產(chǎn) 品 推 薦

SiLM5350隔離驅(qū)動器

SiC驅(qū)動優(yōu)選方案

穩(wěn)定高效助力工業(yè)與汽車應用

第三代半導體功率器件如碳化硅(SiC)具備諸多顯著的優(yōu)點。一是高耐壓：SiC材料相比于Si（硅）材料具有10多倍的擊穿場強。在相同的耐壓值下，SiC功率模塊導通電阻（尺寸）僅為Si的1/10，功率損耗大幅減少。二是高頻率：SiC材料不存在電流拖尾現(xiàn)象，能夠提高器件的開關速度，其開關速度是硅開關速度的3-10倍，適用于更高頻率和更快的開關速度。三是高溫度：SiC材料具有禁帶寬度大(約Si的3倍)、熱導率高(約Si的3.3倍），熔點高(2830℃，約Si-1410℃的兩倍)的特點，因此SiC器件在減少電流泄露的同時可大幅提高工作溫度?；谶@些顯著的特性，SiC器件在新能源汽車、光伏發(fā)電、儲能等領域得到越來越多的應用。

為了讓SiC器件在這些大功率、高電壓、高開關速度的應用中發(fā)揮出全部的特性，其驅(qū)動器的選擇也至關重要。數(shù)明半導體的SiLM5350作為一款單通道30V、10A帶米勒鉗位的隔離驅(qū)動器，具有強大的驅(qū)動能力，能夠高效、穩(wěn)定地驅(qū)動SiC（碳化硅）等新型半導體器件，確保功率器件在各種復雜環(huán)境下高效的運行。

另外SiLM5350還具備米勒鉗位功能，這對于抑制高速開關過程中可能產(chǎn)生的米勒尖峰至關重要。米勒尖峰是功率器件在開關過程中由于電容耦合而產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓，如果處理不當，可能導致誤導通而損壞器件。SiLM5350通過米勒鉗位功能可有效控制這一現(xiàn)象，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

此外，SiLM5350還提供多種UVLO（欠壓鎖定）保護選項，以滿足不同功率器件（如高電壓驅(qū)動的SiC, 低電壓驅(qū)動的GaN）的需求。這種靈活的配置不僅提高了應用的安全性，也使得SiLM5350能夠適用于更廣泛的場景。在封裝方面，SiLM5350提供了SOP8和SOP8W兩種選擇，8腳位的設計使得其結(jié)構(gòu)緊湊、應用簡單。

SiLM5350典型應用圖

SiLM5350隔離驅(qū)動器憑借其出色的性能，廣泛應用于車載充電機（OBC）、直流-直流轉(zhuǎn)換器（DC-DC）、光伏逆變器、充電樁、工業(yè)電源、通信電源、服務器電源以及伺服變頻等領域。

產(chǎn)品優(yōu)勢

1

10A的驅(qū)動能力，提升系統(tǒng)效率

SiLM5350隔離驅(qū)動器擁有出色的10A/10A灌電流和拉電流能力，它能輕松應對快速開關的需求，完美匹配更大功率的IGBT、SiC和MOSFET等器件對驅(qū)動電流的需求。功率器件快速地開通和關斷能夠有效減少功耗，提升系統(tǒng)運行效率，為用戶帶來更為出色的使用體驗。

2

集成米勒鉗位功能，增強系統(tǒng)可靠性

為了應對功率器件中因寄生參數(shù)而引起的門極尖峰電壓，SiLM5350特別集成了米勒鉗位功能。這一功能可有效避免功率器件在運行中可能出現(xiàn)的誤導通現(xiàn)象，從而大大增強系統(tǒng)的可靠性。同時SiLM5350還支持負電源驅(qū)動輸出，進一步抑制門極尖峰對系統(tǒng)的影響。

3

200kV/μs的CMTI性能，應對強干擾環(huán)境

SiLM5350具有高于200kV/μs的CMTI性能。這一卓越的抗干擾能力使其能夠在復雜多變的工業(yè)和汽車應用中保持可靠的運行，滿足新一代SiC應用對于高共模瞬態(tài)抗擾度的需求。

4

緊湊的結(jié)構(gòu)，應對小型化趨勢

為了應對系統(tǒng)小型化的趨勢，SiLM5350提供了兩種封裝（SOP8和SOP8W）， 六種不同管腳配置，方便系統(tǒng)布局和走線。

數(shù)明半導體的SiLM5350隔離驅(qū)動器以其強大的驅(qū)動能力、高可靠性、卓越的抗干擾能力以及小巧的封裝設計，成為了工業(yè)與汽車應用中SiC、IGBT、GaN等功率器件的理想驅(qū)動選擇。無論是提高系統(tǒng)效率、降低功耗還是增強可靠性，SiLM5350都能夠為用戶帶來顯著的價值。

審核編輯：劉清