據(jù)報(bào)道,2024年IEEE國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)定于明年二月18至22日在舊金山舉行,由全球?qū)W界與產(chǎn)業(yè)界共同認(rèn)可的集成電路設(shè)計(jì)頂級(jí)盛會(huì)。屆時(shí),三星將公開展示其最新的GDDR7技術(shù),主題為“PAM3優(yōu)化TRX均衡及ZQ校準(zhǔn)下16GB 37GB/s GDDR7 DRAM”。
GDDR7將運(yùn)用PAM3編碼方式,這種介于PAM4和NRZ之間的技術(shù)可提高周期內(nèi)數(shù)據(jù)傳送率,相較NRZ技術(shù)降低了對(duì)高總線頻率的依賴,獲得比GDDR6更高性能且能耗更低的特性。
另外,GDDR7還注重內(nèi)存效率及功耗優(yōu)化,采取4種不同時(shí)鐘讀取模式,根據(jù)實(shí)際需要靈活調(diào)整。其內(nèi)存系統(tǒng)更是支持并行發(fā)出兩條獨(dú)立指令以降低功耗。
事實(shí)上,三星早在2022年技術(shù)日上就揭露了GDDR7技術(shù)。首款樣品額定傳輸速度達(dá)32GBps,比GDDR6提高33%;結(jié)合384bit總線接口,實(shí)現(xiàn)1.5TB/秒帶寬。
去年十月,三星發(fā)布新聞稿詳細(xì)說明了GDDR7動(dòng)態(tài)功耗的改進(jìn)情況。借助額外時(shí)鐘控制,該產(chǎn)品待機(jī)功耗比GDDR6降低50%。據(jù)三星官方聲明,與現(xiàn)有最快的24GBp GDDR6 DRAM相比,GDDR7性能提升達(dá)40%,能效提高20%。盡管當(dāng)時(shí)提及已測(cè)試過高達(dá)36GBps的早期樣本,但詳細(xì)信息尚未公開披露。
展望未來,三星GDDR7 DRAM將依需應(yīng)用高速負(fù)載優(yōu)化技術(shù),提供低工作電壓解決方案,旨在滿足如筆記本電腦等需要長(zhǎng)續(xù)航設(shè)備的需求。
-
集成電路
+關(guān)注
關(guān)注
5425文章
12070瀏覽量
368508 -
GDDR
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
27瀏覽量
4880 -
三星
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1699瀏覽量
32740
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
是德科技與三星和NVIDIA合作展示AI-for-RAN技術(shù)
三星Galaxy S25系列全球發(fā)布 引領(lǐng)AI技術(shù)融合新潮流
SK海力士如何以設(shè)計(jì)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)GDDR7速度新巔峰
三星GDDR7顯存技術(shù)驅(qū)動(dòng)圖形處理新時(shí)代
三星芯片代工新掌門:先進(jìn)與成熟制程并重
三星自主研發(fā)知識(shí)圖譜技術(shù),強(qiáng)化Galaxy AI用戶體驗(yàn)與數(shù)據(jù)安全
三星研發(fā)出量子點(diǎn)墨水再生技術(shù)
三星推出業(yè)界首款24Gb(3GB)GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片
三星發(fā)布業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM
三星舉辦2024晶圓代工論壇,聚焦AI與先進(jìn)代工技術(shù)
SK海力士GDDR7顯存性能飆升60%
三星HBM技術(shù)逆襲:NVIDIA認(rèn)證助力業(yè)績(jī)飆升
三星電子推出性能更強(qiáng)、容量更大的升級(jí)版1TB microSD 存儲(chǔ)卡

評(píng)論