晶閘管（Thyristor）是一種常用的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子和電路控制領(lǐng)域。它可以用作開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓器、整流器等。在進(jìn)行詳細(xì)介紹晶閘管的導(dǎo)通條件和關(guān)斷條件之前，我們需要先了解一些基礎(chǔ)知識(shí)。

晶閘管的結(jié)構(gòu)由四個(gè)不同類型的半導(dǎo)體材料組成，依次是pnpn型的結(jié)構(gòu)，通常由三個(gè)區(qū)域組成：Anode（陽(yáng)極）、Cathode（陰極）和Gate（門極）。晶閘管在導(dǎo)通時(shí)，電流可以從陽(yáng)極流向陰極。

導(dǎo)通條件:
當(dāng)陽(yáng)極電壓（Vak）和門極電壓（Vgk）均大于零時(shí)，晶閘管才會(huì)導(dǎo)通。導(dǎo)通過(guò)程主要是由于在Gate-Gate極間施加一個(gè)脈沖電壓（Vgk），使Gate極和p型半導(dǎo)體形成p-n結(jié)，即Gate-emitter結(jié)。

導(dǎo)通過(guò)程中，晶閘管處于兩種狀態(tài)之間：關(guān)斷狀態(tài)和飽和狀態(tài)。在關(guān)斷狀態(tài)下，陽(yáng)極電壓大于閾值電壓（Vd），但是電流極小，在正向電壓的作用下形成很高的阻抗。在飽和狀態(tài)下，由于Gate極產(chǎn)生的電流，晶閘管阻抗很低，電流得以流過(guò)。

關(guān)斷條件:
當(dāng)Gate極電流減少到特定的水平或依靠外部電路來(lái)控制時(shí)，晶閘管會(huì)從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)?？梢酝ㄟ^(guò)斷開(kāi)陽(yáng)極電壓或降低陽(yáng)極電壓的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)晶閘管的關(guān)斷。

晶閘管的關(guān)斷有兩種方式：自然關(guān)斷和強(qiáng)迫關(guān)斷。自然關(guān)斷是指當(dāng)晶閘管導(dǎo)通時(shí)的陽(yáng)極電流降低到極小的水平，導(dǎo)通物理機(jī)制消失導(dǎo)致的。而強(qiáng)迫關(guān)斷是通過(guò)施加一個(gè)負(fù)向極大電壓或短脈沖電流來(lái)實(shí)現(xiàn)的。

在進(jìn)行關(guān)斷之前，需要確保陽(yáng)極電流已經(jīng)降低到零或接近零，以避免過(guò)大的關(guān)斷電流引發(fā)擊穿或破壞性損壞。因此，在關(guān)斷晶閘管之前，需要通過(guò)適當(dāng)?shù)目刂齐妷汉碗娏鱽?lái)維持晶閘管的關(guān)斷狀態(tài)。

總結(jié)起來(lái)，晶閘管導(dǎo)通的關(guān)鍵是控制Gate極電壓和陽(yáng)極電壓，當(dāng)兩者均為正值時(shí)，晶閘管才會(huì)導(dǎo)通。而關(guān)斷條件則是通過(guò)控制Gate極電流，將晶閘管從導(dǎo)通狀態(tài)切換到關(guān)斷狀態(tài)。