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大聯(lián)大推出基于InnoGaN產(chǎn)品的1KW DCDC電源模塊方案

大聯(lián)大 ? 來源:大聯(lián)大 ? 2024-01-18 18:24 ? 次閱讀
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2024年1月18日,致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布其旗下詮鼎推出基于英諾賽科(Innoscience)InnoGaN ISG3201和INN040LA015A器件的1KW DC/DC電源模塊方案。

隨著“雙碳”概念的逐漸深入,智能化和低碳化已經(jīng)成為數(shù)據(jù)中心的兩大“確定性”發(fā)展趨勢。據(jù)知名機(jī)構(gòu)Research調(diào)查顯示,現(xiàn)有的采用Si方案的數(shù)據(jù)中心整體功率轉(zhuǎn)換能效大約為75%,而采用GaN器件則可將能源效率提升到87.5%。其中,DC/DC 48V-12V環(huán)節(jié)在整個鏈路中扮演了重要角色。

在這種背景下,大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience InnoGaN ISG3201和INN040LA015A器件推出1KW DC/DC電源模塊方案,其利用氮化鎵寄生結(jié)電容小的特點(diǎn),配合磁集成方案,將開關(guān)頻率提升至1MHz,具有高效率和高功率密度特性。

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圖示2-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的1KW DC/DC電源模塊方案的場景應(yīng)用圖

本方案采用全橋LLC DCX拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),固定變比為4:1,支持48V輸入轉(zhuǎn)12V輸出,集成Innoscience旗下兩顆100V InnoGaN ISG3201和八顆INN040LA015A低壓GaN芯片。ISG3201是一顆耐壓100V的半橋氮化鎵合封芯片,其通過內(nèi)部集成驅(qū)動器,優(yōu)化驅(qū)動回路和功率回路,顯著降低寄生電感和開關(guān)尖峰,進(jìn)一步提高1KW 48電源模塊系統(tǒng)的整體性能和可靠性。

不僅如此,該芯片還具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)PWM信號輸入,并支持TTL電平驅(qū)動,可由專用控制器或通用MCU進(jìn)行驅(qū)動控制,是數(shù)據(jù)中心模塊電源,電機(jī)驅(qū)動以及D類功率放大器等48V電源系統(tǒng)的最佳選擇。

通過效率測試,在輸入電壓230Vac/264Vac的條件下,本方案的最高效率可達(dá)到96.5%,能輕松滿足80 Plus鈦金級能效標(biāo)準(zhǔn)INN040LA015A是一顆耐壓40V導(dǎo)阻1.5mΩ的增強(qiáng)型氮化鎵晶體管,其采用FCLGA 5*4封裝,體積小巧,同時具備極低柵極電荷和導(dǎo)通電阻,且反向恢復(fù)電荷為零,不僅可以降低占板面積,而且具有更高的開關(guān)頻率,能夠為系統(tǒng)提供更高的動態(tài)響應(yīng)。

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圖示3-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的1KW DC/DC電源模塊方案的方塊圖

本方案能夠以39mm×26mm×7.5mm的尺寸為數(shù)據(jù)中心帶來高功率密度與低損耗的優(yōu)勢。在實際測試中,輸入電壓48V、輸出12V/30A時,峰值效率可達(dá)98%;輸入電壓48V、輸出12V/85A時,滿載效率可達(dá)96.29%。未來,隨著數(shù)據(jù)中心向更高效與更智能的方向發(fā)展,氮化鎵也將成為重要綠色革命的關(guān)鍵角色,在這個進(jìn)程中,大聯(lián)大與Innoscience將持續(xù)研發(fā)以氮化鎵為核心的解決方案,為數(shù)字時代賦能。

▌核心技術(shù)優(yōu)勢

高效率:98%@48V-12V/30A;

高頻率:1MHz;

高功率密度:2150W/in3;

超小體積:39mm×26mm×7.5mm。

▌方案規(guī)格

尺寸:39mm×26mm×7.5mm;

效率:

? 峰值效率:98%@12V/30A;

? 滿載效率:96.29%@12V/85A;

功率密度:2150W/in3。








審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:【大大芯方案】降低能耗提高效率,大聯(lián)大推出基于InnoGaN產(chǎn)品的1KW DCDC電源模塊方案

文章出處:【微信號:大聯(lián)大,微信公眾號:大聯(lián)大】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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