來源：寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟

江蘇通用半導(dǎo)體有限公司（原：河南通用智能裝備有限公司）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研設(shè)備（碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備）成功實(shí)現(xiàn)剝離出130μm厚度的超薄SiC晶圓片。該設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)6寸和8寸SiC晶錠的全自動(dòng)分片，包含晶錠上料，晶錠研磨，激光切割，晶片分離和晶片收集的全自動(dòng)工藝流程，晶片拋光后的形貌可以達(dá)到LTV≤2μm，TTV≤5μm，BOW≤10μm，Warp≤20μm。

圖：8英寸SiC晶錠激光全自動(dòng)剝離設(shè)備

通用半導(dǎo)體自設(shè)立以來，一直在高端半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域深耕，并專注于激光隱切設(shè)備的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，勵(lì)志成為全球領(lǐng)先的激光微納加工裝備制造商。

通用半導(dǎo)體于2020年研發(fā)出國(guó)內(nèi)首臺(tái)半導(dǎo)體激光隱形切割機(jī)；2022年成功推出國(guó)內(nèi)首臺(tái)18納米及以下SDBG激光隱切設(shè)備（針對(duì)3D Memory)；2023年成功研發(fā)國(guó)內(nèi)首臺(tái)8英寸全自動(dòng)SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線；2024年研制成功SDTT激光隱切設(shè)備（針對(duì)3D HBM）。

通用半導(dǎo)體表示，隨著公司激光隱切設(shè)備產(chǎn)品覆蓋度持續(xù)提升，市場(chǎng)應(yīng)用規(guī)模的不斷擴(kuò)大，且公司持續(xù)保持高強(qiáng)度的研發(fā)投入，迭代升級(jí)各產(chǎn)品系列，滿足客戶在技術(shù)節(jié)點(diǎn)更新迭代過程中對(duì)高產(chǎn)能及更嚴(yán)格的技術(shù)性能指標(biāo)的需求。

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