什么是絕緣柵雙極型晶體管的開通時間與關斷時間？

絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是一種主要應用于功率電子裝置中的半導體器件，其具有低導通壓降和高關斷速度等優(yōu)點。開通時間和關斷時間是評估IGBT性能的重要指標，直接影響著設備的工作效率和可靠性。

開通時間

開通時間是指從驅動信號施加到IGBT導通的時間。在開通過程中，當控制極（門極）施加一個適當?shù)恼妷簳r，控制電流通過絕緣柵而在MOS層形成電子-空穴對。電子從N型區(qū)向P型區(qū)注入，并使PN結發(fā)生逆偏。當逆偏電勢達到一定值時，內部的電場被帶了進來。與此同時，這個電場幫助加速空穴提供電流到絕緣柵。一旦絕緣柵采取合適的電勢，PN結變成正向偏置，MOS區(qū)內的電場會完成內部電壓的升高和形成道為電子進入，使得電流加大，從而使IGBT導通。開通時間可以分為開通延遲時間和上升時間。

1. 開通延遲時間：指從驅動信號達到絕緣柵，到絕緣柵開始響應、PN結逆偏并形成內部電場的時間。在這個過程中，信號需要傳導到絕緣柵，并使絕緣柵上的電荷分布變化到一定程度，才能引起PN結逆偏。

2. 上升時間：指從絕緣柵逆偏導通開始，到絕緣柵電壓上升到一定閾值并使PN結正向偏置的時間。當絕緣柵逆偏，MOS區(qū)的內部電場會快速上升并形成導通通道，使得電流增加。上升時間與絕緣柵驅動電路的響應速度、絕緣柵電容、絕緣柵的電阻等因素有關。

關斷時間

關斷時間是指從驅動信號施加到IGBT關斷的時間。在關斷過程中，當驅動信號從正向偏置變?yōu)榱汶娖交蜇撾妷盒盘枙r，絕緣柵的電荷需要盡快平衡。電荷平衡的速度取決于絕緣柵和MOS區(qū)之間的電容，關斷時間可以分為關斷延遲時間和下降時間。

1. 關斷延遲時間：指從驅動信號變?yōu)樨撾妷夯蛄汶娖?，到絕緣柵開始響應、PN結返回到正向偏置的時間。在這個過程中，絕緣柵電荷需要被移除，以便PN結恢復正向偏置。

2. 下降時間：指從絕緣柵電壓開始下降，到IGBT完全關斷的時間。在這個過程中，電荷平衡以及PN結的恢復需要一定的時間。

開通時間和關斷時間對于IGBT的應用非常重要，因為較短的開通和關斷時間可以提高器件的開關速度和效率，減少能量損耗，降低熱量產生和器件溫度，延長設備的壽命。因此，設計和優(yōu)化驅動電路以及選擇合適的IGBT型號對于獲得快速而可靠的開通和關斷時間非常關鍵。

總結起來，絕緣柵雙極型晶體管的開通時間和關斷時間是IGBT性能的關鍵指標。開通時間包括開通延遲時間和上升時間，而關斷時間包括關斷延遲時間和下降時間。減小開通和關斷時間可以提高IGBT的開關速度和效率，降低能量損耗，增加器件的可靠性和壽命。