產(chǎn)品簡介

AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR是30V/40V耐壓，封裝形式DFN2×2-6L、DFN3*3的N-Channel Power MOSFET。

AW4030XXNDNR包含五款產(chǎn)品：

AW403001NDNR

AW403002NDNR

AW403009NDNR

AW403029NDNR

AW403008NDNR

AW40400XNDNR包含兩款產(chǎn)品：

AW404001NDNR

AW404002NDNR

AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR作為開關(guān)，漏源耐壓分別為30V和40V，柵源耐壓高至±20V，RDS(ON)提供不同檔位供客戶挑選，靈活匹配不同的應(yīng)用場景，如手機和筆記本電腦Charger、同步整流、電機驅(qū)動等。

產(chǎn)品規(guī)格主要參數(shù)

圖1 AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR參數(shù)列表

封裝信息

圖2 DFN2*2封裝外形圖及管腳定義

典型應(yīng)用圖

以下列舉了該系列MOSFET在快充充電器、手機充電、筆電充電場景中的典型方案應(yīng)用圖。

01AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR

快充充電器方案應(yīng)用

AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR在快充充電器中主要在變壓器次級輸出端VBUS供電線路上起保護作用，應(yīng)用原理如圖3所示。

圖3 AW4030XXNDNR & AW40400XDNR

手機充電方案應(yīng)用電路圖

02AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR

手機充電方案應(yīng)用

AW4030XXNDNR和AW40400XNDNR在手機充電應(yīng)用原理示意圖如圖4所示：

(1)充電MOSFET在有線充電線路中起到單MOSOVP作用；

(2)為實現(xiàn)有線雙向充放電和阻斷反灌電流，應(yīng)用時采用背靠背接法（兩個單NMOS共源極串聯(lián)）

多有線充電線路充電方案中，可利用多路串、并聯(lián)MOSFET的方法來實現(xiàn)充電線路的選擇。

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圖4 AW4030XXNDNR & AW40400XNDNR

手機充電方案應(yīng)用電路圖

03AW4030XXNDNR筆電方案應(yīng)用

AW4030XXNDNR在筆電中應(yīng)用原理圖如圖5所示，MOSFET作為DC-DC中的核心部分，在升壓和降壓拓撲結(jié)構(gòu)中均會用到。筆電由適配器和電池供電，適配器的典型輸出電壓19.5V，電池的輸出電壓為10.8V或14.4V，通常都需要被降壓來為主板的各部分供電，因此在筆電中含有較多的BUCK電路。前級的Charger也可采用BUCK-BOOST架構(gòu)實現(xiàn)雙向充電，在筆電中功率MOSFET用量較大。AW4030XXNDNR單體在MHz頻段開關(guān)特性良好，通常選擇低RDS(ON)和低Qg的MOSFET提高開關(guān)電源效率。

圖5 AW4030XXNDNR筆電方案應(yīng)用原理圖

應(yīng)用場景

AW4030XXNDNR和AW40400XDNR常以保護電路、同步整流等目的，應(yīng)用于手機、快充充電器、無線充電、筆記本電腦、電源適配器和電動工具等設(shè)備。

手機

快充充電器

筆記本電腦

電源適配器

主要特點

AW4030XXNDNR和AW40400XDNR具有小型化封裝，節(jié)省占板面積，導(dǎo)通阻抗低，熱耗散小的特點，在同種封裝下，與市場同類產(chǎn)品類比參數(shù)優(yōu)勢明顯。

表2：DFN2*2充電MOS主要參數(shù)對比表

表3：DFN3*3充電MOS主要參數(shù)對比表