不管是Nor-flash還是Nand-flash，單位cell的結構都類似如下，為雙gate的MOS結構。中間一層floating gate無漏電存在，可以保存住電荷而實現(xiàn)非易失。

Floating gate上電荷轉移需要外加電壓實現(xiàn)。在Control gate和溝道之間施加的反向電壓可以去除電荷，也即擦除erase操作。在Control gate和溝道或source 之間施加正向電壓可以將電荷轉移到floating gate上。

flash存儲器的三個特點

Flash存儲器具有三個顯著的特點：

區(qū)塊結構：Flash存儲器在物理上被分成若干個區(qū)塊，這些區(qū)塊之間相互獨立。這種結構使得對存儲器的操作可以更加靈活和高效。

先擦后寫：Flash存儲器的寫操作具有特殊性，它只能將數據位從1寫成0，而不能從0寫成1。因此，在對存儲器進行寫入操作之前，必須先執(zhí)行擦除操作，將預寫入的數據位初始化為1。需要注意的是，擦除操作的最小單位是一個區(qū)塊，而不是單個字節(jié)。

操作指令：執(zhí)行寫操作時，必須輸入一串特殊指令（如NOR Flash）或者完成一段時序（如NAND Flash），才能將數據寫入存儲器。

Flash存儲器還具有固有不揮發(fā)性的特點，與磁存儲器相似，不需要后備電源來保持數據。因此，它具有無需電能保持數據的優(yōu)點。

不同類型的Flash存儲器（如NOR Flash和NAND Flash）可能在某些特性上存在差異。

Flash存儲器的優(yōu)缺點分別是什么

Flash存儲器的優(yōu)點主要包括以下幾點：

數據存儲非易失性：Flash存儲器中的數據在斷電后不會丟失，具有固有不揮發(fā)性的特點，因此不需要后備電源來保持數據。

數據存儲速度快：Flash存儲器具有較快的讀寫速度，能夠滿足許多應用對高速存儲的需求。

數據存儲密度高：Flash存儲器具有較高的存儲容量和密度，能夠滿足大容量數據存儲的需求。

功耗低：Flash存儲器的功耗相對較低，有利于節(jié)能減排和延長設備使用壽命。

然而，F(xiàn)lash存儲器也存在一些缺點：

寫入次數有限：Flash存儲器的寫入次數有限，一般只能進行有限的擦寫周期。超過這個周期后，存儲器的性能會受到影響，甚至可能導致數據丟失。

數據安全性有待提高：由于Flash存儲器的數據是以區(qū)塊為單位進行擦除和寫入的，因此可能存在數據損壞或丟失的風險。此外，如果存儲器遭受物理損壞或不當操作，也可能導致數據丟失或損壞。

請注意，不同類型的Flash存儲器（如NOR Flash和NAND Flash）在優(yōu)缺點方面可能存在差異。在選擇和使用Flash存儲器時，建議綜合考慮其特點和應用需求，以確保滿足實際需求。

審核編輯：黃飛