MPPT太陽能控制器在如今智能化的時代，產品也在不斷升級，目前已經越來越多的廠家利用高速運算技術和高效芯片來提升自家產品的轉換率。據說德姆達公司研發(fā)的產品已經可達轉換率提高到98%以上，并具備99%以上的峰值追蹤效率。

今天飛虹半導體工程師要提醒的是，除了智能化需要不斷提升外，別忘記在電路最基礎的MOS管來保障產品的質量提升，畢竟MOS管也是MPPT太陽能控制器的中樞電子元器件。

支持國產化的時代，建議要找能代換STP150N10F7、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、SVG104R0NT型號場效應管用于MPPT太陽能控制器電路開發(fā)中是工程師中熱門話題。

建議可以了解一款170N1F4A型號場效應管，它是一款純國產MOS管半導體元器件，能夠替代STP150N10F7、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、SVG104R0NT型號參數(shù)在驅動電路中使用。

目前在國產市場中170N1F4A型號場效應管是能完美在MPPT太陽能控制器中使用，這一點是已經獲得眾多的電機廠家所認可的。除了最基本的172A、100V參數(shù)外，還因其具備優(yōu)秀的產品特點：

1、RoHS產品

2、SGT工藝

3、100% DVDS測試

4、低柵極電荷

5、低 Crss (典型值 33 pF)

6、開關速度快

7、100%經過 Rg 測試

8、100%經過雪崩測試

9、100%經過熱阻測試

10、極低的FOM(RDSON*Qg)

當然除了產品具備的優(yōu)良特點外，170N1F4A能替代STP150N10F7、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、SVG104R0NT中低壓MOS管型號型號其還具備優(yōu)良的參數(shù)：

1、最大脈沖漏極電流（IDM ）：480A

2、N 溝道增強型場效應晶體管

3、Vgs（±V）：20；VGS（th）：2.0-4.0V；

4、ID（A）：172A；BVdss（V）：100V

5、選用TO-220封裝產品可用于控制器電路中

6、反向傳輸電容：33pF

7、靜態(tài)導通電阻RDS(on) = 4.4mΩ(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) =3.6mΩ(TYP) @VGS = 10 V

對于MMPT太陽能控制器中的電路升級想要選擇好的MOS管產品應用，建議選用170N1F4A型號場效應管。

飛虹半導體在為電子廠商專業(yè)的產品，一站式配齊功率器件的服務，始終站在用戶需求出發(fā)。

它良好的制作工藝與參數(shù)性能給太陽能控制器做更好的適配，保障產品的可靠性。

審核編輯：劉清