之前我們講了信號(hào)源阻抗對(duì)探頭負(fù)荷的凈效應(yīng)影響，其實(shí)除了影響上升時(shí)間外，電容負(fù)荷還影響著波形中高頻成分的幅度和相位。

對(duì)此要記住，所有波形都是由正弦曲線成分構(gòu)成的。50 MHz 方波擁有超過 100 MHz 的有效諧波成分。所以不僅要考慮波形基礎(chǔ)頻率上的負(fù)荷效應(yīng)，而且要考慮超過基礎(chǔ)頻率幾倍的頻率上的負(fù)荷效應(yīng)。

負(fù)荷取決于探頭尖端上的總阻抗。這稱為 Zp，Zp 由電阻成分 Rp 和電抗成分 Xp 組成。電抗成分主要是電容，但在探頭中可以設(shè)計(jì)電感單元，以部分偏移電容負(fù)荷。

圖 1. 有源探頭典型的輸入阻抗隨頻率變化

一般來說，Zp 會(huì)隨著頻率提高而下降。大多數(shù)探頭儀器手冊(cè)會(huì)編制探頭 Rp 數(shù)據(jù)，文檔中包括顯示 Zp 與頻率的關(guān)系曲線。圖 1 是普通有源探頭的實(shí)例。注意，1 兆歐阻抗幅度固定在接近 100 kHz。這通過認(rèn)真設(shè)計(jì)探頭的相關(guān)電阻單元、電容單元和電感單元實(shí)現(xiàn)。

圖 2 說明了探頭曲線的另一個(gè)實(shí)例。在這種情況下，顯示了典型 10 兆歐無源探頭的 Rp 和 Xp 與頻率關(guān)系。虛線 (Xp) 說明了電容電抗隨頻率變化。注意，Xp 在DC 上開始下降，但 Rp 直到 100 kHz 時(shí)才開始明顯滾降。通過認(rèn)真設(shè)計(jì)相關(guān) R、C 和 L 單元，再次可以偏移總負(fù)荷。

圖 2. 典型 10 兆歐無源探頭的 Xp 和 Rp 與頻率關(guān)系

如果沒有得到探頭的阻抗曲線，可以使用下述公式估算最壞情況下的負(fù)荷：

Xp = 1/2πfC

其中：

Xp = 電容電抗

f = 頻率

C = 探頭尖端電容

如，頭部電容為 11 pF 的標(biāo)準(zhǔn)無源 10 兆歐探頭的電容電抗 (Xp) 在 50 MHz 時(shí)大約為 290 歐姆。根據(jù)信號(hào)源阻抗，這種負(fù)荷可能會(huì)給信號(hào)幅度帶來很大影響 ( 通過簡(jiǎn)單的分路器動(dòng)作 )，其甚至可能會(huì)影響被探測(cè)的電路操作。

審核編輯 黃宇