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Flash存儲芯片:NOR Flash、NAND Flash、UFS和eMMC的比較與解析

jim ? 來源:雷龍發(fā)展 ? 作者:雷龍發(fā)展 ? 2024-04-03 12:02 ? 次閱讀
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前言

在數(shù)字化時代的今天,數(shù)據(jù)的存儲和管理變得越來越重要。各種各樣的存儲技術應運而生,以滿足不同的使用場景和需求。其中,F(xiàn)lash存儲芯片以其非易失性、可擦寫性和可編程性等優(yōu)勢,占據(jù)了重要地位。本博客將詳細介紹Flash存儲芯片中的NOR Flash、NAND Flash、UFS和eMMC,分析它們的用途、優(yōu)缺點,并對其進行比較。

1.Nor Flash

1.1 用途特性

NOR Flash是可編程存儲器的一種,因其具有直接運行應用程序的能力而廣受歡迎,由于存儲容量較小,一般只有幾MB~幾十MB,因此適合存儲較小的程序和數(shù)據(jù)。由于其讀取速度快且可靠性高,NOR Flash在嵌入式系統(tǒng)單片機等領域得到了廣泛應用。

1.2 優(yōu)劣性

優(yōu)點

非易失性:數(shù)據(jù)不會因斷電而丟失,具有較好的數(shù)據(jù)保存能力。

可編程性:通過特定的編程指令,可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入和擦除。

快速讀?。簩τ谳^小的數(shù)據(jù)塊,讀取速度較快。

支持直接運行:由于其內(nèi)部結(jié)構和RAM相似,因此可以直接運行應用程序。

缺點

寫入速度較慢:相較于其他類型的Flash存儲器,寫入速度較慢。

擦除操作限制:在擦除操作時,需要一次性擦除整個塊的數(shù)據(jù),不能單獨擦除某個數(shù)據(jù)位。

成本較高:由于其內(nèi)部復雜的結(jié)構,導致其成本相對較高。

2. Nand Flash

2.1 用途特性

NAND Flash是閃存的一種,廣泛應用于數(shù)據(jù)存儲領域。它通常被用于存儲用戶數(shù)據(jù)、應用程序和操作系統(tǒng)等。由于其高存儲密度和快速寫入速度,NAND Flash在移動設備、數(shù)據(jù)中心和SSD硬盤等領域得到了廣泛應用。

2.2 優(yōu)劣性

優(yōu)點

存儲密度高:在單位面積內(nèi)存儲更多的數(shù)據(jù),適用于需要高密度存儲的場景。

讀寫速度快:尤其是寫入速度,遠高于NOR Flash。

耐久性強:可以重復進行擦除和編程操作,具有較長的使用壽命。

成本較低:由于其高存儲密度,使得單位容量的成本相對較低。

缺點

讀取速度較慢:雖然寫入速度較快,但讀取速度較慢于NOR Flash。

需要特殊操作:在使用NAND Flash時,需要了解其特殊的操作方式,例如需要進行塊或頁的擦除操作才能寫入數(shù)據(jù)。

對壞塊敏感:NAND Flash的存儲單元容易損壞,需要使用冗余算法來處理壞塊問題。

Nor flash和Nand flash的比較

NOR Flash和NAND Flash都是非易失性(非易失性即掉電不丟失數(shù)據(jù))存儲器,但它們有一些區(qū)別:

存儲邏輯 NOR Flash的存儲方式類似于常規(guī)的存儲器,可以使用隨機訪問方式讀取和寫入數(shù)據(jù)。而NAND Flash則使用頁式存儲方式,需要按頁順序順序讀取和寫入。

速度 NOR Flash的讀取速度相對較快,可以實現(xiàn)快速的指令執(zhí)行和數(shù)據(jù)讀取。而NAND Flash的數(shù)據(jù)讀取速度相對較慢,需要先通過控制器將數(shù)據(jù)讀取到緩存中再進行處理。

密度 NAND Flash的制造工藝更加先進,可以實現(xiàn)更高的密度,能夠存儲更多的數(shù)據(jù)。而NOR Flash的制造工藝相對落后,密度較低,無法存儲大量的數(shù)據(jù)。

用途 NOR Flash被廣泛用于嵌入式系統(tǒng)的引導存儲器,可以存儲操作系統(tǒng)的代碼和引導程序。NAND Flash則被廣泛應用于移動存儲設備,例如USB閃存驅(qū)動器、SD存儲卡和固態(tài)硬盤等。

3. UFS(Universal Flash Storage)

3.1 用途特性

UFS是一種新型的閃存標準,旨在提供高性能、低功耗的存儲解決方案,支持多通道數(shù)據(jù)傳輸和高速串行接口,能夠達到更高的數(shù)據(jù)傳輸速度,適用于高速數(shù)據(jù)存儲和傳輸場景。它通常被用于智能手機、平板電腦和其他移動設備中。UFS具備較高的讀寫性能和低功耗特性,使得移動設備的續(xù)航時間得以延長,同時提供了更快的數(shù)據(jù)傳輸速度。

3.2 優(yōu)劣性

優(yōu)點

高性能:UFS具備較高的讀寫性能,可以滿足移動設備對數(shù)據(jù)處理的需求。

低功耗:相較于傳統(tǒng)的Flash存儲器,UFS具有較低的功耗,有助于延長移動設備的續(xù)航時間。

可靠性高:UFS采用先進的錯誤糾正技術,能夠提高數(shù)據(jù)的可靠性。

集成度高:UFS將多種存儲器的功能集成在一起,簡化了硬件設計。

缺點

成本較高:相較于其他類型的存儲器,UFS的成本相對較高。

不適用于所有設備:由于UFS是移動設備的專用存儲標準,并不適用于所有類型的設備。

4. eMMC(Embedded Multi Media Card)

4.1 用途特性

eMMC顧名思義是一個嵌入式多媒體卡,常被用于智能手機、平板電腦和其他移動設備中作為系統(tǒng)存儲器。eMMC相當于Nand Flash+主控IC ,它的一個明顯優(yōu)勢是在封裝中集成了一個控制器,縮小了占用面積,提供標準接口并管理閃存。eMMC結(jié)合了Flash存儲器和RAM的優(yōu)點,既可以作為持久性存儲器使用,也可以作為緩存或臨時工作區(qū)使用。它具備較高的性能和可靠性,廣泛應用于各種移動設備中。

4.2 優(yōu)劣性

優(yōu)點

集成度高:eMMC將多種存儲器的功能集成在一起,簡化了硬件設計。

可靠性高:eMMC經(jīng)過專門設計,具備較高的數(shù)據(jù)可靠性。它采用了錯誤糾正技術來確保數(shù)據(jù)的完整性。

快速讀?。篹MMC支持高速數(shù)據(jù)傳輸,適用于需要快速讀取數(shù)據(jù)的場景。它采用了流水線式的數(shù)據(jù)傳輸方式,提高了讀取效率。

低功耗:eMMC的功耗相對較低,有助于延長移動設備的續(xù)航時間。通過采用休眠模式和動態(tài)功耗管理技術來實現(xiàn)低功耗目標。

缺點

存儲容量相對較小。eMMC的存儲容量通常不超過256GB,相對于傳統(tǒng)的機械硬盤和SSD容量較小。

不易升級。eMMC儲存無法更換或升級,因此需要在選擇時考慮到后續(xù)升級和擴展的需求。

壽命有限。eMMC閃存儲存有一定的寫入次數(shù)限制,對于長時間高負荷使用的設備,可能會出現(xiàn)壽命短的問題。

eMMC和UFS的比較

應用:

eMMC和UFS都被廣泛應用于手機、平板電腦等消費類電子產(chǎn)品中。

eMMC起源較早,自2011年起便開始在手機上使用,而UFS則是在2015年左右開始大規(guī)模應用于手機上,現(xiàn)在很多高端點的手機相比于emmc基本使用UFS了。

比較:

讀寫速度:UFS的讀寫速度比eMMC更快。這是因為它采用了更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和更快的總線速度。

功能:UFS支持更多的高級功能,例如命令隊列和TRIM命令,可以提高讀寫性能,并更好地管理設備的電池壽命。

兼容性:由于eMMC起源較早,因此它可以與更多的設備兼容。而UFS是一種較新的標準,因此它只能與一些較新的設備兼容。

5. CS SD NAND : 小巧輕便的TF卡替代方案

前段時間使用了一款CSNP4GCR01-AMW 存儲芯片,它免驅(qū)動(即貼即用)直連SD/SPI接口即可使用,已內(nèi)置Flash管理程序的NAND Flash,兼容SPI/SD接口,讀寫速度快,最高兼容SD3.0協(xié)議,兼容各大MCU平臺,可替代普通TF卡/SD卡,擦寫壽命可達5~10萬次。感興趣的可以去了解下。

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審核編輯 黃宇

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