近日，英飛凌連續(xù)發(fā)布兩則碳化硅創(chuàng)新產品和新一代技術的重磅消息，引起業(yè)界的關注和熱議。憑借著在功率半導體器件領域技術和創(chuàng)新的雙輪驅動，英飛凌始終站在技術前沿。本期“零碳故事”特邀英飛凌工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)高級技術總監(jiān)陳立烽先生淺談英飛凌的技術實力和創(chuàng)新能力，深挖創(chuàng)新背后的故事。

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新一代CoolSiC MOSFET G2技術，到底“新”在哪里？

“英飛凌不斷突破可能性的邊界，在充滿活力的碳化硅創(chuàng)新浪潮中保持著領軍者的位置?！?

英飛凌碳化硅單管有650V、1200V、1700V、2000V四個電壓等級。就主流電壓等級而言，英飛凌可以說是業(yè)內碳化硅產品最齊全的半導體企業(yè)。

最新發(fā)布的CoolSiC MOSFET 2000V碳化硅分立器件，基于第一代的碳化硅技術，在電壓等級上實現(xiàn)向上拓展，成為市面上首款擊穿電壓達到2000V的碳化硅分立器件。

而新一代CoolSiC MOSFET Gen2的技術亮點紛呈：它具有業(yè)界最低的Rdson導通電阻，單個單管封裝可低至7毫歐。同時，該技術在保證低導通電阻的同時，承諾2微秒的短路能力，這在業(yè)界遙遙領先。此外，新一代CoolSiC MOSFET Gen2的最大工作結溫直接提升到200攝氏度，相較于第一代產品有了顯著的提升。

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英飛凌如何保持在碳化硅技術的創(chuàng)新優(yōu)勢？

“創(chuàng)新不是速度與激情，而是長期耕耘的“細水長流”。

英飛凌這么多年在碳化硅的技術積累為今天在產品上的發(fā)力提供了堅實的基礎，從晶圓制成到芯片設計，封裝都有著深厚的技術實力：

我們在2018年獲得的冷切割技術，大幅減少SiC生產過程中的原材料損耗，確保質量的同時，從容面對不斷增長的碳化硅市場需求；

我們的優(yōu)勢還在于早期就決定采用溝槽MOSFET技術。憑借25年的經驗積累，英飛凌掌握了溝槽柵生產的關鍵技術和挑戰(zhàn)。越來越多公司將溝槽技術概念納入其SiC產品路線圖，也證明了我們的技術戰(zhàn)略是正確的。

英飛凌在封裝技術方面持續(xù)創(chuàng)新，大家熟悉的Easy 1B/2B，Ecoco都是英飛凌的原創(chuàng)設計。最近屢獲殊榮的.XT互連技術，也英飛凌的一項創(chuàng)新技術，與傳統(tǒng)封裝相比，能進一步提升基于碳化硅設計的優(yōu)化潛力。

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碳化硅在不久的將來是否會取代硅基功率半導體？

“Si和SiC將會是一個共存的狀態(tài)，會各自在最能發(fā)揮他們產品性能的應用中繼續(xù)扮演關鍵的角色。”

英飛凌在功率半導體保持連續(xù)20年市占率第一的成績，以英飛凌為代表的IGBT技術也在不斷進步，從整體發(fā)展趨勢來看，呈現(xiàn)出大電流、高電壓、低損耗、高頻率、功能集成化、高可靠性的特點。我們去年推出的IGBT7單管系列正是符合這一趨勢。其中，1200V/140A的規(guī)格為市場上第一款大電流的1200V IGBT單管。

此外，英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems)，從Si、SiC到GaN，英飛凌掌握所有的關鍵材料和技術，擁有最廣泛的產品組合，客戶可以根據(jù)系統(tǒng)優(yōu)化的不同需求，進行靈活的方案配置。

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英飛凌如何把創(chuàng)新力轉化成產品力？

“創(chuàng)新力：源頭在“創(chuàng)”，核心在“新”，成果在“力””。

我們從一開始在工業(yè)應用、基建以及汽車領域做好全面的市場布局，專注于Mobility, Energy Efficiency以及IoT的技術創(chuàng)新以及產品開發(fā)。因此，我們在市場上提供了更廣泛、細致的產品組合，使得客戶能夠根據(jù)自身需求，選擇最適合、成本效益最高的產品。

同時，英飛凌始終與富有創(chuàng)新精神的客戶并肩前行。通過交流所積累的知識和經驗，成為了我們始終站在技術前沿的寶貴財富，為日后市場的騰飛奠定堅實的基礎。

此外，針對應用，我們?yōu)榭蛻魟?chuàng)新設計定制功率模塊，產品定制化已經成為了我們非常重要的業(yè)務模塊。通過縮短設計周期，加速產品上市時間，為客戶搶得市場先機。而在定制化成功的背后，完善的定制化服務管理體系以及專業(yè)的研發(fā)團隊提供了堅實的保障。