在全球?qū)Ω咝阅芎痛笮痛鎯?chǔ)設(shè)備需求日益增長的背景下，三星電子公司宣布將于本月正式開啟其290層第九代垂直（V9）NAND芯片的批量生產(chǎn)。此舉不僅彰顯了三星在推動(dòng)行業(yè)向高堆疊、高密度閃存技術(shù)轉(zhuǎn)型中的領(lǐng)軍地位，也進(jìn)一步鞏固了其在全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia的最新預(yù)測(cè)顯示，盡管NAND閃存市場(chǎng)在2023年經(jīng)歷了下滑，但預(yù)計(jì)今年將迎來強(qiáng)勁反彈，增長率高達(dá)38.1%。面對(duì)這一市場(chǎng)機(jī)遇，三星公司決心加大對(duì)NAND業(yè)務(wù)的投資，以搶占更多的市場(chǎng)份額。

作為NAND市場(chǎng)的長期領(lǐng)導(dǎo)者，三星自2002年以來一直保持著技術(shù)創(chuàng)新的步伐。其獨(dú)特的單堆棧技術(shù)，通過減少堆疊數(shù)量而實(shí)現(xiàn)更多的層數(shù)堆疊，使公司在行業(yè)中脫穎而出。相比之下，競爭對(duì)手如SK海力士和美光科技則采用了72層的雙堆棧技術(shù)。

然而，三星并未止步于此。公司高管透露，他們的長遠(yuǎn)目標(biāo)是到2030年開發(fā)出超過1000層的NAND芯片，以實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度和性能。這一雄心勃勃的計(jì)劃無疑將為三星在全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)贏得更廣泛的認(rèn)可。

據(jù)此前報(bào)道，三星計(jì)劃于2024年投產(chǎn)300層以上的V-NAND芯片，有望在時(shí)間上領(lǐng)先競爭對(duì)手SK海力士一年。盡管目前三星最前沿的堆疊式NAND已達(dá)到236層，領(lǐng)先美光和長江存儲(chǔ)，但與SK海力士相比仍有兩層之差，但這并未影響三星在追求更高堆疊層數(shù)方面的決心。

值得注意的是，三星在追求技術(shù)突破的同時(shí)，也面臨著堆疊層數(shù)增加帶來的良率風(fēng)險(xiǎn)。然而，業(yè)界普遍認(rèn)為，三星已經(jīng)找到了解決這一潛在問題的有效方案，有望在未來實(shí)現(xiàn)更高的良率和更穩(wěn)定的生產(chǎn)。

隨著本月晚些時(shí)候290層V9 NAND芯片的量產(chǎn)啟動(dòng)，以及明年計(jì)劃推出的430層NAND芯片，三星電子正穩(wěn)步邁向其NAND技術(shù)發(fā)展的下一個(gè)里程碑。

審核編輯：黃飛