來源：Trend Force

據(jù)STDaily援引日本沖繩科學技術(shù)研究生院（OIST）官網(wǎng)近日報道稱，該大學設計出一種超越半導體制造標準邊界的極紫外（EUV）光刻技術(shù)。

基于此設計的光刻設備可以使用更小的EUV光源，功耗不到傳統(tǒng)EUV光刻設備的十分之一，可降低成本并大幅提高設備的可靠性和壽命。

在傳統(tǒng)光學系統(tǒng)（如照相機、望遠鏡和常規(guī)紫外光刻技術(shù)）中，光圈和透鏡等光學元件沿直軸對稱排列。這種方法不適用于極紫外射線，因為其波長極短，大部分會被材料吸收。

因此，EUV光使用新月形鏡子進行引導，但這會導致光偏離中心軸，犧牲重要的光學特性并降低系統(tǒng)的整體性能。

為了解決這個問題，新的光刻技術(shù)通過將兩個帶有微小中心孔的軸對稱鏡子排列在一條直線上來實現(xiàn)其光學特性。由于EUV的吸收率很高，每次鏡子反射都會使能量減弱40%。

按照行業(yè)標準，EUV光源能量經(jīng)過10面鏡子后，僅有約1%能夠到達晶圓，這對EUV光輸出的要求非常高。

相比之下，將從EUV光源到晶圓的鏡子數(shù)量限制為總共四個，可使超過10％的能量穿透晶圓，這可以大大降低功耗。

新型 EUV 光刻技術(shù)的核心投影儀由兩面類似天文望遠鏡的鏡子組成，可以將光掩模圖像轉(zhuǎn)移到硅片上。該團隊聲稱，這種配置非常簡單，因為傳統(tǒng)投影儀至少需要六面鏡子。

這是通過重新思考光學像差校準理論實現(xiàn)的，其性能已經(jīng)通過光學仿真軟件驗證，意味著它可以滿足先進半導體的生產(chǎn)要求。

此外，團隊還為此項新技術(shù)設計了一種名為“雙線場”的新型照明光學方法，即利用EUV光從正面照射平面鏡光罩，而不會干擾光路。

審核編輯 黃宇