半導(dǎo)體晶體是信息產(chǎn)業(yè)的基石，其生長技術(shù)、加工工藝、關(guān)鍵設(shè)備、器件應(yīng)用及原材料供給等對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的安全穩(wěn)定至關(guān)重要。以碳化硅、氮化鎵為代表的新一代半導(dǎo)體具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，是引領(lǐng)新一輪產(chǎn)業(yè)革命的關(guān)鍵材料，也是引領(lǐng)新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)換、保衛(wèi)國家安全的國之利器。

為了更好的推動(dòng)新一代半導(dǎo)體晶體與應(yīng)用的學(xué)術(shù)及產(chǎn)業(yè)交流，在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)下，山東大學(xué)、晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)合主辦，山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司、山東華光光電子股份有限公司、山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院和北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的“新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會”，將于 2024年6月21至23日在山東濟(jì)南召開。

大會將邀請新一代半導(dǎo)體領(lǐng)域相關(guān)高校院所專家和知名企業(yè)代表出席，共同研討新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)進(jìn)展及未來發(fā)展趨勢，分享前沿研究成果，攜手助力我國新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

一、組織機(jī)構(gòu)

指導(dǎo)單位：

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：

山東大學(xué)

晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位：

山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司

山東華光光電子股份有限公司

山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦支持：

廣東南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

山東省硅酸鹽協(xié)會新材料專委會

顧問委員會：

陳良惠 鄭有炓 吳以成 褚君浩 祝世寧 李樹深 王立軍 黃如楊德仁 葉志鎮(zhèn) 江風(fēng)益 劉益春 羅毅 金奎娟 劉紀(jì)美

大會主席：張榮 徐現(xiàn)剛 吳玲

大會副主席：陳秀芳 趙璐冰 王垚浩 吳德華

程序委員會（擬）：

康俊勇 張清純 馮淦 盛況 邱宇峰 張波 修向前 徐科 黃凱 胡卉 伊?xí)匝?黎大兵 魏同波 張紫輝 鄧小川 劉斌 王曉亮 王新強(qiáng) 張進(jìn)成 王垚浩 吳軍 趙德剛 孫錢 楊學(xué)林 單崇新 于浩海 葉建東 彭燕 徐明升 賈志泰 王宏興 王篤福 王光緒 朱振 韓吉?jiǎng)?黃森等

組織委員會：

李樹強(qiáng) 李強(qiáng) 高娜 張雷 寧靜 閆方亮 楊祥龍 崔瀠心 謝雪健 肖龍飛 薛軍帥 王榮堃 于軍軍 劉鵬 王雨雷 王?，| 賈欣龍等

二、主題方向

1. 碳化硅晶體技術(shù)及其應(yīng)用

·大尺寸碳化硅單晶技術(shù)

·液相法碳化硅單晶生長技術(shù)

·碳化硅外延生長技術(shù)

·先進(jìn)長晶及外延碳材石墨技術(shù)

·碳化硅功率器件設(shè)計(jì)與制造技術(shù)

·先進(jìn)碳化硅長晶爐及外延生長裝備

·先進(jìn)晶體缺陷檢測技術(shù)及其設(shè)備

·先進(jìn)研磨設(shè)備及先進(jìn)拋光技術(shù)

·激光退火設(shè)備及技術(shù)

·先進(jìn)刻蝕設(shè)備及技術(shù)

·銀燒結(jié)封裝技術(shù)及先進(jìn)封裝設(shè)備

2. 氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應(yīng)用

·氮化鎵單晶及外延生長技術(shù)

·氮化鎵功率及射頻器件技術(shù)

·超寬禁帶半導(dǎo)體單晶技術(shù)

·鈮酸鋰晶體技術(shù)制備

·大尺寸金剛石單晶生長技術(shù)

·氧化鎵單晶生長技術(shù)

·氧化鎵外延及器件技術(shù)

·先進(jìn)AlN 單晶生長技術(shù)及其應(yīng)用

·Micro LED 技術(shù)

3. 砷化鎵、磷化銦晶體及其應(yīng)用

·砷化鎵、磷化銦單晶及外延技術(shù)

·半導(dǎo)體激光器技術(shù)及應(yīng)用

·車用激光雷達(dá)技術(shù)及應(yīng)用

·光通信技術(shù)及應(yīng)用

·紅外LED及顯示照明技術(shù)

三、會議日程（擬）

時(shí)間：2024年6月21-23日地點(diǎn)：中國·濟(jì)南

四、擬參與單位

北方華創(chuàng)、百識電子、比亞迪半導(dǎo)體、長飛半導(dǎo)體、東莞天域、東尼電子、華大半導(dǎo)體、華虹半導(dǎo)體、海思半導(dǎo)體、海創(chuàng)光電、瀚天天成、國星光電、基本半導(dǎo)體、江蘇宏微、晶盛機(jī)電、晶湛半導(dǎo)體、科友半導(dǎo)體、山東華光、連城數(shù)控、理想汽車、麥科信、南砂晶圓、日立、三安半導(dǎo)體、山東華光、山東華云光電、山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司、是德科技、三環(huán)集團(tuán)、爍科晶體、士蘭微、STR、蘇州納維、泰克科技、同光半導(dǎo)體、泰科天潤、特思迪、ULVAC、先導(dǎo)新材、西門子、小鵬汽車、意法半導(dǎo)體、英飛凌、揚(yáng)杰科技、英諾賽科、中博芯、中電化合物、中電科二所、中電科十三所、中電科四十六所、中電科四十八所、中電科五十五所、中鎵半導(dǎo)體、中微公司、瞻芯電子、中芯國際、北京大學(xué)、東南大學(xué)、電子科技大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、清華大學(xué)、南京大學(xué)、山東大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西安交通大學(xué)、廈門大學(xué)、浙江大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、中科院微電子所等

審核編輯：劉清