2024開放數(shù)據(jù)中心委員會（ODCC）春季全會于3月27日-29日在江西省上饒市召開，作為長期的合作伙伴，憶聯(lián)應邀參加本次會議，并在新技術與測試工作組會議上就研究課題開展了匯報與討論。

于3月28日下午召開的新技術與測試工作組會議由憶聯(lián)高級工程師李軍主持。同時，李軍也對SSD寫放大的研究項目進度做出了詳細展示。寫放大研究項目于去年立項，主要對SSD寫放大的定義、成因、以及對SSD壽命的影響等問題進行深入探討，并結合測試方法對各種應用場景和文件系統(tǒng)等因素對寫放大的影響做出分析。此項目旨在優(yōu)化SSD性能和提升存儲效率。

自立項以來，憶聯(lián)對于文件系統(tǒng)持續(xù)開展了多種測試。多項測試結果顯示，對于設定的大文件內部，如果從小至32字節(jié)、大到1M字節(jié)的隨機位址寫入，寫放大的效應在不同的文件系統(tǒng)中的表現(xiàn)會呈現(xiàn)出較大差異。越是新出現(xiàn)的先進文件系統(tǒng)，寫放大值反而越顯著，這是不能忽略的問題。對此，在常規(guī)優(yōu)化建議如TRIM命令、垃圾回收、磁盤碎片整理的基礎上，憶聯(lián)給出了更豐富的優(yōu)化建議，例如基于硬盤占用率以及文件系統(tǒng)對寫放大的表現(xiàn)進行預判，如何借助采樣和記錄數(shù)據(jù)對寫放大實施進一步研究、以及提供面向SR-IOV、ZNS等技術的寫放大測試與分析腳本等，供業(yè)內借鑒與參考。

憶聯(lián)ODCC里程碑回顧

憶聯(lián)是ODCC白金會員單位和長期合作伙伴，通過持續(xù)的項目研究以及產(chǎn)品技術測試等合作，不斷為推動數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展奠定基礎。

2023年

在“DC TECH算力強基行動”中，通過了ODCC聯(lián)合實驗室對數(shù)據(jù)中心基礎設施、IT設備等的軟硬件全體系測試評估，憶聯(lián)數(shù)據(jù)中心級產(chǎn)品UH711a獲列推薦產(chǎn)品目錄；

開展“存儲設備時延問題分析與測量”項目研究，對目前數(shù)據(jù)中心應用中存儲部件的時延問題提出相關研究與解決方案。

2022年

企業(yè)級固態(tài)硬盤UH811a（7.68TB）與UH831a（3.2TB）通過了ODCC聯(lián)合實驗室的檢測，榮獲“閃耀之選”推薦產(chǎn)品；

開展“存儲部件特性SR-IOV測試白皮書”項目研究，為SR-IOV特性驗證做到規(guī)范化奠定基礎，為后續(xù)應用提供統(tǒng)一的操作規(guī)范和判別標準。

2020~2021年

開展關于SSD性能的測試研究與規(guī)范制定，促進各企業(yè)對基礎設施選型、測試，加速落地商用。

2019年

參與中國算力白皮書項目，對“存力”部分做出論證。

關于寫放大

SSD寫放大是指在固態(tài)硬盤中，由于閃存芯片的工作原理導致的一種現(xiàn)象。當系統(tǒng)需要對閃存中的數(shù)據(jù)進行更新時，由于閃存芯片內存儲單元的特性，無法直接覆蓋原有數(shù)據(jù)，而是需要先將原有數(shù)據(jù)標記為無效，然后再將更新后的數(shù)據(jù)寫入新的內存單元中。

這個過程會導致新數(shù)據(jù)寫入的量比實際需要的多，即寫放大。寫放大會增加對SSD的寫入操作次數(shù)，降低SSD的壽命，同時也會影響SSD的性能表現(xiàn)。

對于減少寫放大帶來的負面影響，SSD廠商通常會采取一些優(yōu)化策略，例如TRIM命令、垃圾回收等來減少寫放大現(xiàn)象。

關于憶聯(lián)

憶聯(lián)（Union Memory）成立于2017年，深耕企業(yè)級固態(tài)硬盤、數(shù)據(jù)中心級固態(tài)硬盤、消費級固態(tài)硬盤、嵌入式存儲領域，為服務器、數(shù)據(jù)中心、個人電腦、移動終端、智能穿戴等應用提供高性能、高可靠性的產(chǎn)品與解決方案。

依托業(yè)界一流的實驗室與兩座現(xiàn)代化制造基地，憶聯(lián)掌握了存儲控制器開發(fā)、固件設計、封裝測試等核心技術，為運營商、互聯(lián)網(wǎng)、消費電子等行業(yè)進行定制化的設計、研發(fā)、生產(chǎn)與服務。

憶聯(lián)是國家高新技術企業(yè)、國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，并入選工信部工業(yè)強基重點產(chǎn)品、工藝“一條龍”應用計劃。截至2024年3月，已獲得373項發(fā)明專利，并取得41項軟件著作權。