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本土IDM廠商SiC MOSFET新進(jìn)展,將應(yīng)用于車載電驅(qū)

Hobby觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:梁浩斌 ? 2024-06-25 00:05 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)2024年已過半,可以發(fā)現(xiàn)800V平臺(tái)電動(dòng)汽車在近半年時(shí)間里降本效應(yīng)明顯,最低價(jià)的800V平臺(tái)車型極狐阿爾法T5和小鵬G6都已經(jīng)降至不到18萬的價(jià)位。

800V平臺(tái)的普及,離不開碳化硅的產(chǎn)能提升以及降本節(jié)奏加速,在800V電壓系統(tǒng)下,一般需要1200V耐壓的車規(guī)級(jí)SiC MOSFET器件。該領(lǐng)域以往由ST、英飛凌、羅姆安森美等海外大廠壟斷,而近期,國產(chǎn)1200V SiC MOSFET又有了新進(jìn)展。

本土IDM廠商量產(chǎn)第三代SiC MOSFET工藝平臺(tái)

最近瞻芯電子宣布其第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)正式量產(chǎn),該工藝平臺(tái)將在瞻芯電子位于浙江義烏的車規(guī)級(jí)SiC晶圓廠上落地,并陸續(xù)推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。

值得關(guān)注的是,瞻芯電子基于第三代工藝平臺(tái)開發(fā),應(yīng)用于車載電驅(qū)系統(tǒng)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4Z)也已經(jīng)通過了車規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試認(rèn)證

目前瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET共有三款產(chǎn)品,包括IV3Q12013T4Z、IV3Q12013BA和IV3Q12013BD,均主要面向車載電驅(qū)系統(tǒng),據(jù)稱目前已經(jīng)獲得多家車載電驅(qū)客戶項(xiàng)目定點(diǎn)。

結(jié)構(gòu)方面,瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET繼續(xù)沿用上一代的平面柵型,但相比第二代工藝,元胞的Pitch縮小了超過20%。

核心指標(biāo)方面,第三代產(chǎn)品在保證器件的耐壓和短路能力的前提下,將比導(dǎo)通電阻Rsp降低至2.5mΩ*cm2,同時(shí)開關(guān)損耗也相比上一代降低30%以上。

除此之外,第三代產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻Rds(on)的溫度系數(shù)明顯降低,在高溫運(yùn)行情況下,導(dǎo)通電阻增加較少。

作為汽車電驅(qū)應(yīng)用,車規(guī)級(jí)認(rèn)證是必不可少的流程。瞻芯第三代平臺(tái)首款產(chǎn)品IV3Q12013T4Z不僅按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)完成了三批次可靠性認(rèn)證,獲得車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證證書,而且通過了更嚴(yán)格的Beyond-AECQ可靠性考核,包括動(dòng)態(tài)可靠性(D-HTRB,D-H3TRB,AC-BTI),柵極負(fù)偏壓下的HTRB等。

國產(chǎn)SiC上車只是時(shí)間問題

近兩年我們看到國內(nèi)已經(jīng)有多家廠商推出了車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品,但從MOSFET到模塊再到上車,從OBC到電驅(qū),還需要一定的過程。當(dāng)國內(nèi)的車規(guī)級(jí)SiC MOSFET開始大規(guī)模出貨,能夠滿足相應(yīng)的規(guī)格,電驅(qū)模塊廠商自然會(huì)嘗試使用國產(chǎn)的器件。

但確實(shí),由于從模塊廠商到電驅(qū)集成再到車企,需要較長的驗(yàn)證周期,即使是SiC MOSFET通過了車規(guī)認(rèn)證,通過了車企等驗(yàn)證,到最終的集成化電驅(qū)產(chǎn)品推出,并搭載在量產(chǎn)車型上,還至少需要兩年時(shí)間。

目前國產(chǎn)的車規(guī)SiC MOSFET已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模出貨,并向一些模塊廠商、電驅(qū)集成廠商供貨,相關(guān)產(chǎn)品也已經(jīng)有一定的完成度。實(shí)際上,國內(nèi)最早在電動(dòng)汽車上使用碳化硅功率模塊的車企比亞迪,已經(jīng)全系覆蓋自研模塊,并部分使用了自研碳化硅MOSFET。

而車企自研SiC模塊也越來越多,比如小鵬、蔚來、理想等新勢(shì)力廠商,都采用了自研模塊,第三方代工的模式。同時(shí),車企投資本土SiC器件廠商在過去幾年也是比較普遍的現(xiàn)象,那么車企自研模塊就意味著這些被投資的器件廠商也有更多的機(jī)會(huì)能夠向車企優(yōu)先供應(yīng)SiC MOSFET產(chǎn)品。

因此,隨著國產(chǎn)車規(guī)SiC MOSFET產(chǎn)品的逐漸成熟,以及逐步大規(guī)模供應(yīng),上車只是時(shí)間問題,包括比亞迪在近期也透露,其新建碳化硅工廠產(chǎn)能規(guī)模將是全球第一,并在下半年投產(chǎn)。相信最快在今年年底,我們能夠看到一些電動(dòng)車型用上國產(chǎn)SiC MOSFET,2025年有望能夠覆蓋更多的車型。

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