美國(guó)政府宣布將為三星電子提供高達(dá)64億美元芯片補(bǔ)貼，以擴(kuò)大得克薩斯州的芯片生產(chǎn)。這一舉措是美國(guó)政府推動(dòng)尖端半導(dǎo)體技術(shù)回流國(guó)內(nèi)的一部分，旨在加強(qiáng)本土的半導(dǎo)體制造能力。

具體來說，三星計(jì)劃在美國(guó)得克薩斯州建設(shè)4座芯片工廠，包括兩座邏輯晶圓生產(chǎn)工廠、一座晶圓研發(fā)設(shè)施以及一個(gè)先進(jìn)的封裝工廠。這些工廠將專注于4納米和2納米制程芯片技術(shù)的大規(guī)模生產(chǎn)，以及開發(fā)和研究更先進(jìn)的技術(shù)。其中，泰勒工廠將從2026年起生產(chǎn)4納米和2納米芯片，第二工廠將從2027年起量產(chǎn)尖端芯片，研發(fā)工廠也將于2027年投產(chǎn)。

此外，三星還計(jì)劃擴(kuò)大在得克薩斯州奧斯汀的現(xiàn)有設(shè)施，以支持美國(guó)航空航天、國(guó)防和汽車等關(guān)鍵行業(yè)的全耗盡絕緣體上硅（FD-SOI）工藝技術(shù)的生產(chǎn)。這次投資不僅將增加就業(yè)機(jī)會(huì)，還有助于提高美國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的安全性。

值得一提的是，三星在2nm制程工藝的研發(fā)上已取得了顯著進(jìn)展。該公司表示，將在未來開始生產(chǎn)2nm芯片，并計(jì)劃投資建造一座大型半導(dǎo)體工廠用于2nm制造。這一工藝預(yù)計(jì)將采用MBCFET納米片晶體管技術(shù)，以提高性能并降低功耗。

三星獲得美國(guó)64億美元補(bǔ)貼并在美生產(chǎn)2nm芯片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要事件，將有助于推動(dòng)全球半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步和應(yīng)用。