shí),必須調(diào)整R3,使電路剛好停止導(dǎo)通。
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電路原理圖
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控制電路
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電源電壓
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功率控制
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圖中雙向可控硅控制電路的3個(gè)電阻用多大功率的,具體如何計(jì)算?
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淺析隨機(jī)相位雙向可控硅光耦

一種低磁滯雙向可控硅相位/功率控制電路
評(píng)論