來(lái)源：雅時(shí)化合物半導(dǎo)體

把握機(jī)遇，凝聚向前。2024年5月，雅時(shí)國(guó)際(ACT International)將在蘇州·獅山國(guó)際會(huì)議中心組織舉辦主題為“2024-半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展和機(jī)遇大會(huì)”。

本次會(huì)議將分別以“CHIP China晶芯研討會(huì)”和“化合物半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”兩場(chǎng)論壇的形式同時(shí)進(jìn)行。會(huì)議包括：半導(dǎo)體制造與封裝，化合物半導(dǎo)體材料與制備工藝、功率器件及應(yīng)用技術(shù)。展開(kāi)泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高端對(duì)話，促進(jìn)參會(huì)者的交流信息與合作。

目前，牛津儀器、Park Systems、晶湛半導(dǎo)體、愛(ài)發(fā)科、昂坤視覺(jué)、特思迪、韞茂科技、Wolfspeed、華潤(rùn)微等企業(yè)均已參展及做技術(shù)報(bào)告。謹(jǐn)此，我們誠(chéng)摯地邀請(qǐng)您撥冗出席本次大會(huì)，相聚蘇州，推動(dòng)泛半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展進(jìn)程！

今年大會(huì)有哪些亮點(diǎn)？行業(yè)學(xué)習(xí)，資源對(duì)接，SiC、GaN材料，器件、拋光清洗、刻蝕、切割、檢測(cè)、鍵合設(shè)備尋找，我們統(tǒng)統(tǒng)都有！快來(lái)看看吧~

群英匯聚，展開(kāi)泛半導(dǎo)體高端對(duì)話

大會(huì)始終秉承著促進(jìn)泛半導(dǎo)體領(lǐng)域的共建合作和創(chuàng)新的宗旨，為各位與會(huì)者提供分享最新科技前沿成果、技術(shù)創(chuàng)新和發(fā)展趨勢(shì)的交流平臺(tái)，讓與會(huì)者在現(xiàn)場(chǎng)感受到泛半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的日新月異。

智慧碰撞，激發(fā)創(chuàng)新靈感和無(wú)限商機(jī)

大會(huì)邀請(qǐng)來(lái)自全國(guó)各地的泛半導(dǎo)體行業(yè)的專家學(xué)者、產(chǎn)業(yè)界和機(jī)構(gòu)代表相聚蘇州，共同探討產(chǎn)業(yè)的最新研究成果和發(fā)展趨勢(shì)，分享經(jīng)驗(yàn)、交流碰撞！

-關(guān)注泛半導(dǎo)體行業(yè)的大咖來(lái)啦！

擬定議題

2024CHIP China晶芯研討會(huì)

小芯片和系統(tǒng)集成-關(guān)鍵技術(shù)和實(shí)現(xiàn)

Chiplet及先進(jìn)異構(gòu)集成

面向高算力的集成芯片封裝工藝與模組集成技術(shù)

用于Chiplet芯片高速互聯(lián)D2D的關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用

集成芯片先進(jìn)封裝可靠性研究和面臨挑戰(zhàn)

大板級(jí)扇出型封裝工藝在系統(tǒng)級(jí)芯片封裝的應(yīng)用

扇出系統(tǒng)與異構(gòu)集成技術(shù)進(jìn)展

智能時(shí)代光電集成芯片制造機(jī)遇與挑戰(zhàn)

CPO的前世、今生及未來(lái)

玻璃基光電合封及散熱技術(shù)

基于先進(jìn)封裝的2.5D/3D集成工藝技術(shù)研究

集成電路先進(jìn)封裝材料及其應(yīng)用

鍵合及解鍵合解決方案

半導(dǎo)體薄片晶圓濕法設(shè)備解決方案

功率半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)趨勢(shì)探討

功率器件封裝材料的創(chuàng)新與應(yīng)用

IGBT高溫封裝模塊及短路保護(hù)電路

新一代硅基及碳化硅車規(guī)功率半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)及發(fā)展

功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)鏈接關(guān)鍵技術(shù)

國(guó)際功率器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述

2024化合物半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)

寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展與展望

全球SiC和GaN的產(chǎn)業(yè)生態(tài)競(jìng)爭(zhēng)格局和未來(lái)發(fā)展

大尺寸碳化硅單晶制備技術(shù)研究進(jìn)展

碳化硅外延關(guān)鍵技術(shù)及8英寸外延進(jìn)展

氮化鎵單晶生長(zhǎng)和外延研究進(jìn)展

氮化鎵同質(zhì)外延功率/射頻器件應(yīng)用與相關(guān)單晶襯底制備技術(shù)的研發(fā)進(jìn)展匯報(bào)

氧化鎵同質(zhì)和異質(zhì)外延及其相關(guān)器件

氧化鎵異質(zhì)集成功率電子與射頻器件研究

化合物半導(dǎo)體襯底和外延缺陷無(wú)損檢測(cè)技術(shù)

先進(jìn)拋光技術(shù)助力量產(chǎn)型大尺寸碳化硅制造

具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術(shù)

失效解碼：高效解析從襯底外延到功率器件的顯微缺陷

面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的GaN技術(shù)

SiC器件EPI之后工序中PL檢查的必要性與解決方案

p-GaN柵增強(qiáng)型GaN HEMTs器件可靠性

碳化硅器件在新能源汽車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的應(yīng)用

提升SiC CMOS器件可靠性的關(guān)鍵技術(shù)

新能源汽車中的功率器件應(yīng)用與功率器件的摩爾定律

產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能

往屆會(huì)議嘉賓（部分）

會(huì)議數(shù)據(jù)

精準(zhǔn)垂直泛半導(dǎo)體業(yè)界精英人群

往屆集錦

往屆參會(huì)企業(yè)名單

01CHIP China晶芯研討會(huì)

02化合物半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)

展位布局圖

展位余量有限，搶抓2024請(qǐng)即刻鎖定……

審核編輯 黃宇