01

多晶硅（polysilicon）是太陽(yáng)能電池、儲(chǔ)能設(shè)備和半導(dǎo)體領(lǐng)域中廣泛使用的關(guān)鍵材料。隨著這些產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，高質(zhì)量和高純度多晶硅的制備變得愈發(fā)重要。目前，制備高純度多晶硅的最常見(jiàn)方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），主要使用含硅化合物作為前驅(qū)體，這些前驅(qū)體在高溫下熱解。

硅基底的表面雜原子也可能影響硅的沉積反應(yīng)。在制備硅棒的過(guò)程中，很難保持硅芯表面（硅棒生長(zhǎng)的襯底）完全干凈。硅芯的表面可能含有由于氧化而形成的微量氧。為了消除氧的影響，通常會(huì)用氫處理硅芯的表面。然而，經(jīng)過(guò)氫鈍化的硅芯表面可能會(huì)引入少量氫。因此，本研究采用密度泛函理論（DFT）來(lái)研究沉積襯底表面雜原子對(duì)硅烷的表面反應(yīng)的影響。在這里，多晶硅棒是通過(guò)高溫硅烷熱解制備的。氫的脫附速度很快，不會(huì)影響表面反應(yīng)速率。因此，我們主要關(guān)注硅烷在襯底表面的解離。為了實(shí)現(xiàn)硅棒的均勻生長(zhǎng)，還計(jì)算了不同硅表面上硅原子遷移的能壘，以選擇最佳的沉積硅襯底。

02

成果簡(jiǎn)介

化學(xué)氣相沉積（CVD）是制備高質(zhì)量多晶硅的最重要方法之一。本文采用密度泛函理論（DFT）研究了表面雜原子對(duì)CVD制備的多晶硅生長(zhǎng)的影響。對(duì)三種硅（111）表面進(jìn)行了計(jì)算，包括清潔的硅表面、含氧的硅表面和含氫的硅表面，計(jì)算了硅烷的解離活化能和表面硅原子的遷移能壘。計(jì)算結(jié)果顯示，在清潔的硅表面上，硅烷解離的活化能為1.71電子伏，高于氧化硅表面的1.04電子伏，與含氫硅表面的1.74電子伏相近。因此，在部分氧化的硅襯底上，硅的沉積更傾向于發(fā)生在氧化區(qū)域。而在氫化的硅襯底上，硅的沉積將均勻分布在整個(gè)表面。

此外，計(jì)算了硅原子在清潔、氧化和氫化表面上的表面遷移能壘，分別為0.27電子伏、0.24電子伏和0.05電子伏。氫化襯底上較低的遷移能壘表明硅的沉積更加均勻。隨后，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)證實(shí)了這一發(fā)現(xiàn)。這項(xiàng)研究為高質(zhì)量多晶硅的制備提供了理論基礎(chǔ)，并為工業(yè)級(jí)生產(chǎn)均勻致密多晶硅棒提供了有價(jià)值的操作指導(dǎo)。

03 圖文導(dǎo)讀

圖1清潔的Si(111)表面（a）、氧化的Si(111)表面（b）和氫化的Si(111)表面（c）上表面Si的態(tài)密度圖；清潔的Si(111)表面（d）、氧化的Si(111)表面（e）和氫化的Si(111)表面（f）上Si 3s和3p軌道的態(tài)密度圖。

圖2清潔的Si(111)表面（a）、氧化的Si(111)表面（b）和氫化的Si(111)表面（c）上原子的電子定域函數(shù)。

圖3 (a)清潔的Si(111)表面上第一步解離反應(yīng)路徑和(b) SiH4總體解離的能量圖。

圖4 (a)氧化的Si(111)表面上第一步解離反應(yīng)路徑和(b) SiH4總體解離的能量圖。

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圖5(a)氫化的Si(111)表面上第一步解離反應(yīng)路徑和(b) SiH4總體解離的能量圖。

圖6表面硅原子的擴(kuò)散路徑和遷移能壘(a)在清潔的Si(111)表面，(b)在氧化的Si(111)表面，以及(c)在氫化的Si(111)表面。

04

小結(jié)

在這項(xiàng)工作中，使用DFT計(jì)算來(lái)研究表面異質(zhì)原子對(duì)硅沉積質(zhì)量的影響。構(gòu)建了三種不同的Si(111)表面，即清潔的硅表面、氧化的硅表面和氫化的硅表面。計(jì)算了在這三種表面上硅烷解離的能量變化和活化能。此外，還比較了這三種表面上沉積硅原子的遷移能壘。根據(jù)計(jì)算結(jié)果，部分氫化的硅表面有助于均勻且減少枝狀硅沉積，從而產(chǎn)生高質(zhì)量的硅棒，而不是珊瑚或玉米棒。此外，從工業(yè)實(shí)驗(yàn)中收集的實(shí)驗(yàn)結(jié)果與我們的計(jì)算結(jié)果一致。我們的計(jì)算和解釋可以作為工業(yè)研究結(jié)果的合理解釋。本文為制備均勻且減少枝狀硅棒提供了理論依據(jù)。

審核編輯：劉清