發(fā)射極關斷 (Emitter Turn-Off， ETO）晶閘管具有柵極截止晶閘管的耐高電壓和高電流的能力．以及易于控制 MOS 柵極的優(yōu)點，其他功能包括高電壓電流整流能力和器件電流檢測能力。ETO 晶閘管的結構原理圖與電路符號如圖 2-92 所示。

VQ?充當柵極開關并與柵極 1相連。ETO 晶閘管是由發(fā)射極開關即低壓MOSFET( VQ?是pMOSFET， VQ?是nMOSFET）和 GTO 晶閘管串聯(lián)組成的功率器件。在柵極 2 和柵極3 上施加正電壓就打開器件，此時 VQ?關斷，VQ?開啟，陰極電壓通過 VQ?,加到 GTO 晶閘管上使 GTO 晶閘管開始導通。在柵極2 和柵極3上施加負電壓則關斷器件，此時 VQ?關斷而 VQ?打開，GTO 晶閘管的電流全部經(jīng)由柵極 1和VQ?流至陰極。因為從陽極流人的電流只流經(jīng) pnp 晶體管而不流過第一個pn 結J1，GTO 晶閘管的正反饋環(huán)路就被破壞，使器件得以關斷。在開放式pnp 模式下，關斷npn 晶體管是實現(xiàn)高速和大截止電流能力的關鍵。ETO晶閘管使用陽極電流來提供關斷能量，與 IGCT 的技術相比，ETO 晶閘管大大節(jié)省了高頻操作所需的驅動功率，其開啟與關斷都是通過低電壓MOS管的柵極電壓來控制的。

審核編輯：湯梓紅