chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

美能源部援SK Siltron貸款,助其擴大碳化硅晶圓生產

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-02-26 15:33 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

美國政府已為韓國SKSiltron公司及其在美工廠SK Siltron CSS提供 5.44 億美元貸款,助力其擴大 SiC 晶片生產規(guī)模。

美國能源部貸款項目辦公室 (LPO) 表示,此舉旨在滿足日益增長的電動汽車及儲能系統用 SiC 晶片市場需求。據了解,SK Siltron CSS 是此類產品的主要供應商之一。

附加信息顯示,此項申請貸款計劃還將助 SK Siltron CSS新增約200個就業(yè)機會,其中大部分屬于技術人員。SK Siltron CSS計劃通過這項貸款項目進一步提升產能,以解決目前供應短缺問題。此外,援助項目亦有望加強貝城工廠的主導地位,使其成為全球前五大 SiC 晶圓制造商之一。

美國能源部方面表示,此項目將強化美國制造能力,支持拜登政府關于強化半導體供應鏈戰(zhàn)略。同時,這也被解讀為美國在清潔能源技術領域的產業(yè)競爭力的提升,以及對其在全球領先地位的擴大貢獻。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電動汽車
    +關注

    關注

    156

    文章

    12552

    瀏覽量

    236248
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    32

    文章

    3522

    瀏覽量

    68179
  • 儲能系統
    +關注

    關注

    5

    文章

    1139

    瀏覽量

    26384
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    探索碳化硅如何改變能源系統

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統的推動劑,可滿足全球對可再生能源、電動汽車 (EV
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1418次閱讀

    重大突破!12 英寸碳化硅剝離成功,打破國外壟斷!

    了國內相關技術應用的空白,更為第三代半導體關鍵制造裝備的國產化進程注入了強大動力,同時也為全球碳化硅產業(yè)突破成本瓶頸、提升生產效率開辟了創(chuàng)新路徑。 此前,該激光剝離技術已在6英寸、8英寸碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-10 09:12 ?1263次閱讀

    碳化硅器件的應用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統材料下器件的參數瓶頸,直接促進了新
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1118次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應用優(yōu)勢

    探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

    。 引言 在碳化硅半導體制造領域,精確測量襯底的總厚度變化(TTV)是保障芯片性能與良率的關鍵環(huán)節(jié)。探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀憑借
    的頭像 發(fā)表于 08-23 16:22 ?1015次閱讀
    探針式<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

    【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

    指導。 引言 在碳化硅半導體制造領域,精確測量襯底的總厚度變化(TTV)是保障芯片性能與良率的關鍵環(huán)節(jié)。探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀憑借
    的頭像 發(fā)表于 08-20 12:01 ?478次閱讀
    【新啟航】探針式<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

    【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題

    精確的測量技術支持。 引言 碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料,憑借優(yōu)異的物理化學性能,在高功率、高頻電子器件領域展現出巨大的應用潛力。總厚度變化(TTV
    的頭像 發(fā)表于 08-08 11:38 ?606次閱讀
    【新啟航】如何解決<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題

    碳化硅特性及切割要點

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經過晶體生長、錠加工、切割、研磨、拋光
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?867次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>特性及切割要點

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術應用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    碳化硅功率器件在能源轉換中的應用

    隨著全球對可持續(xù)能源的需求不斷增加,能源轉換技術的提升已成為實現低碳經濟的重要一環(huán)。碳化硅(SiC)功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能,正逐漸成為現代電力電子設備的選擇,特別是在
    的頭像 發(fā)表于 04-27 14:13 ?856次閱讀

    碳化硅功率器件有哪些特點

    隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1002次閱讀

    碳化硅薄膜沉積技術介紹

    多晶碳化硅和非碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術而著稱;而非
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?1807次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術介紹

    碳化硅在半導體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導體中扮演著至關重要的角色,獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導體中的主要作用及優(yōu)勢: 一、碳化硅的物理特性
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2455次閱讀

    安森美在碳化硅半導體生產中的優(yōu)勢

    此前的文章“粉末純度、SiC錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導體基礎知識及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第二分,將重點介紹碳化硅生態(tài)系統的不斷演進及安森美(
    的頭像 發(fā)表于 01-07 10:18 ?849次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    具有決定性的影響。因此,深入理解柵極氧化層的特性,并掌握可靠性測試方法,對于推動碳化硅 MOSFET的應用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題:“什么是柵極
    發(fā)表于 01-04 12:37

    8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結構

    隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域的廣泛應用,高質量、大面積的SiC外延生長技術變得尤為重要。8英寸SiC作為當前及未來一段時間內的主流尺寸,其外延生長
    的頭像 發(fā)表于 12-31 15:04 ?398次閱讀
    8英寸單片高溫<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延生長室結構