12月13-14日，由行家說(shuō)三代半主辦的2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮于深圳國(guó)際會(huì)展中心皇冠假日酒店隆重舉辦，納微半導(dǎo)體憑借GeneSiC 3.3kVSiCMOSFETs斬獲行家極光獎(jiǎng) - “年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”！

納微半導(dǎo)體銷售運(yùn)營(yíng)及代理商管理總監(jiān)李銘釗出席頒獎(jiǎng)儀式，并受邀參加了12月13日的SiC市場(chǎng)機(jī)遇與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同圓桌論壇，分享了SiC（碳化硅）市場(chǎng)新變化，以及納微半導(dǎo)體GeneSiC碳化硅功率器件如何能夠在變化不定的市場(chǎng)中取得持續(xù)突破。

極光獎(jiǎng)由行家說(shuō)Research、行業(yè)專家、終端廠商等共同評(píng)選，旨在嘉獎(jiǎng)SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）領(lǐng)域中襯底、外延、器件、模組、設(shè)備、材料等環(huán)節(jié)的最新技術(shù)成果和優(yōu)秀產(chǎn)品。

獲獎(jiǎng)產(chǎn)品

GeneSiC 3.3kV SiC MOSFETs

通過(guò)將混合式的PiN Schottky（MPS）二極管單片集成到MOSFET中，納微半導(dǎo)體GeneSiC 3.3kVSiCMOSFETs實(shí)現(xiàn)了更高效的雙向性能、溫度無(wú)關(guān)的開(kāi)關(guān)特性、低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗、降低散熱要求、卓越的長(zhǎng)期可靠性、易于并聯(lián)和更低的成本，并具有遠(yuǎn)超3.3kV達(dá)到3.6-3.9kV的擊穿電壓范圍，展現(xiàn)了平穩(wěn)的開(kāi)關(guān)性能。

在電力儲(chǔ)存領(lǐng)域的時(shí)代不斷擴(kuò)大的未來(lái)，納微半導(dǎo)體GeneSiC 3.3kVSiCMOSFETs可用于實(shí)現(xiàn)全碳化硅的逆變器，驅(qū)動(dòng)電力傳輸、可再生能源整合和能源儲(chǔ)存事業(yè)的改革，以更高的系統(tǒng)效率、更低的工作溫度及更小的芯片尺寸，加速對(duì)傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體的取代。

此次納微半導(dǎo)體GeneSiC 3.3kV SiC MOSFETs榮獲“年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”，代表整個(gè)行業(yè)對(duì)GeneSiC碳化硅功率器件技術(shù)和實(shí)力的雙重認(rèn)可。未來(lái)，納微半導(dǎo)體還將不斷推進(jìn)GeneSiC碳化硅技術(shù)研發(fā)，為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效、穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換，加速我們Electrify Our World的使命。

審核編輯：劉清