捷捷微電子公布超結屏蔽柵IGBT專利
據天眼查披露，江蘇捷捷微電子股份有限公司已成功取得“一種帶有超結結構的屏蔽柵IGBT”專利技術的公開授權。這項專利于2024年3月26日正式注冊，編號為CN117766576A。
主體涉及半導體功率器件領域，主要創(chuàng)新點在于研發(fā)了一款具備超結結構的屏蔽柵IGBT。產品主要由第一導電類型半導體襯底、前設元胞以及至少包含一個深溝槽的屏蔽柵結構等組成立體結構形態(tài)。深溝槽周圍布設有離子注入區(qū)和接觸孔。在深溝槽之下的超結結構電荷平衡區(qū)內，包含了兩層面及兩層面以上第一導電類型與第二導電類型的復合層疊結構。此獨特之處還在于，外層有兩層不同導電類型的結構，而最內層的為第二導電類型，該結構環(huán)繞在深溝槽外側。同時，兩層之間的外層部分包圍在內側部分之外，且其頂部屈居內側頂部之下。這種特殊的造型設計，大大提升了IGBT的穩(wěn)定性和低功耗特性。
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