CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）電路是一種常見的電子邏輯門電路技術(shù)，由一個(gè)PMOS（P型金屬氧化物半導(dǎo)體）和一個(gè)NMOS（N型金屬氧化物半導(dǎo)體）管道組成。在CMOS電路中，輸入信號(hào)的高和低電平取決于輸入信號(hào)的電壓和電路中的配置。

對(duì)于CMOS門電路來說，判斷輸出電平的關(guān)鍵是輸入電壓。在理想的情況下，當(dāng)輸入電壓為高電平時(shí)，輸出為低電平；當(dāng)輸入電壓為低電平時(shí)，輸出電平為高電平。這是因?yàn)镃MOS電路的輸入管道是一個(gè)開關(guān)，當(dāng)輸入電壓為高電平時(shí)，考慮到電平的傳輸，輸出電壓為低電平；當(dāng)輸入電壓為低電平時(shí)，輸出電壓為高電平。

然而，在實(shí)際的CMOS電路中，存在微小的漏電流。當(dāng)輸入電壓為高電平時(shí)，漏電流逐漸增加，使得輸出電壓變大。相反，當(dāng)輸入電壓為低電平時(shí)，漏電流逐漸減小，導(dǎo)致輸出電壓變小。因此，判斷輸出電平時(shí)應(yīng)該考慮輸入電壓和漏電流之間的關(guān)系。

為了更好地理解CMOS門電路的輸入和輸出電平關(guān)系，我們可以具體分析不同類型的CMOS門電路，如與門（AND）、或門（OR）和非門（NOT）。在這里，我們將以與門為例進(jìn)行討論。

與門是一種基本的布爾邏輯門電路，有兩個(gè)輸入和一個(gè)輸出。當(dāng)且僅當(dāng)所有輸入都為高電平時(shí)，輸出為高電平。對(duì)于CMOS與門電路，輸入電壓為低電平（0V）表示邏輯“0”，輸入電壓為高電平（VDD）表示邏輯“1”。當(dāng)兩個(gè)輸入都為高電平時(shí)，輸出為高電平；否則，輸出為低電平。

具體地說，當(dāng)一個(gè)輸入為高電平時(shí)，該輸入管道將打開，流經(jīng)漏電流，導(dǎo)致輸出電壓稍微上升，但仍然為低電平。當(dāng)兩個(gè)輸入都為高電平時(shí)，兩個(gè)輸入管道都打開，漏電流增加，使得輸出電壓顯著上升，接近高電平。因此，輸出電平為高電平，表示所有輸入都為高電平。

當(dāng)任何一個(gè)輸入為低電平時(shí)（邏輯“0”），相應(yīng)的輸入管道關(guān)閉，不會(huì)存在漏電流，輸出電壓保持為低電平。只有當(dāng)兩個(gè)輸入都為高電平時(shí)，輸出電平才為高電平。

需要注意的是，CMOS門電路的輸出電平受到供電電壓的影響。通常情況下，供電電壓VDD為高電平，對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用而言，VDD為正常操作電壓的一半。更高的供電電壓意味著更高的輸出電平。

綜上所述，CMOS門電路的輸入和輸出電平關(guān)系由輸入信號(hào)的電壓和漏電流之間的相互作用確定。當(dāng)輸入電壓為高電平時(shí)，輸出電平通常是低電平，但存在微小的漏電流增加輸出電平。當(dāng)輸入電壓為低電平時(shí)，輸出電平通常是高電平，但漏電流較小導(dǎo)致輸出電平略微降低。根據(jù)不同類型的CMOS門電路，如與門、或門和非門，我們可以確定輸出電平取決于輸入電平的組合方式。當(dāng)輸入組合滿足門電路的邏輯關(guān)系時(shí)，輸出電平為高電平；否則，輸出電平為低電平。