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降本增效取得新進(jìn)展,拉普拉斯申請(qǐng)晶圓圖形化工藝專利

小石科技 ? 來(lái)源:金融界 ? 作者:金融界 ? 2024-07-19 09:54 ? 次閱讀
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來(lái)源:金融界

近日,據(jù)天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示,拉普拉斯新能源科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“拉普拉斯”)申請(qǐng)一項(xiàng)名為“晶圓圖形化工藝”的專利,公開號(hào)CN202410574469.X。

專利摘要顯示,本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N晶圓圖形化工藝,包括:將中子掩膜板置于晶圓的表面;產(chǎn)生中子流射向中子掩膜板;關(guān)閉中子流,移除中子掩膜板;去除第一部分以及與第一部分對(duì)應(yīng)的晶圓;去除第二部分。本申請(qǐng)的晶圓圖形化工藝,利用中子流穿過(guò)中子掩膜板的間隙對(duì)晶圓表面的含硼涂層進(jìn)行選擇性轟擊,使被轟擊的含硼涂層(第一部分)發(fā)生質(zhì)變,從而能使第一部分以及與第一部分對(duì)應(yīng)的部分晶圓被去除,進(jìn)而完成圖形化。本申請(qǐng)的晶圓圖形化工藝無(wú)需極紫外光,也就沒(méi)有EUV光刻工藝中由于光線反射過(guò)程造成的能量損耗,因而能量利用率更高。本申請(qǐng)的晶圓圖形化工藝無(wú)需昂貴、限制較多的EUV光源,無(wú)需超高精度加工的光路系統(tǒng),因此有利于節(jié)約成本,且適用范圍更廣。

審核編輯 黃宇

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