國產(chǎn)EEPROM與歐美EEPROM的具體參數(shù)對比

為了更具體地比較國產(chǎn)EEPROM與歐美EEPROM的差距，下面以益華存儲（EVASH）與歐美知名品牌如Microchip、STMicroelectronics和ON Semiconductor為例。我們將從制程技術(shù)、存儲密度、速度、功耗等參數(shù)進行詳細對比。

1. 制程技術(shù)

歐美公司

Microchip：最小制程技術(shù)達到90nm

STMicroelectronics：最小制程技術(shù)達到90nm

ON Semiconductor：最小制程技術(shù)達到90nm

國內(nèi)公司

益華存儲（EVASH）：0.35μm ~ 90nm eEEPROM，0.13μm ~ 90nm SONOS技術(shù)

2. 存儲密度

歐美公司

Microchip：2Kbit ~ 512Kbit

STMicroelectronics：2Kbit ~ 512Kbit

ON Semiconductor：2Kbit ~ 512Kbit

國內(nèi)公司

益華存儲（EVASH）：2Kbit ~ 512Kbit

3. 速度

歐美公司

Microchip：EEPROM速度高達 1MHz

STMicroelectronics：EEPROM速度高達 1MHz

ON Semiconductor：EEPROM速度高達 1MHz

國內(nèi)公司

益華存儲（EVASH）：EEPROM速度高達 1MHz

4. 功耗

歐美公司

Microchip：

讀操作：典型電流 0.15mA (400kHz)

寫操作：典型電流 0.30mA (400kHz)

待機模式：典型電流 0.10μA

STMicroelectronics：

讀操作：典型電流 0.16mA (400kHz)

寫操作：典型電流 0.32mA (400kHz)

待機模式：典型電流 0.10μA

ON Semiconductor：

讀操作：典型電流 0.14mA (400kHz)

寫操作：典型電流 0.28mA (400kHz)

待機模式：典型電流 0.05μA

國內(nèi)公司

益華存儲（EVASH）：

讀操作：典型電流 0.14mA (400kHz)

寫操作：典型電流 0.28mA (400kHz)

待機模式：典型電流 0.03μA

5. 可靠性（續(xù)）

歐美公司

Microchip：數(shù)據(jù)保持時間100年，耐久性1百萬次寫入

STMicroelectronics：數(shù)據(jù)保持時間100年，耐久性1百萬次寫入

ON Semiconductor：數(shù)據(jù)保持時間100年，耐久性1百萬次寫入

國內(nèi)公司

益華存儲（EVASH）：數(shù)據(jù)保持時間200年，耐久性4百萬次寫入

6. 安全性與加密

歐美公司

Microchip：提供高級加密算法和數(shù)據(jù)保護功能

STMicroelectronics：支持安全存儲和數(shù)據(jù)加密

ON Semiconductor：安全存儲和加密解決方案

國內(nèi)公司

益華存儲（EVASH）：提供定制的高級加密算法，保障數(shù)據(jù)安全性

7. 應(yīng)用領(lǐng)域

歐美公司

Microchip：廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域

STMicroelectronics：工業(yè)控制、汽車電子、智能設(shè)備

ON Semiconductor：消費電子、工業(yè)自動化、醫(yī)療和汽車電子

國內(nèi)公司

益華存儲（EVASH）：工業(yè)控制、智能設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、消費電子等多個領(lǐng)域

總結(jié)：

從以上對比可以看出，歐美知名公司如Microchip、STMicroelectronics和ON Semiconductor在EEPROM制程技術(shù)、存儲密度、速度、功耗以及可靠性方面擁有先進的技術(shù)和成熟的產(chǎn)品。相比之下，益華存儲（EVASH）雖然在制程技術(shù)和性能參數(shù)上與其競爭對手相近，但在數(shù)據(jù)保持時間和寫入耐久性方面表現(xiàn)更出色，適合對數(shù)據(jù)安全性有高要求的應(yīng)用場景。隨著技術(shù)的進步和市場競爭的加劇，國產(chǎn)存儲芯片在性能和應(yīng)用領(lǐng)域的擴展也在逐步增強，展示出了強大的競爭實力和潛力。

審核編輯 黃宇